Reglamento Delegado (UE) 2022/1 de la Comisión, de 20 de octubre de 2021, por el que se modifica el Reglamento (UE) 2021/821 del Parlamento Europeo y del Consejo en lo que concierne a la lista de productos de doble uso

« ANEXO I
LISTA DE PRODUCTOS DE DOBLE USO CONTEMPLADA EN EL ARTÍCULO 3 DEL PRESENTE REGLAMENTO

La lista de productos de doble uso que figura en el presente anexo tiene por objetivo la ejecución de los controles de productos de doble uso acordados internacionalmente, en particular en el Grupo Australia (GA) (7) , el Régimen de Control de la Tecnología de Misiles (RCTM) (8) , el Grupo de Suministradores Nucleares (GSN) (9) , el Arreglo de Wassenaar (10) y la Convención sobre las Armas Químicas (11) .

PARTE I
Notas generales, acrónimos y abreviaturas, y definiciones

NOTAS GENERALES AL ANEXO I

1. En relación con el control de productos diseñados o modificados para uso militar, véanse las correspondientes listas de control de material de defensa que mantienen los respectivos Estados miembros de la UE Las referencias del presente anexo en las que figura la frase "VÉASE ASIMISMO LA RELACIÓN DE MATERIAL DE DEFENSA" hacen alusión a esas mismas listas.

2. El objeto de los controles contenidos en el presente anexo no deberá quedar sin efecto por la exportación de productos no controlados (incluidas las plantas) que contengan uno o más componentes controlados, cuando el componente o componentes controlados sean elementos principales de los productos exportados y sea viable separarlos o emplearlos para otros fines.

N.B. A la hora de juzgar si uno o varios componentes controlados deben considerarse elementos principales, habrán de ponderarse los factores de cantidad, valor y conocimientos tecnológicos involucrados, así como otras circunstancias especiales que pudieran determinar que el componente o los componentes controlados sean elementos principales de los productos suministrados.

3. Los productos especificados en el presente anexo pueden ser nuevos o usados.

4. En algunos casos, los productos químicos se enumeran por nombre y número CAS. La lista se aplica a los productos químicos de la misma fórmula estructural (incluidos los hidratos) independientemente del nombre o del número CAS. Los números CAS se muestran para ayudar a identificar un producto químico o una mezcla independientemente de su nomenclatura. Los números CAS no pueden ser usados como identificadores únicos porque algunas formas de los productos químicos listados tienen números CAS diferentes y, además, algunas mezclas que contienen un producto químico listado pueden tener un número CAS diferente.

NOTA DE TECNOLOGÍA NUCLEAR (NTN)

(Deberá leerse en conjunción con la sección E de la categoría 0.)

La "tecnología" directamente asociada a cualquier producto controlado de la categoría 0 se controlará con arreglo a las disposiciones de la categoría 0.

Asimismo, se controlará la "tecnología" para el "desarrollo", la "producción" o la "utilización" de los productos sometidos a control, aunque también sea aplicable a productos no sometidos a ningún control.

La licencia de exportación concedida para un producto autoriza también a exportar al mismo usuario final la "tecnología" mínima necesaria para la instalación, el funcionamiento, el mantenimiento y las reparaciones de dicho producto.

Los controles de transferencia de "tecnología" no se aplicarán a la información "de conocimiento público" ni a la "investigación científica básica".

NOTA GENERAL DE TECNOLOGÍA (NGT)

(Deberá leerse en conjunción con la sección E de las categorías 1 a 9.)

La exportación de "tecnología""necesaria" para el "desarrollo", la "producción" o la "utilización" de productos sometidos a control incluidos en las categorías 1 a 9 se someterá a control de conformidad con lo dispuesto en las categorías 1 a 9.

Asimismo, se controlará la "tecnología""necesaria" para el "desarrollo", la "producción" o la "utilización" de los productos sometidos a control, aunque también sea aplicable a productos no sometidos a ningún control.

No se aplicarán controles a aquella "tecnología" que sea la mínima necesaria para la instalación, el funcionamiento, el mantenimiento (revisión) o las reparaciones de aquellos productos no sometidos a control o cuya exportación se haya autorizado.

Nota: Esta disposición no exime de los controles a la "tecnología" de ese tipo especificada en los subartículos 1E002.e, 1E002.f, 8E002.a y 8E002.b.

Los controles de las transferencias de "tecnología" no se aplicarán a la información "de conocimiento público", a la "investigación científica básica" ni a la información mínima necesaria para solicitudes de patentes.

NOTA SOBRE PROGRAMAS INFORMÁTICOS EN MATERIA NUCLEAR (NPIN)

(La presente nota tiene primacía sobre los controles de la sección D de la categoría 0.)

La sección D de la categoría 0 de esta lista no somete a control los "programas informáticos" que constituyen el "código objeto" mínimo necesario para la instalación, el funcionamiento, el mantenimiento (revisión) o las reparaciones de aquellos productos cuya exportación haya sido autorizada.

La licencia de exportación concedida para un producto autoriza también a exportar al mismo usuario final el "código objeto" mínimo necesario para la instalación, el funcionamiento, el mantenimiento (revisión) y las reparaciones de dicho producto.

Nota: La Nota sobre programas informáticos en materia nuclear no exime de los controles a los "programas informáticos" especificados en la segunda parte de la categoría 5 ("Seguridad de la información").

NOTA GENERAL SOBRE PROGRAMAS INFORMÁTICOS (NGPI)

(La presente nota tiene primacía sobre los controles de la sección D de las categorías 1 a 9.)

Las categorías 1 a 9 de esta lista no someten a control los "programas informáticos" que cumplan cualquiera de las condiciones siguientes:

• a. que se hallen generalmente a disposición del público por estar:
  • 1. a la venta, sin limitaciones, en puntos de venta al por menor, por medio de:
    • a. transacciones en mostrador,
    • b. transacciones por correo,
    • c. transacciones electrónicas, o
    • d. transacciones por teléfono, y
  • 2. diseñados para su instalación por el usuario sin asistencia ulterior importante del proveedor.
    Nota: La entrada a de la Nota general sobre programas informáticos no exime de los controles a los "programas informáticos" especificados en la segunda parte de la categoría 5 ("Seguridad de la información").
• b. que sean "de conocimiento público", o
• c. que constituyan el "código objeto" mínimo necesario para la instalación, el funcionamiento, el mantenimiento (revisión) o las reparaciones de aquellos productos cuya exportación haya sido autorizada.

Nota: La entrada c de la Nota general sobre programas informáticos no exime de los controles a los "programas informáticos" especificados en la segunda parte de la categoría 5 ("Seguridad de la información").

NOTA GENERAL SOBRE "SEGURIDAD DE LA INFORMACIÓN" (NGSI)

Los productos o las funciones destinados a la "seguridad de la información" deben considerarse en relación con lo dispuesto en la segunda parte de la categoría 5, aunque se trate de componentes, de "programas informáticos" o de funciones de otros productos.

PRÁCTICAS EDITORIALES EN EL DIARIO OFICIAL DE LA UNIÓN EUROPEA

De conformidad con las reglas establecidas en el Libro de estilo interinstitucional, para los textos en inglés publicados en el Diario Oficial de la Unión Europea:

• - se utiliza una coma para separar los enteros de los decimales,
• - los números enteros se presentan en series de tres y cada serie se separa por un espacio fino.

El texto del presente anexo sigue esta práctica.

ACRÓNIMOS Y ABREVIATURAS EMPLEADOS EN EL PRESENTE ANEXO

Los acrónimos o abreviaturas que se empleen como términos definidos figuran en las ‘Definiciones de los términos empleados en el presente anexo’.

DEFINICIONES DE LOS TÉRMINOS EMPLEADOS EN EL PRESENTE ANEXO

Los términos entre comillas simples (‘…’) están definidos en la nota técnica que corresponde al artículo en cuestión.

A continuación se definen los términos que figuran entre comillas dobles ("…"):

N.B. La referencia a la categoría correspondiente aparece entre paréntesis tras el término definido.

"Exactitud" (2 3 6 7 8): medida generalmente por referencia a la inexactitud, es la desviación máxima, positiva o negativa, de un valor indicado con respecto a un patrón aceptado o a un valor verdadero.

"Sistemas de control activo de vuelo" (7): tienen como función impedir los movimientos o las cargas estructurales no deseables en "aeronaves" y misiles, mediante el procesado autónomo de las salidas de múltiples sensores y el suministro a continuación de los comandos preventivos necesarios para el control automático.

"Píxel activo" (12) : es el elemento mínimo (único) de un conjunto de estado sólido que tiene una función de transferencia fotoeléctrica cuando está expuesto a una radiación luminosa (electromagnética).

"Rendimiento máximo ajustado" (10) : es un valor máximo ajustado en el que los "ordenadores digitales" realizan sumas y multiplicaciones en coma flotante de 64 bits o más y se expresa en TeraFLOPS ponderados (WT), en unidades de 1012 operaciones ajustadas en coma flotante por segundo.

N.B. Véase la nota técnica en la categoría 4.

"Aeronave" (1 6 7 9): es un vehículo aéreo de superficies de sustentación fijas, pivotantes o rotatorias (helicóptero), de rotor basculante o de superficies de sustentación basculantes.

N.B. Véase también "aeronave civil".

"Dirigible" (9): es un vehículo aéreo de motor que se mantiene en suspensión gracias a un cuerpo gaseoso (por lo general helio, anteriormente hidrógeno) que es más ligero que el aire.

"Todas las compensaciones disponibles" (8) : significa tras haberse tenido en cuenta todas las medidas factibles de que dispone el fabricante para reducir al máximo todos los errores sistemáticos de posición para una máquina-herramienta concreta o los errores de medida para una máquina de medida de coordenadas.

"Asignada por la UIT" (3 5): se refiere a la asignación de bandas de frecuencia, según la última edición del Reglamento de Radiocomunicaciones de la UIT, a los servicios primarios, autorizados y secundarios.

N.B. No están incluidas las asignaciones adicionales ni alternativas.

"Desviación de la posición angular" (8) : es la diferencia máxima entre la posición angular y la posición angular real, medida con gran exactitud, después de que el portapieza de la mesa se haya desplazado con respecto a su posición inicial.

"Recorrido aleatorio angular" (7): es el error angular generado con el tiempo debido al ruido blanco en la velocidad angular (IEEE STD 528-2001).

"APP" (10) : es equivalente a "rendimiento máximo ajustado".

"Algoritmo asimétrico" (11) : es un algoritmo criptográfico que requiere distintas claves de naturaleza matemática para el cifrado y el descifrado.

N.B. Un uso común de los "algoritmos asimétricos" es la gestión de claves.

"Autenticación" (11) : consiste en verificar la identidad de un usuario, un proceso o un dispositivo, a menudo como requisito previo para permitir el acceso a los recursos en un sistema de información. Esto incluye la verificación del origen o el contenido de un mensaje o de otro tipo de información, y todos los aspectos del control del acceso cuando no haya cifrado de ficheros o de texto, salvo el relacionado directamente con la protección de códigos de identificación (contraseñas), números de identificación personal (PIN) o datos similares para evitar el acceso no autorizado.

"Potencia de salida media" (12) : significa la energía total de salida del "láser" en julios, dividida por el período durante el cual se emiten una serie de impulsos consecutivos, en segundos. Para una serie de impulsos uniformemente espaciados, equivale a la energía total de salida del "láser" en un impulso único, en julios, multiplicado por la frecuencia del impulso del "láser" en hercios.

"Retardo por propagación en la puerta básica" (9) : es el valor del retardo por propagación correspondiente a la puerta básica utilizada en un "circuito integrado monolítico". Este valor puede especificarse, para una ‘familia’ de "circuitos integrados monolíticos", como retardo por propagación por puerta típica dentro de la ‘familia’ considerada, o como retardo de propagación típico por puerta dentro de la misma ‘familia’.

N.B. 1. No se debe confundir el "retardo por propagación en la puerta básica" con el retardo por entrada/salida de un "circuito integrado monolítico" complejo.

N.B. 2. ‘Familia’ consiste en todos los circuitos integrados que tienen en común todos los elementos siguientes en el método de fabricación y en las especificaciones, con excepción de sus funciones respectivas:

• a. la arquitectura común del equipo informático y de los programas informáticos
• b. la tecnología común del diseño y los procesos, y
• c. las características básicas comunes.

"Investigación científica básica" (NGT NTN): es la labor experimental o teórica emprendida principalmente para adquirir nuevos conocimientos sobre los principios fundamentales de fenómenos o hechos observables y que no está orientada primordialmente hacia un fin u objetivo práctico específico.

"Sesgo" (acelerómetro) (7): es la media en un tiempo determinado de la salida de un acelerómetro, medida en condiciones de funcionamiento especificadas, que no tiene correlación con la aceleración o la rotación de entrada. El "sesgo" se expresa en g o en metros por segundo al cuadrado (g o m/s2). (IEEE Std 528-2001) (Micro g igual a 1 × 10-6 g).

"Sesgo" (giroscopio) (7): es la media en un tiempo determinado de la salida de un giroscopio, medida en condiciones de funcionamiento especificadas, que no tiene correlación con la rotación o la aceleración de entrada. El "sesgo" se expresa generalmente en grados por hora (°/h). (IEEE Std 528-2001).

"Agentes biológicos" (7) : son patógenos o toxinas, seleccionados o modificados (por ejemplo mediante alteración de la pureza, caducidad, virulencia, características de diseminación o resistencia a la radiación UV) a fin de producir bajas en personas o animales, degradar equipos o dañar las cosechas o el medio ambiente.

"Desplazamiento axial periódico longitudinal" (8) : es el desplazamiento longitudinal del husillo principal durante una rotación de este, medido en un plano perpendicular a la cara del husillo en un punto próximo a la circunferencia de la cara del husillo (ref. ISO 230-1:1986, apartado 5.63).

"CEP" (7): "círculo de igual probabilidad" - En una distribución circular normal, el radio del círculo que contenga el 50 % de las mediciones individuales que se hayan hecho, o el radio del círculo dentro del que haya una probabilidad de localización del 50 %.

"Láser químico" (12) : es un "láser" en el cual la energía emanada de una reacción química provoca la excitación de las moléculas.

"Mezcla química" (7) : es un producto sólido, líquido o gaseoso, formado por dos o más componentes que no reaccionan entre sí en las condiciones en que se almacena la mezcla.

"Sistemas antipar o sistemas de control de dirección, por control de circulación" (7): son sistemas que utilizan aire proyectado sobre superficies aerodinámicas para aumentar o controlar las fuerzas generadas por esas superficies.

"Aeronave civil" (1 3 4 7): son las "aeronaves" cuya denominación figura en las listas de certificados de aeronavegabilidad que publican las autoridades de aviación civil de uno o varios Estados miembros de la UE o Estados que participan en el Arreglo de Wassenaar por prestar servicio en líneas comerciales civiles interiores o exteriores o por estar destinadas a un uso civil lícito, ya sea privado o comercial.

N.B. Véase también "aeronave".

"Controlador del canal de comunicaciones" (10) : es la interfaz física que controla el flujo de información digital síncrona o asíncrona. Es un conjunto que puede integrarse en equipos informáticos o de telecomunicaciones para proporcionar acceso a las comunicaciones.

"Sistemas de compensación" (12) : se componen del sensor escalar primario, uno o más sensores de referencia (por ej., "magnetómetros" vectores) junto con programas informáticos que permiten la reducción del ruido de rotación de un cuerpo rígido de la plataforma.

"Materiales compuestos" (composites) (1 2 6 8 9): son una "matriz" y una o varias fases adicionales constituidas por partículas, triquitos, fibras o cualquier combinación de ellas, presentes para uno o varios fines específicos.

"Compuestos III/V" (3 6): son productos policristalinos o binarios o bien monocristalinos complejos constituidos por elementos de los grupos IIIA y VA de la tabla de clasificación periódica de Mendeléiev (por ejemplo, arseniuro de galio, arseniuro de galio aluminio y fosfuro de indio).

"Control de contorneado" (8) : se realiza mediante dos o más movimientos "controlados numéricamente" y ejecutados siguiendo instrucciones que especifican la siguiente posición requerida y las velocidades de avance necesarias hacia esa posición. Estas velocidades de avance varían unas con respecto a otras con el fin de producir el contorno deseado (ref. ISO/DIS 2806 - 1980).

"Temperatura crítica" (1 3 5) (denominada en ocasiones temperatura de transición) de un material "superconductor" específico: es aquella temperatura a la que el material pierde completamente la resistencia a la circulación de corriente continua.

"Activación criptográfica" (11) : cualquier técnica que activa o posibilita específicamente una capacidad criptográfica de un producto, mediante un mecanismo implementado por el fabricante del producto, en el que este mecanismo guarda un vínculo exclusivo con cualquiera de los siguientes:

• 1. un único ejemplar del producto, o
• 2. un cliente, para múltiples ejemplares del producto.

Notas técnicas:

• 1. Las técnicas y mecanismos de "activación criptográfica" pueden aplicarse como equipo informático, "programas informáticos" o "tecnología".
• 2. Los mecanismos para la "activación criptográfica" pueden ser, por ejemplo, claves de licencia basadas en un número de serie o instrumentos de autenticación tales como los certificados con firma digital.

"Criptografía" (5): es la disciplina que engloba los principios, medios y métodos para la transformación de los datos con el fin de ocultar su contenido informativo, impedir que se modifiquen sin que sea detectado o evitar su uso no autorizado. La "criptografía" se limita a la transformación de información utilizando uno o varios ‘parámetros secretos’ (por ejemplo, variables criptográficas) o la gestión de clave asociada.

Notas:

• 1. La "criptografía" no incluye las técnicas ‘fijas’ de compresión o codificación de datos.
• 2. La "criptografía" incluye el descifrado.

Notas técnicas:

• 1. ‘Parámetro secreto’: constante o clave mantenida oculta a otras personas o compartida únicamente en el seno de un grupo.
• 2. ‘Fijo’: el algoritmo de codificación o de compresión que no puede aceptar parámetros suministrados desde el exterior (por ejemplo, variables criptográficas o de claves) y no puede ser modificado por el usuario.

"Láser CW" (6): es un "láser" que produce una energía de salida nominalmente constante por más de 0,25 segundos.

"Ciberrespuesta" (4): es el proceso de intercambio de la información necesaria sobre un ciberincidente con las personas u organizaciones responsables de realizar o coordinar las medidas de corrección para hacer frente al ciberincidente.

"Sistemas de navegación con referencia a bases de datos" ("DBRN") (7): son sistemas que emplean diversas fuentes de datos geocartográficos previamente medidos e integrados de forma que proporcionen información precisa para la navegación en condiciones dinámicas. Entre las fuentes de datos figuran los mapas batimétricos, estelares, de gravedad, magnéticos y digitales en 3-D del terreno.

"Uranio empobrecido" (0): es uranio con un contenido del isótopo 235 inferior al que se da en la naturaleza.

"Desarrollo" (NGT NTN Todo): es el conjunto de las etapas previas a la producción en serie, tales como el diseño, la investigación del diseño, el análisis del diseño, los conceptos del diseño, el montaje y el ensayo de prototipos, los esquemas de producción piloto, los datos del diseño, el proceso de transformación de los datos del diseño en un producto, el diseño de configuración, el diseño de integración y los planos.

"Unión por difusión" (1 2 9): es una unión molecular de estado sólido de al menos dos metales independientes para formar una sola pieza, siendo la resistencia de la unión equivalente a la del material menos resistente, en la que el mecanismo principal es la interdifusión de átomos a través de la interfaz.

"Ordenador digital" (4 5): es el equipo que puede, en forma de una o más variables discretas, realizar todas las operaciones siguientes:

• a. aceptar datos
• b. almacenar datos o instrucciones en dispositivos de almacenamiento fijos o alterables (por escritura)
• c. procesar datos con ayuda de una secuencia de instrucciones almacenadas modificables, y
• d. proporcionar datos de salida.

N.B. Las modificaciones de una secuencia de instrucciones almacenadas incluyen la sustitución de dispositivos fijos de memoria, pero no el cambio físico del cableado o las interconexiones.

"Tasa de transferencia digital" (def): es la tasa (bits/seg.) total de información transferida directamente en cualquier tipo de soporte.

N.B. Véase también "tasa de transferencia digital total".

"Velocidad de deriva" (giroscopio) (7): es el componente de la salida del giroscopio que resulta funcionalmente independiente de la rotación de entrada. Se expresa como una velocidad angular. (IEEE STD 528-2001).

Un "gramo efectivo" (0 1) de "materiales fisionables especiales" equivale a:

• a. en el caso de isótopos de plutonio y de uranio-233, el peso del isótopo en gramos;
• b. en el caso de uranio enriquecido al 1 por ciento o más en el isótopo uranio-235, el peso del elemento en gramos, multiplicado por el cuadrado de su enriquecimiento expresado como fracción decimal del peso;
• c. en el caso de uranio enriquecido a menos del 1 por ciento en el isótopo uranio-235, el peso del elemento en gramos, multiplicado por 0,0001.

"Conjunto electrónico" (2 3 4): es un grupo de componentes electrónicos (‘elementos de circuito’, ‘componentes discretos’, circuitos integrados, etc.) conectados juntos para realizar una o varias funciones específicas, sustituibles conjuntamente y, por lo general, desmontables.

N.B.1. Un ‘elemento de circuito’ es una sola pieza funcional activa o pasiva de un circuito electrónico, como un diodo, un transistor, una resistencia, un condensador, etc.

N.B.2. Un ‘componente discreto’ es un ‘elemento de circuito’ encapsulado por separado, con sus propias conexiones exteriores.

"Materiales energéticos" (7) : son sustancias o mezclas que reaccionan químicamente para liberar la energía requerida a efectos de su aplicación prevista. Los "explosivos", "productos pirotécnicos" y "propulsantes" son subclases de materiales energéticos.

"Efectores terminales" (8) : son las garras, las ‘herramientas activas’ y cualquier otra herramienta que se fije en la placa base del extremo del brazo manipulador de un "robot".

N.B. Una ‘herramienta activa’ es un dispositivo destinado a aplicar a la pieza de trabajo la fuerza motriz, la energía necesaria para el proceso o los sensores.

"Densidad equivalente" (12) : es la masa de un (componente) óptico por unidad de área óptica proyectada sobre la superficie óptica.

"Normas equivalentes" (7) : son las normas nacionales o internacionales comparables reconocidas por uno o varios Estados miembros de la UE o Estados participantes en el Arreglo de Wassenaar y aplicables al subartículo correspondiente

"Explosivos" (7) : son sustancias o mezclas de sustancias sólidas, líquidas o gaseosas que se requieran para la detonación, utilizadas como cargas de cebos, de sobrepresión o como cargas principales en cabezas explosivas, dispositivos de demolición y otras aplicaciones.

"Sistemas FADEC" (9): significa sistemas de control digital del motor con plena autoridad. Un "sistema FADEC" es un sistema electrónico de control digital para motores de turbina de gas que es capaz de controlar de manera autónoma el motor en todo su régimen de funcionamiento, desde la orden de encendido hasta la orden de apagado del motor, tanto en condiciones normales como en caso de fallo.

Los "materiales fibrosos o filamentosos" (0 1 8 9) incluyen:

• a. "monofilamentos" continuos
• b. "hilos" y "cables" continuos
• c. "cintas", tejidos, esterillas irregulares y trenzados
• d. mantas de fibras picadas, fibrana y fibras aglomeradas
• e. triquitos monocristalinos o policristalinos de cualquier longitud
• f. pulpa de poliamida aromática.

"Circuito integrado pelicular" (9) : es un conjunto de ‘elementos de circuito’ y de interconexiones metálicas formado por depósito de una capa delgada o gruesa sobre un "sustrato" aislante.

N.B. El ‘elemento de circuito’ es una sola pieza funcional activa o pasiva de un circuito electrónico, como un diodo, un transistor, una resistencia, un condensador, etc.

"Sistema de vuelo por señales ópticas" (7): es un sistema de control de vuelo digital primario que utiliza técnicas de realimentación para controlar la "aeronave" durante el vuelo, en el que los comandos de los efectores/actuadores son señales ópticas.

"Sistema de vuelo por señales eléctricas" (7): es un sistema de control de vuelo digital primario que utiliza técnicas de realimentación para controlar la "aeronave" durante el vuelo, en el que los comandos de los efectores/actuadores son señales eléctricas.

"Conjunto de plano focal" (6 8): significa una capa planar lineal o bidimensional, o bien una combinación de capas planares, de elementos detectores individuales, con o sin lectura electrónica, que funcionan en el plano focal.

N.B. Lo anterior no incluye las pilas de elementos detectores simples ni las de dos, tres o cuatro elementos detectores cuando no tengan lugar en ellos el retardo y la integración.

"Ancho de banda fraccional" (3 5): es el "ancho de banda instantáneo" dividido entre la frecuencia central y expresado como porcentaje.

"Salto de frecuencia" (5 6): es una forma de "espectro ensanchado" en la que se cambia la frecuencia de la transmisión de un canal básico de comunicaciones mediante una secuencia aleatoria o pseudoaleatoria de cambios discretos.

"Tiempo de conmutación de frecuencia" (9) : es el tiempo (es decir, el retardo) que se requiere para que una señal, al conmutarse desde una frecuencia de salida especificada inicial, presente un margen de exactitud igual o inferior a:

• a. ± 100 Hz de una frecuencia de salida especificada final inferior a 1 GHz, o
• b. ± 0,1 partes por millón de una frecuencia de salida especificada final igual o superior a 1 GHz.

"Pila de combustible" (8): es un dispositivo electrónico que convierte la energía química directamente en electricidad de corriente continua consumiendo combustible de una fuente externa.

"Fundible" (7) : es aquello que es susceptible de ser entrecruzado o polimerizado en mayor grado (vulcanizado) mediante el uso de calor, radiación, catalizadores, etc., o que puede ser fundido sin pirólisis (carbonización).

"Selectores rígidos" (11) : es el dato o conjunto de datos relativos a un individuo (por ejemplo, apellidos, nombre, correo electrónico, dirección postal, número de teléfono o afiliaciones a grupos).

"Conjunto de guiado" (7): son sistemas que integran el proceso de medida y cómputo de la posición y la velocidad de un vehículo (es decir, la navegación) con el de computación y envío de órdenes al sistema de control de vuelo del vehículo, para la corrección de su trayectoria.

"Circuito integrado híbrido" (9) : es cualquier combinación de circuitos integrados o bien un circuito integrado que contenga ‘elementos de circuito’ o ‘componentes discretos’ conectados entre sí para realizar una o varias funciones específicas, y que reúnan todas las características siguientes:

• a. contener al menos un dispositivo no encapsulado
• b. estar conectados entre sí por medio de métodos típicos de producción de circuitos integrados
• c. ser sustituibles como una sola entidad, y
• d. que normalmente no puedan desensamblarse.

N.B.1. Un ‘elemento de circuito’ es una sola pieza funcional activa o pasiva de un circuito electrónico, como un diodo, un transistor, una resistencia, un condensador, etc.

N.B.2. Un ‘componente discreto’ es un ‘elemento de circuito’ encapsulado por separado, con sus propias conexiones exteriores.

"Resaltado de imagen" (10) : es el procesado de imágenes exteriores portadoras de información por medio de algoritmos tales como compresión de tiempos, filtrado, extracción, selección, correlación, convolución o transformaciones entre dominios (por ejemplo, la transformada rápida de Fourier o la transformada de Walsh). No se incluyen los algoritmos que solo utilizan la transformación lineal o angular de una sola imagen, tales como la traslación, la extracción de características, el registro o la falsa coloración.

"Inmunotoxina" (7) : es la conjugación de un anticuerpo monoclonal específico de célula y una "toxina" o "subunidad de toxina" que afecta selectivamente a las células enfermas.

"De conocimiento público" (NGT NTN NGPI), en el marco del presente documento: es la "tecnología" o los "programas informáticos" divulgados sin ningún tipo de restricción para su difusión posterior (las restricciones derivadas del derecho de propiedad intelectual no impiden que la "tecnología" o los "programas informáticos" se consideren "de conocimiento público").

"Seguridad de la información" (NGPI NGSI 5): es el conjunto de medios y funciones que aseguran la accesibilidad, el carácter confidencial o la integridad de la información o de las comunicaciones, exceptuando los previstos para la protección contra el mal funcionamiento. Se incluyen la "criptografía", la "activación criptográfica", el ‘criptoanálisis’, la protección contra las emanaciones comprometedoras y la seguridad de los ordenadores.

Nota técnica:

El ‘criptoanálisis’ es el análisis de un sistema criptográfico o de sus entradas o salidas para derivar variables confidenciales o datos sensibles, incluyendo el texto claro.

"Ancho de banda instantáneo" (3 5 7): es el ancho de banda en el cual la potencia de salida permanece constante dentro de un margen de 3 dB sin ajuste de otros parámetros de funcionamiento.

"Aislamiento" (9): se aplica a los componentes de motores de cohetes, es decir, a la carcasa, toberas, aberturas de admisión y los cierres de la carcasa, e incluye las capas de goma curada o semicurada que contengan material aislante o refractario. Puede estar incorporado también como botas o aletas de alivio de tensión.

"Forro protector" (9): es apropiado para la interfaz de unión entre el propulsante sólido y la cámara, o el aislante. Normalmente se trata de una dispersión de materiales refractarios o aislantes en una base polímera líquida, por ejemplo polibutadieno con grupos terminales hidroxílicos (HTPB) cargado con carbono, u otro polímero con agentes de curado añadidos, pulverizado o colocado por tiras en el interior de la carcasa.

"Convertidores analógico-digitales (ADC) entrelazados" (9) : dispositivos compuestos por múltiples unidades de ADC que efectúan muestreos de la misma entrada analógica en momentos diferentes, de tal modo que cuando se acumulan las salidas, la entrada analógica se ha sometido a un muestreo y conversión de manera efectiva con una mayor velocidad de muestreo.

"Gradiómetro magnético intrínseco" (12) : es un elemento individual de detección de gradiente de campo magnético y la electrónica asociada, cuya salida es una medida del gradiente de campo magnético.

N.B. Véase también "gradiómetro magnético".

"Programas informáticos de intrusión" (4 5): son los "programas informáticos" especialmente diseñados o modificados para evitar la detección mediante ‘herramientas de seguimiento’ o desactivar las ‘contramedidas de protección’ de un ordenador o dispositivo de conexión en red y que realiza cualquiera de las siguientes funciones:

• a. la extracción de datos o información de un ordenador o dispositivo de conexión en red, o la modificación de datos de usuario o del sistema, o
• b. la modificación de la ruta de ejecución normal de un programa o un proceso con el fin de permitir la ejecución de instrucciones externas.

Notas:

• 1. Los "programas informáticos de intrusión" no incluyen ninguno de los elementos siguientes:
  • a. hipervisores, programas de depuración o herramientas informáticas de ingeniería inversa
  • b. "programas informáticos" de gestión de derechos digitales, o
  • c. "programas informáticos" diseñados para ser instalados por los fabricantes, administradores o usuarios, con fines de seguimiento o recuperación de activos.
• 2. Los dispositivos de conexión en red incluyen los dispositivos móviles y los contadores inteligentes.

Notas técnicas:

• 1. ‘Herramientas de seguimiento’: "programas informáticos" o dispositivos de equipos informáticos que controlan comportamientos del sistema o procesos que funcionen en un dispositivo. Esto incluye los productos antivirus (AV) los productos de seguridad de punto final, los productos de seguridad personal (PSP), los sistemas de detección de intrusiones (SDI), los sistemas de prevención de intrusiones (SPI) o los cortafuegos.
• 2. ‘Contramedidas de protección’: técnicas destinadas a garantizar la ejecución segura del código, tales como la prevención de la ejecución de datos, la aleatorización de direcciones de memoria o el aislamiento de procesos (sandboxing).

"Cultivos vivos aislados" (1): incluye cultivos vivos en forma latente y en preparaciones en seco.

"Prensas isostáticas" (2): son equipos capaces de presurizar una cavidad cerrada, por diversos medios (gas, líquido, partículas sólidas, etc.), con objeto de generar dentro de esta una presión igual en todas las direcciones sobre la pieza o el material que se deba prensar.

"Láser" (0 1 2 3 5 6 7 8 9): es un producto que produce una luz coherente en el espacio y en el tiempo mediante amplificación por una emisión estimulada de radiación.

N.B. Véanse también "láser químico"

"láser de onda continua (CW)"

"láser de impulso"

"láser de muy alta potencia".

"Biblioteca" (1) (base de datos técnicos paramétricos): es una recopilación de información técnica a la cual se puede hacer referencia para mejorar el rendimiento de los sistemas, el equipo o los componentes pertinentes.

"Vehículos más ligeros que el aire" (9): son globos u otros "dirigibles" que se elevan mediante aire caliente u otros gases más ligeros que el aire, tales como el hidrógeno o el helio.

"Linealidad" (2) (se mide generalmente en relación con la falta de linealidad): es la desviación máxima de la característica real (media de las lecturas en el sentido ascendente y descendente de la escala), positiva o negativa, con respecto a una línea recta situada de manera que se igualen y reduzcan al mínimo las desviaciones máximas.

"Red de área local" (4 5): es un sistema de comunicación de datos que reúne todas las características siguientes:

• a. permite la intercomunicación directa de un número arbitrario de ‘equipos de datos’ independientes, y
• b. está limitado a un ámbito geográfico de tamaño moderado (por ejemplo, un edificio de oficinas, una planta, un campus o unos almacenes).

N.B. Un ‘equipo de datos’ es un equipo capaz de transmitir o recibir secuencias de información digital.

"Gradiómetros magnéticos" (6): son instrumentos diseñados para detectar la variación espacial de los campos magnéticos procedentes de fuentes exteriores al instrumento. Constan de múltiples "magnetómetros" y su electrónica asociada, cuya salida es una medida del gradiente de campo magnético.

N.B. Véase también "gradiómetro magnético intrínseco".

"Magnetómetros" (6): son instrumentos diseñados para detectar campos magnéticos procedentes de fuentes exteriores al instrumento. Constan de un elemento individual de detección de campo magnético y su electrónica asociada, cuya salida es una medida del campo magnético.

"Materiales resistentes a la corrosión por UF6" (0): entre estos materiales figuran el cobre, las aleaciones de cobre, el acero inoxidable, el aluminio, el óxido de aluminio, las aleaciones de aluminio, el níquel o aleaciones que contengan el 60 % en peso o más de níquel y polímeros de hidrocarburos fluorados.

"Matriz" (1 2 8 9): es una fase sustancialmente continua que rellena el espacio entre las partículas, los triquitos o las fibras.

"Incertidumbre de medida" (2): es el parámetro característico que especifica, con un grado de confianza del 95 %, la escala alrededor del valor de salida en la que se sitúa el valor correcto de la variable medible. Este parámetro incluye las desviaciones sistemáticas no corregidas, el juego no corregido y las desviaciones aleatorias (ref. ISO 10360-2).

"Microcircuito de microordenador" (3): es un "circuito integrado monolítico" o "circuito integrado multipastilla" que contiene una unidad aritmética lógica (ALU) capaz de ejecutar instrucciones de propósito general almacenadas en una memoria interna, sobre datos obtenidos en la memoria interna.

N.B. La memoria interna puede ser ampliada por un almacenamiento externo.

"Microcircuito de microprocesador" (3): es un "circuito integrado monolítico" o "circuito integrado multipastilla" que contiene una unidad aritmética lógica (ALU) capaz de ejecutar unas series de instrucciones de propósito general almacenadas en un almacenamiento externo.

N.B. 1. Aunque el "microcircuito de microprocesador" no contiene normalmente una memoria a la que pueda acceder completamente el usuario, durante la realización de sus funciones lógicas puede utilizarse dicha memoria interna.

N.B. 2. Se incluyen conjuntos de pastillas que están diseñados para operar juntos con objeto de proporcionar las funciones de un "microcircuito de microprocesador".

"Microorganismos" (1 2): son bacterias, virus, micoplasmas, rickettsias, clamidias u hongos, bien naturales, potenciados o modificados, ya sea en forma de "cultivos vivos aislados" o como material que incluya materia viva a la que se hayan inoculado deliberadamente estos cultivos o que haya sido contaminada con ellos.

"Misiles" (1 3 6 7 9): son sistemas completos de cohetes y sistemas de vehículos aéreos no tripulados, capaces de llevar, al menos, una carga útil de 500 kg a una distancia de, al menos, 300 km.

"Monofilamento" (1) o filamento: es el incremento más pequeño de fibra, generalmente de varias micras de diámetro.

"Circuito integrado monolítico" (3): es una combinación de ‘elementos de circuito’ pasivos, activos o de ambos tipos que:

• a. se fabriquen mediante procesos de difusión, de implantación o de depósito, resultando en una sola pieza de material semiconductor, denominada ‘pastilla’,
• b. se consideren asociados de modo indivisible, y
• c. realicen la función o funciones de un circuito.

N.B. El ‘elemento de circuito’ es una sola pieza funcional activa o pasiva de un circuito electrónico, como un diodo, un transistor, una resistencia, un condensador, etc.

"Circuito integrado monolítico de microondas" ("MMIC") (3 5): es un "circuito integrado monolítico" que funciona con frecuencias de microondas o de ondas milimétricas.

"Sensores monoespectrales de formación de imágenes" (6): permiten la adquisición de datos de formación de imágenes en una banda espectral discreta.

"Circuito integrado multipastilla" (3): es un conjunto de dos o más "circuitos integrados monolíticos" fijados a un "sustrato" común.

"Convertidor analógico-digital (ADC) multicanal" (3): dispositivo que integra más de un ADC diseñado de manera tal que cada ADC tenga una entrada analógica separada.

"Sensores multiespectrales de formación de imágenes" (6): permiten la adquisición simultánea o en serie de datos de formación de imágenes, en dos o más bandas espectrales discretas. Los sensores con más de 20 bandas espectrales discretas a veces se denominan sensores hiperespectrales de formación de imágenes.

"Uranio natural" (0): es uranio que contenga las mezclas de isótopo que se dan en la naturaleza.

"Controlador de acceso a la red" (4): es una interfaz física con una red de conmutación distribuida. Utiliza un soporte común que funciona a la misma "tasa de transferencia digital" empleando el arbitraje [por ejemplo, detección de señal (token) o de portadora] para la transmisión. Con independencia de cualquier otro dispositivo, selecciona los paquetes de datos o los grupos de datos (por ejemplo, IEEE 802) a él dirigidos. Es un conjunto que puede integrarse en equipos informáticos o de telecomunicaciones para proporcionar el acceso a las comunicaciones.

"Reactor nuclear" (0): es un reactor completo capaz de funcionar de manera que se pueda mantener una reacción de fisión en cadena autosostenida y controlada. Un "reactor nuclear" incluye todos los dispositivos que se encuentran en el interior del recipiente del reactor o que están conectados directamente con él, el equipo que controla el nivel de potencia en el núcleo y los componentes que normalmente contienen el refrigerante primario del núcleo del reactor o que están directamente en contacto con dicho refrigerante o lo regulan.

"Control numérico" (2): es el control automático de un proceso realizado por un dispositivo que utiliza datos numéricos introducidos, por lo general, durante el funcionamiento (ref. ISO 2382:2015).

"Código objeto" (NGPI): es una forma ejecutable por el equipo de una expresión adecuada de uno o varios procesos ["código fuente" (o lenguaje fuente)] que ha sido compilado por un sistema de programación.

"Operaciones, administración o mantenimiento" ("OAM") (5): es la realización de una o varias de las siguientes tareas:

• a. El establecimiento o la gestión de cualquiera de los siguientes elementos:
  • 1. las cuentas o los privilegios de usuarios o administradores
  • 2. los parámetros de un producto, o
  • 3. los datos de autenticación en apoyo de las tareas descritas en los puntos a.1. o a.2.
• b. El seguimiento o la gestión del estado de funcionamiento o el rendimiento de un producto. o
• c. La gestión de registros o datos de auditoría en apoyo de cualquiera de las tareas descritas en las letras a. o b.

Nota: "OAM" no incluye ninguna de las tareas siguientes o sus funciones de gestión clave asociadas:

• a. la prestación o la mejora de cualquier funcionalidad criptográfica que no esté directamente relacionada con el establecimiento o la gestión de datos de autenticación en apoyo de las tareas descritas en los puntos a.1 o a.2, o
• b. la realización de cualquier funcionalidad criptográfica en relación con el plano de reenvío o de datos de un producto.

"Circuito integrado óptico" (3): es un "circuito integrado monolítico" o "circuito integrado híbrido" que contiene una o más piezas diseñadas para funcionar como fotosensor o fotoemisor, o para realizar una o varias funciones ópticas o electroópticas.

"Conmutación óptica" (5): es el encaminamiento o conmutación de las señales en forma óptica sin conversión a señales eléctricas.

"Densidad de corriente global" (3): es el número total de amperios-vuelta de la bobina (es decir, el sumatorio de las corrientes máximas transportadas por cada espira) dividido por la sección transversal total de la bobina (incluidos los filamentos superconductores, la matriz metálica en la que van incorporados los filamentos superconductores, el material de encapsulado, canales de refrigeración, etc.).

"Estado participante" (7 9): significa un Estado que participa en el Arreglo de Wassenaar. (Véase www.wassenaar.org)

"Potencia de pico" (6): es el nivel de potencia más alto alcanzado en la "duración del impulso".

"Red de área personal" (5): es un sistema de comunicación de datos que presenta todas las características siguientes:

• a. permite la intercomunicación directa de un número arbitrario de ‘equipos de datos’ independientes, y
• b. está limitado a la comunicación entre equipos situados físicamente muy cerca de la persona o el controlador del equipo en cuestión (por ejemplo, en la misma habitación o el mismo despacho, en un automóvil).

Notas técnicas:

• 1. Un ‘equipo de datos’ es un equipo capaz de transmitir o recibir secuencias de información digital.
• 2. "La red de área local" abarca más allá de la zona geográfica de la "red de área personal".

"Previamente separado" (1): aplicación de cualquier proceso tendente a aumentar la concentración del isótopo controlado.

"Elemento principal" (4): en lo referente a la categoría 4, es un "elemento principal" cuando su valor de sustitución supera el 35 % del valor total del sistema del que forma parte. El valor del elemento es el precio pagado por este por el fabricante o el integrador del sistema. El valor total es el precio de venta internacional normal a clientes que no tengan relación con el vendedor, en el punto de fabricación o en el punto de consolidación de la expedición.

"Producción" (NGT NTN Todo): es un término que abarca todas las fases de la producción, tales como: la construcción, la ingeniería de la producción, la fabricación, la integración, el ensamblaje (montaje), la inspección, los ensayos y la garantía de calidad.

"Equipo de producción" (1 7 9): son las herramientas, plantillas, utillaje, mandriles, moldes, matrices, utillaje de sujeción, mecanismos de alineación, equipo de ensayos, la restante maquinaria y componentes para ellos, limitados a los diseñados especialmente o modificados para el "desarrollo" o para una o más fases de la "producción".

"Medios de producción" (7 9): son los "equipos de producción" y los programas informáticos diseñados especialmente para ellos que estén integrados en instalaciones para el "desarrollo" o para una o más fases de la "producción".

"Programa" (2 6): es una secuencia de instrucciones para llevar a cabo un proceso en, o convertible a, una forma ejecutable por un ordenador electrónico.

"Compresión de impulso" (6): es la codificación y el procesado de un impulso de señal de radar de larga duración a un impulso de corta duración, conservando las ventajas de una elevada energía del impulso.

"Duración del impulso" (6): es la duración de un impulso "láser", que corresponde al tiempo entre los puntos de potencia mitad en los frentes anterior y posterior de un impulso particular.

"Láser de impulso"(6): es un "láser" con una "duración del impulso" inferior o igual a 0,25 segundos.

"Criptografía cuántica" (5): es un conjunto de técnicas para establecer claves compartidas de la "criptografía" mediante la medición de propiedades de la mecánica cuántica de su sistema físico (incluidas las propiedades físicas regidas específicamente por la óptica cuántica, la teoría cuántica o la electrodinámica cuántica).

"Radar, agilidad de frecuencia" (6): es cualquier técnica por medio de la cual la frecuencia portadora de un emisor radar pulsante se modifica siguiendo una secuencia pseudoaleatoria, entre impulsos o grupos de impulsos, en una cantidad igual o mayor que la anchura de banda del impulso.

"Radar, espectro ensanchado" (6): es cualquier técnica de modulación para extender la energía de una señal de una anchura de banda relativamente estrecha a una anchura de banda de frecuencias mucho mayor, usando un código aleatorio o pseudoaleatorio.

"Sensibilidad radiante" (6): es la sensibilidad radiante (mA/W) = 0,807 × (longitud de onda en nm) × eficiencia cuántica (QE).

Nota técnica:

En general, la QE se expresa como porcentaje; no obstante, a efectos de la presente fórmula la QE se expresa como una cifra decimal inferior a la unidad, por ejemplo un 78 % es 0,78.

"Procesamiento en tiempo real" (6): es el procesamiento de datos por un sistema informático, que proporciona un nivel requerido de servicio en función de los recursos disponibles y en un tiempo de respuesta garantizado, sin considerar la carga del sistema, cuando es estimulado por un suceso externo.

"Repetibilidad" (7): es la concordancia entre medidas repetidas de la misma variable bajo las mismas condiciones de funcionamiento cuando se producen cambios en las condiciones o períodos no operativos entre las medidas. (Referencia: IEEE STD 528-2001 [desviación típica de un sigma]).

"Necesaria" (NGT 3 5 6 7 9): aplicado a la "tecnología", se refiere únicamente a la parte específica de la "tecnología" que es particularmente responsable de alcanzar o sobrepasar los niveles de prestaciones, características o funciones sometidos a control. Tal "tecnología""necesaria" puede ser común a diferentes productos.

"Agentes antidisturbios" (1): son sustancias que, utilizadas en las condiciones esperadas de uso como antidisturbios, producen rápidamente en los humanos una irritación sensorial o incapacidad física que desaparecen a los pocos minutos de haber cesado la exposición.

Nota técnica:

Los gases lacrimógenos son un subconjunto de los "agentes antidisturbios".

"Robot" (2 8): es un mecanismo de manipulación que puede ser del tipo de trayectoria continua o de la variedad punto a punto, que puede utilizar sensores y que reúne todas las características siguientes:

• a. es multifuncional
• b. es capaz de posicionar u orientar materiales, piezas, herramientas o dispositivos especiales mediante movimientos variables en un espacio tridimensional
• c. cuenta con tres o más servomecanismos de bucle abierto o cerrado, con la posible inclusión de motores paso a paso y
• d. está dotado de "programabilidad accesible al usuario" por el método de aprendizaje/reproducción o mediante un ordenador electrónico que puede ser un controlador lógico programable, es decir, sin intervención mecánica.

N.B. La definición anterior no incluye los dispositivos siguientes:

• 1. Los mecanismos de manipulación que solo se controlen de forma manual o por teleoperador.
• 2. Los mecanismos de manipulación de secuencia fija que constituyan dispositivos móviles automatizados que funcionen de acuerdo con movimientos programados definidos mecánicamente. El programa debe estar limitado mecánicamente por medio de topes fijos del tipo de vástagos o levas. La secuencia de los movimientos y la selección de las trayectorias o los ángulos no deben ser variables ni modificables por medios mecánicos, electrónicos o eléctricos.
• 3. Los mecanismos de manipulación de secuencia variable controlados mecánicamente que constituyan dispositivos móviles automatizados, que funcionen de acuerdo con movimientos fijos programados mecánicamente. El programa debe estar limitado mecánicamente por medio de topes fijos, pero regulables, del tipo de vástagos o levas. La secuencia de movimientos y la selección de las trayectorias o los ángulos han de ser variables en el marco de la configuración fija programada. Las variaciones o modificaciones de la configuración programada (por ejemplo, el cambio de vástagos o de levas) en uno o varios ejes de movimiento se introducen exclusivamente mediante operaciones mecánicas.
• 4. Los mecanismos de manipulación de secuencia variable sin servocontrol que constituyan dispositivos móviles automatizados, que funcionen de acuerdo con movimientos fijos programados mecánicamente. El programa debe ser variable, pero la secuencia solo avanza en función de una señal binaria procedente de dispositivos binarios eléctricos fijados mecánicamente o topes regulables.
• 5. Las grúas apiladoras definidas como sistemas manipuladores por coordenadas cartesianas, construidos como partes integrantes de un conjunto vertical de estanterías de almacenamiento y diseñados para acceder al contenido de dichas estanterías a efectos de depositar o retirar.

"Cable" (1): es un haz de ‘cordones’ (generalmente de 12 a 120) aproximadamente paralelos.

N.B. El ‘cordón’ es un haz de "monofilamentos" (por lo general, más de 200) colocados en forma aproximadamente paralela.

"Desplazamiento axial periódico radial" (descentrado) (run out) (2): es el desplazamiento radial del husillo principal durante una rotación de este, medido en un plano perpendicular al eje del husillo en un punto de la superficie rotativa externa o interna que va a someterse a ensayo (ref. ISO 230-1:1986, apartado 5.61).

"Velocidad de muestras" (3): en el caso de un convertidor analógico-digital (ADC) es el número máximo de muestras medidas en la entrada analógica a lo largo de un período de un segundo, excepto en el caso de los ADC de muestreo sobredimensionado. En el caso de los ADC de muestreo sobredimensionado, se considerará que la "velocidad de muestras" es la tasa de salida de palabras. La "velocidad de muestras" también se puede denominar velocidad de muestreo, por lo general expresada en megamuestras por segundo (Mega Samples Per Second, MSPS) o gigamuestras por segundo (Giga Samples Per Second, GSPS), o tasa de conversión, por lo general expresada en hercios (Hz).

«Sistema de navegación por satélite» (5 7): sistema, formado por estaciones en tierra, una constelación de satélites y receptores, que permite determinar los lugares de recepción en función de las señales recibidas de los satélites. Incluye sistemas mundiales de navegación por satélite (GNSS) y sistemas regionales de navegación por satélite (RNSS).

"Factor de escala" (giroscopio o acelerómetro) (7): es la relación entre un cambio en la salida y un cambio en la entrada que se pretende medir. El factor de escala se evalúa generalmente como la pendiente de la línea recta que puede ajustarse por el método de los cuadrados mínimos a los datos de entrada-salida obtenidos haciendo variar la entrada de manera cíclica sobre la gama de entrada.

"Analizadores de señales" (3): son instrumentos capaces de medir y presentar visualmente las propiedades fundamentales de los componentes de frecuencia (tonos) de señales multifrecuencia.

"Proceso de señales" (3 4 5 6): es el proceso de señales, derivadas externamente, que contienen información, por medio de algoritmos como compresión de tiempo, filtrado, extracción, selección, correlación, convolución o transformaciones entre dominios (por ejemplo, transformada rápida de Fourier o transformada de Walsh).

"Programas informáticos" (NGPI, Todo): es una colección de uno o más "programas" o ‘microprogramas’ fijada a cualquier soporte tangible de expresión.

N.B. El ‘microprograma’ es una secuencia de instrucciones elementales, contenidas en una memoria especial, cuya ejecución se inicia mediante la introducción de su instrucción de referencia en un registro de instrucción.

"Código fuente" (o lenguaje fuente) (6 7 9): es la expresión adecuada de uno o varios procesos que puede convertirse en forma ejecutable por el equipo ("código objeto" o lenguaje objeto) mediante un sistema de programación.

"Vehículo espacial" (9): son los satélites activos y pasivos y las sondas espaciales.

"Módulo de servicio del vehículo espacial" (9): es el equipo que proporciona la infraestructura de apoyo del "vehículo espacial" y que acoge la "carga útil del vehículo espacial".

"Carga útil del vehículo espacial" (9): es el equipo, fijado al "módulo de servicio del vehículo espacial", diseñado para realizar una misión en el espacio (por ejemplo, comunicaciones, observación o ciencia).

"Calificados para uso espacial" (3 6 7): significa que se han diseñado, fabricado o calificado, mediante ensayos que han tenido éxito, para operar a altitudes de 100 km o más sobre la superficie de la Tierra.

N.B. La determinación de que un producto específico sea "calificado para uso espacial" con arreglo a determinados ensayos no significa que otros productos de la misma serie de producción o de modelos también sean "calificados para uso espacial" si no han sido sometidos a ensayo de forma individual.

"Materiales fisionables especiales" (0): son el plutonio-239, el uranio-233, el "uranio enriquecido en los isótopos 235 o 233" y cualquier material que contenga los anteriores.

"Módulo específico" (0 1 9): es el módulo de Young medido en pascales, equivalente a N/m2 divididos por el peso específico en N/m3, medido a una temperatura de (296 ± 2) K ([23 ± 2] °C) y a una humedad relativa del (50 ± 5) %.

"Resistencia específica a la tracción" (0 1 9): es la resistencia a la rotura por tracción medida en pascales, equivalente a N/m2 divididos por el peso específico en N/m3, medido a una temperatura de (296 ± 2) K ([23 ± 2] °C) y a una humedad relativa del (50 ± 5) %.

"Giroscopios por masa giratoria" (7): son giroscopios que utilizan una masa en rotación continua para medir el movimiento angular.

"Espectro ensanchado" (5): es una técnica mediante la cual la energía de un canal de comunicaciones de banda relativamente estrecha se extiende sobre un espectro de energía mucho más ancho.

"Espectro ensanchado" de radar, (6): véase "radar, espectro ensanchado".

"Estabilidad" (7): es la desviación típica (1 sigma) de la variación de un parámetro determinado respecto de su valor calibrado, medido en condiciones de temperatura estables. Puede expresarse en función del tiempo.

"Estados Parte/Estados que no son Parte de la Convención sobre Armas Químicas" (1): son aquellos Estados en los que ha entrado en vigor/no ha entrado en vigor la Convención sobre la Prohibición del Desarrollo, la Producción, el Almacenamiento y el Empleo de Armas Químicas. (Véase www.opcw.org.)

"Régimen constante" (9): las condiciones de funcionamiento del motor, cuando los parámetros del motor como empuje/potencia, rpm y otros, no presentan fluctuaciones apreciables y cuando la temperatura ambiente y la presión en la abertura de admisión del motor permanecen constantes.

"Nave suborbital" (9): es una nave con una cabina o bodega, diseñada para el transporte de personas o mercancías y para:

• a. operar por encima de la estratosfera;
• b. seguir una trayectoria no orbital; y
• c. aterrizar en la Tierra con las personas o mercancías intactas.

"Sustrato" (3): es una lámina de material de base con una estructura de interconexión o sin ella y sobre la cual, o dentro de la cual, se pueden situar ‘componentes discretos’, circuitos integrados o ambas cosas.

N.B. 1. Un ‘componente discreto’ es un ‘elemento de circuito’ encapsulado por separado, con sus propias conexiones exteriores.

N.B. 2. Un ‘elemento de circuito’ es una sola pieza funcional activa o pasiva de un circuito electrónico, como un diodo, un transistor, una resistencia, un condensador, etc.

"Sustratos en bruto" (3 6): son compuestos monolíticos de dimensiones adecuadas para la fabricación de elementos ópticos tales como espejos o ventanas ópticas.

"Subunidad de toxina" (1): es un componente estructuralmente y funcionalmente discreto de una "toxina" entera.

"Superaleaciones" (2 9): son aleaciones a base de níquel, cobalto o hierro que presentan una longevidad a la rotura por sobretensiones superior a 1 000 horas a 400 MPa y una resistencia a la rotura por tracción superior a 850 MPa, a 922 K (649 °C) o más.

"Superconductores" (1 3 5 6 8): son materiales, esto es, metales, aleaciones o compuestos que pueden perder totalmente la resistencia eléctrica, es decir, que pueden alcanzar una conductividad eléctrica infinita y transportar corrientes eléctricas muy grandes sin calentamiento Joule.

N.B. El estado "superconductor" de un material se caracteriza individualmente por una "temperatura crítica", un campo magnético crítico que es una función de la temperatura, y una densidad de corriente crítica que es una función del campo magnético y de la temperatura.

"Láser de muy alta potencia" ("SHPL") (6): es un "láser" capaz de emitir (la totalidad o una parte de) una energía de salida que exceda de 1 kJ dentro de 50 ms o que tenga una potencia media o en ondas continuas superior a 20 kW.

"Conformación superplástica" (1 2): es un procedimiento de deformación en el que se utiliza calor para metales que se caracterizan normalmente por valores de alargamiento bajos (menos del 20 %) en el punto de ruptura, determinado a temperatura ambiente de acuerdo con los ensayos convencionales de resistencia a la tracción, con objeto de conseguir durante el tratamiento alargamientos de al menos el doble de dichos valores.

"Algoritmo simétrico" (5): es un algoritmo criptográfico que requiere una clave idéntica para el cifrado y el descifrado.

N.B. Un uso común de los "algoritmos simétricos" es la confidencialidad de los datos.

"Cinta" (1): es un material construido de "monofilamentos", ‘cordones’, "cables", "cabos" o "hilos", etc., entrelazados o unidireccionales, generalmente preimpregnados con resina.

N.B. El ‘cordón’ es un haz de "monofilamentos" (por lo general, más de 200) colocados en forma aproximadamente paralela.

"Tecnología" (NGT NTN Todo): es la información específica necesaria para el "desarrollo", la "producción" o la "utilización" de un producto. Puede adoptar la forma de ‘datos técnicos’ o de ‘asistencia técnica’.

N.B. 1. La ‘asistencia técnica’ puede adoptar la modalidad de instrucción, transmisión de competencias, formación, conocimientos prácticos, servicios consultivos y podrá entrañar la transferencia de ‘datos técnicos’.

N.B. 2. Los ‘datos técnicos’ pueden adoptar la modalidad de copias heliográficas, planos, diagramas, modelos, fórmulas, tablas, diseño y especificaciones de ingeniería, manuales e instrucciones escritas o registradas en otros medios o soportes tales como discos, cintas o memorias ROM.

"Circuito integrado tridimensional" (3): se refiere a una recopilación de cubos de semiconductor o capas de dispositivo activas, integrados conjuntamente, y dotados de conexiones, a través del semiconductor, que pasan completamente a través de un interponedor, un sustrato, un cubo o una capa, para establecer interconexiones entre las capas del dispositivo. Un interponedor es una interfaz que permite conexiones eléctricas.

"Husillo basculante" (2): es un husillo portaherramientas que modifica, durante el proceso de mecanizado, la posición angular de su eje de referencia con respecto a cualquier otro eje.

"Constante de tiempo" (6): es el tiempo transcurrido entre la aplicación de un estímulo y el momento en el que el aumento de corriente alcanza un valor de 1-1/e veces el valor final (es decir, el 63 % del valor final).

"Tiempo hasta el estado estable" (6): (también denominado tiempo de respuesta del gravímetro) es el período durante el cual se reducen las perturbaciones producidas por las aceleraciones que haya inducido la plataforma (ruido de alta frecuencia).

"Carenado de extremo" (9): es un componente estacionario anular (en una pieza o segmentado) fijado a la superficie interna de la carcasa de la turbina del motor o una parte del extremo exterior del álabe, que sirve fundamentalmente como sellado contra gases entre los componentes estacionarios y rotatorios.

"Control total de vuelo" (7): es un control automático de las variables de situación y de la trayectoria de vuelo de una "aeronave" para el cumplimiento de misiones objetivas, que responde en tiempo real a los cambios de los datos correspondientes a los objetivos, riesgos u otra "aeronave".

"Tasa de transferencia digital total" (5): es el número de bits, incluidos los de codificación en línea, los de encabezamiento, etc., por unidad de tiempo, que pasan entre los equipos correspondientes, en un sistema de transmisión digital.

"Hilo" (1): es un haz de ‘cordones’ retorcidos.

N.B. El ‘cordón’ es un haz de "monofilamentos" (por lo general, más de 200) colocados en forma aproximadamente paralela.

PARTE II
Categoría 0

CATEGORÍA 0. MATERIALES, INSTALACIONES Y EQUIPOS NUCLEARES

0ASistemas, equipos y componentes

0A001

"Reactores nucleares" y equipos y componentes especialmente diseñados o preparados para los mismos, según se indica:

• a. "Reactores nucleares"
• b. Recipientes metálicos o piezas importantes manufacturadas de estos, incluida la cabeza del recipiente de presión del reactor, especialmente diseñados o preparados para contener el núcleo de un "reactor nuclear"
• c. Equipos de manipulación especialmente diseñados o preparados para cargar y descargar el combustible en un "reactor nuclear"
• d. Barras de control diseñadas especialmente o preparadas para el control del proceso de fisión en un "reactor nuclear", las estructuras de apoyo o suspensión de las mismas y los tubos guía de las barras de control
• e. Tubos de presión especialmente diseñados o preparados para contener los elementos combustibles y el refrigerante primario en un "reactor nuclear"
• f. Tubos (o ensamblajes de tubos) de circonio metálico o de aleaciones de circonio especialmente diseñados o preparados para su utilización como tubos de revestimiento de combustible en un "reactor nuclear" y en cantidades que excedan de 10 kg
  N.B. Para los tubos de presión de circonio, véase el subartículo 0A001.e y para los tubos de calandria, véase el subartículo 0A001.h.
• g. Bombas o circuladores de refrigerante especialmente diseñadas o preparadas para hacer circular el refrigerante primario en "reactores nucleares"
• h. ‘Componentes internos de reactor nuclear’ especialmente diseñados o preparados para su utilización en un "reactor nuclear", incluidas las columnas de apoyo del núcleo, los canales de combustible, los tubos de calandria, los blindajes térmicos, las placas deflectoras, las placas para el reticulado del núcleo y las placas difusoras
  Nota técnica:
  En el subartículo 0A001.h, ‘componentes internos de reactor nuclear’ se refiere a cualquier estructura importante en una vasija de reactor que desempeñe una o más funciones tales como el apoyo del núcleo, el mantenimiento de la alineación del combustible, la orientación del flujo refrigerante primario, el suministro de blindajes de radiación para la vasija del reactor y la dirección de la instrumentación en el núcleo.
• i. Intercambiadores de calor, según se indica:
  • 1. Generadores de vapor especialmente diseñados o preparados para el circuito de refrigerante primario o intermedio de un "reactor nuclear"
  • 2. Otros intercambiadores de calor especialmente diseñados o preparados para su utilización en el circuito de refrigerante primario de un "reactor nuclear"
  
  Nota: El subartículo 0A001.i no somete a control los intercambiadores de calor para sistemas de apoyo del reactor, p. ej. el sistema de refrigeración de emergencia o el sistema de refrigeración del calor de desintegración.
• j. Detectores de neutrones, especialmente diseñados o preparados para determinar los niveles de flujo de neutrones en el núcleo de un "reactor nuclear"
• k. ‘Blindajes térmicos exteriores’ especialmente diseñados o preparados para su utilización en un "reactor nuclear" para la reducción de las pérdidas de calor y también para la protección del recipiente de contención.

Nota técnica:

En el subartículo 0A001.k, ‘blindajes térmicos exteriores’ se refiere a las estructuras principales situadas por encima del recipiente del reactor que reducen las pérdidas de calor del reactor y disminuyen la temperatura en el recipiente de contención.

0B Equipos de ensayo, inspección y producción

0B001

Plantas para la separación de isótopos de "uranio natural", "uranio empobrecido" o "materiales fisionables especiales", y equipos y componentes especialmente diseñados o preparados para ello, según se indica:

• a. Plantas diseñadas especialmente para la separación de isótopos de "uranio natural", "uranio empobrecido" o "materiales fisionables especiales", según se indica:
  • 1. Plantas de separación por centrifugación gaseosa
  • 2. Plantas de separación por difusión gaseosa
  • 3. Plantas de separación aerodinámica
  • 4. Plantas de separación por intercambio químico
  • 5. Plantas de separación por intercambio de iones
  • 6. Plantas de separación de isótopos por "láser" de vapor atómico
  • 7. Plantas de separación de isótopos por "láser" molecular
  • 8. Plantas de separación de plasma
  • 9. Plantas de separación electromagnética
• b. Centrifugadoras de gas y conjuntos y componentes, especialmente diseñados o preparados para procesos de separación por centrifugación gaseosa, según se indica:
  Nota técnica:
  En el subartículo 0B001.b, ‘materiales de elevada relación resistencia/densidad’ se refiere a cualquiera de los siguientes:
  • 1. Acero martensítico envejecido capaz de oponer una resistencia a la rotura por tracción de 1,95 GPa o más;
  • 2. Aleaciones de aluminio capaces de oponer una resistencia a la rotura por tracción de 0,46 GPa o más; o
  • 3. ‘Materiales fibrosos o filamentosos’ con un "módulo específico" superior a 3,18 × 106 m y una "resistencia específica a la tracción" superior a 7,62 × 104 m.
    • 1. Centrifugadoras de gas
    • 2. Conjuntos rotores completos
    • 3. Cilindros para tubos rotores con un espesor de paredes de 12 mm o menos y un diámetro de entre 75 mm y 650 mm, fabricados con ‘materiales de elevada relación resistencia/densidad’
    • 4. Anillos o fuelles con un espesor de paredes de 3 mm como máximo y con un diámetro de entre 75 mm y 650 mm, diseñados para reforzar localmente un tubo rotor o para unir varios de ellos y fabricados con ‘materiales de elevada relación resistencia/densidad’
    • 5. Pantallas con un diámetro de entre 75 mm y 650 mm, para ser montadas dentro del tubo rotor y fabricadas con ‘materiales de elevada relación resistencia/densidad’
    • 6. Tapones superiores e inferiores con un diámetro de entre 75 mm y 650 mm para ajustarse a los extremos del tubo rotor, fabricados con ‘materiales de elevada relación resistencia/densidad’
    • 7. Soportes magnéticos de suspensión, según se indica:
      • a. Conjuntos de soportes consistentes en un electroimán anular suspendido en un marco protegido o construido con "materiales resistentes a la corrosión por UF6" y que contiene un medio amortiguador. El imán se acopla con una pieza polo o con un segundo imán ajustado a la tapa superior del rotor
      • b. Soportes magnéticos activos especialmente diseñados o preparados para su uso en centrifugadoras de gas
    • 8. Soportes preparados especialmente que comprenden un conjunto pivote/copa montado en un amortiguador
    • 9. Bombas moleculares compuestas de cilindros con surcos helicoidales mecanizados o extrudidos internamente y con orificios mecanizados internamente
    • 10. Estatores, de forma anular, destinados a motores multifásicos de corriente alterna por histéresis (o reluctancia) para un funcionamiento síncrono en el vacío en la gama de frecuencias de 600 Hz o superior y una potencia de 40 VA o superior
    • 11. Recipientes/cajas de centrifugadoras para alojar el conjunto del tubo rotor de una centrifugadora de gas, consistente en un cilindro rígido de espesor de pared de hasta 30 mm con extremos mecanizados con precisión que son paralelos entre sí y perpendiculares al eje longitudinal del cilindro en 0,05° o menos
    • 12. Paletas consistentes en tubos especialmente diseñados o preparados para la extracción de gas UF6 del tubo rotor, por acción de un tubo de Pitot, que puedan fijarse al sistema central de extracción de gas
    • 13. Cambiadores de frecuencia (convertidores o inversores) especialmente diseñados o preparados para alimentar los estatores de motores para el enriquecimiento por centrifugación gaseosa, que posean todas las características, y los componentes diseñados especialmente para ellos que se indican a continuación:
      • a. Salida eléctrica multifásica de frecuencia igual o superior a 600 Hz, y
      • b. Elevada estabilidad (con control de frecuencia superior a 0,2 %)
    • 14. Válvulas de cierre y de control, según se indica:
      • a. Válvulas de cierre especialmente diseñadas o preparadas para actuar en la alimentación, el producto o las colas de flujos gaseosos de UF6 de una centrifugadora individual de gas
      • b. Válvulas de fuelle con anillo de sello, cierre o control, fabricadas o protegidas con "materiales resistentes a la corrosión por UF6", con un diámetro interior de entre 10 mm y 160 mm, especialmente diseñadas o preparadas para su utilización en los sistemas principales o auxiliares de plantas de enriquecimiento por centrifugación gaseosa
• c. Equipos y componentes especialmente diseñados o preparados para procesos de separación por difusión gaseosa, según se indica:
  • 1. Barreras de difusión gaseosa fabricadas con "materiales resistentes a la corrosión por UF6" porosos metálicos, polímeros o cerámicos, con un tamaño de poro de 10 a 100 nm, un espesor de 5 mm como máximo y, para aquellas de forma tubular, un diámetro de 25 mm como máximo
  • 2. Cajas de difusores gaseosos, fabricados o protegidos con "materiales resistentes a la corrosión por UF6"
  • 3. Compresores o sopladores de gas con una capacidad de aspiración de 1 m3/min o mayor de UF6, una presión de descarga de hasta 500 kPa y una ratio de presión de 10:1 como máximo, que hayan sido fabricados o protegidos con "materiales resistentes a la corrosión por UF6"
  • 4. Obturadores para ejes de rotación destinados a los compresores o sopladores especificados en el subartículo 0B001.c.3 y diseñados para una tasa de penetración de gas separador inferior a 1 000 cm3/min
  • 5. Intercambiadores de calor fabricados o protegidos con "materiales resistentes a la corrosión por UF6", y diseñados para una tasa de presión de fuga inferior a 10 Pa por hora bajo una diferencia de presión de 100 kPa
  • 6. Válvulas de fuelle con anillo de sello, manuales o automáticas, de cierre o control, fabricadas o protegidas con "materiales resistentes a la corrosión por UF6"
• d. Equipos y componentes, según se indica, especialmente diseñados o preparados para procesos de separación aerodinámica:
  • 1. Toberas de separación, formadas por canales curvos en forma de ranura con un radio de curvatura inferior a 1 mm, resistentes a la corrosión por UF6 y en cuyo interior hay una cuchilla que separa en dos el flujo de gas que circula por la tobera
  • 2. Tubos cilíndricos o cónicos (tubos vorticiales), fabricados o protegidos con "materiales resistentes a la corrosión por UF6", con una o más entradas tangenciales
  • 3. Compresores o sopladores de gas hechos de, o protegidos con, "materiales resistentes a la corrosión por UF6" y los obturadores para sus ejes de rotación
  • 4. Intercambiadores de calor fabricados o protegidos con "materiales resistentes a la corrosión por UF6"
  • 5. Cajas de los elementos de separación, fabricadas o protegidas con "materiales resistentes a la corrosión por UF6", para alojar los tubos vorticiales o las toberas de separación
  • 6. Válvulas de fuelle con anillo de sello, manuales o automáticas, de cierre o control, fabricadas o protegidas con "materiales resistentes a la corrosión por UF6", con un diámetro igual o superior a 40 mm
  • 7. Sistemas de proceso para la separación del UF6 del gas portador (hidrógeno o helio) hasta 1 ppm de contenido máximo de UF6, incluyendo:
    • a. Intercambiadores de calor criogénicos y crioseparadores capaces de alcanzar temperaturas de 153 K (- 120 °C) como máximo
    • b. Unidades refrigeradoras criogénicas capaces de alcanzar temperaturas de 153 K (- 120 °C) como máximo
    • c. Toberas de separación o tubos vorticiales para separar el UF6 del gas portador
    • d. Trampas frías de UF6 capaces de congelar UF6
• e. Equipos y componentes, según se indica, especialmente diseñados o preparados para procesos de separación por intercambio químico:
  • 1. Columnas pulsatorias de intercambio rápido líquido-líquido con tiempo de residencia correspondiente a una etapa de 30 segundos como máximo y resistentes al ácido clorhídrico concentrado (por ejemplo, fabricados o protegidos con materiales plásticos apropiados, tales como los polímeros de hidrocarburo fluorado o vidrio)
  • 2. Contactores centrífugos de intercambio rápido líquido-líquido con un tiempo de residencia correspondiente a una etapa de 30 segundos como máximo y resistentes al ácido clorhídrico concentrado (por ejemplo, fabricados o protegidos con materiales plásticos apropiados, tales como polímeros de fluorocarbono o vidrio)
  • 3. Celdas de reducción electroquímica resistentes a las soluciones de ácido clorhídrico concentrado para reducir uranio de un estado de valencia a otro
  • 4. Equipos destinados a la alimentación de las celdas de reducción electroquímica para separar el U+4 de la corriente orgánica y, en el caso de las partes en contacto con la corriente del proceso, hechos o protegidos por materiales adecuados (por ejemplo, vidrio, polímeros de hidrocarburos fluorados, sulfato de polifenilo, sulfonas de poliéter y grafito impregnado con resina)
  • 5. Sistemas de preparación de la alimentación encaminados a producir soluciones de cloruro de uranio de elevada pureza consistentes en la disolución, la extracción del solvente y/o los equipos de intercambio de iones para purificación y celdas electrolíticas para reducir el uranio U+6 o U+4 a U+3
  • 6. Sistemas de oxidación del uranio para la oxidación del U+3 a U+4
• f. Equipos y componentes, según se indica, especialmente diseñados o preparados para procesos de separación por intercambio de iones:
  • 1. Resinas de intercambio iónico de reacción rápida, peliculares o macrorreticulares porosas, en las que los grupos de intercambio químico activo están limitados a un revestimiento superficial en un soporte poroso inactivo, y otras estructuras de materiales compuestos (composites) en cualquier forma adecuada, incluyendo partículas o fibras con diámetros de 0,2 mm como máximo, resistentes al ácido clorhídrico concentrado y diseñadas para tener una tasa de intercambio de tiempo de semirreacción menor de 10 segundos y capaces de funcionar a temperaturas en la gama de entre 373 K (100 °C) y 473 K (200 °C)
  • 2. Columnas de intercambio iónico (cilíndricas) con un diámetro mayor de 1 000 mm, hechas de, o protegidas con, materiales resistentes al ácido clorhídrico concentrado (por ejemplo titanio o plásticos de fluorocarbono) y capaces de funcionar a temperaturas en la gama de entre 373 K (100 °C) y 473 K (200 °C) y presiones superiores a 0,7 MPa
  • 3. Sistemas de reflujo para el intercambio iónico (sistemas de oxidación o reducción, químicos o electroquímicos) para la regeneración del agente químico oxidante o reductor utilizado en las cascadas de enriquecimiento por intercambio iónico
• g. Equipos y componentes especialmente diseñados o preparados para procesos de separación basados en láser que utilizan separación de isótopos por láser de vapor atómico, según se indica:
  • 1. Sistemas de vaporización de uranio metálico destinados a alcanzar una potencia de salida de 1 kW o más en el objetivo para su uso en el enriquecimiento por láser
  • 2. Sistemas de manipulación de uranio metálico en forma líquida o de vapor, especialmente diseñados o preparados con objeto de manejar el uranio fundido, las aleaciones de uranio fundido o el vapor de uranio metálico para su uso en el enriquecimiento por láser, y componentes diseñados especialmente para ellos
    N.B. VÉASE TAMBIÉN EL ARTÍCULO 2A225.
  • 3. Sistemas colectores de productos y colas para la recogida de uranio metálico en forma líquida o sólida, fabricados o protegidos con materiales resistentes al calor y a la corrosión por uranio metálico en forma líquida o de vapor, como el grafito revestido con itria o el tántalo
  • 4. Cajas de módulo separador (vasijas cilíndricas o rectangulares) para contener la fuente de vapor de uranio metálico, el cañón de haz electrónico y los colectores del producto y de las colas
  • 5. "Láseres" o sistemas de "láser" especialmente diseñados o preparados para la separación de los isótopos de uranio con un estabilizador del espectro de frecuencias que les permita funcionar durante períodos de tiempo prolongados
  
  N.B. VÉANSE TAMBIÉN LOS ARTÍCULOS 6A005 Y 6A205.
• h. Equipos y componentes especialmente diseñados o preparados para procesos de separación basados en láser que utilizan separación de isótopos por láser molecular, según se indica:
  • 1. Toberas de expansión supersónica para enfriar mezclas de UF6 y gas portador a 150 K (- 123 °C) como máximo y hechas de "materiales resistentes a la corrosión por UF6"
  • 2. Componentes o dispositivos colectores de productos o colas especialmente diseñados o preparados para la recogida de material de uranio o material de colas de uranio tras la iluminación con luz láser, fabricados con "materiales resistentes a la corrosión por UF6"
  • 3. Compresores hechos de, o protegidos con, "materiales resistentes a la corrosión por UF6" y los obturadores de sus ejes de rotación
  • 4. Equipos para fluorar UF5 (sólido) convirtiéndolo en UF6 (gas)
  • 5. Sistemas de procesamiento para la separación del UF6 del gas portador (por ejemplo nitrógeno o argón u otro gas), incluido lo siguiente:
    • a. Intercambiadores de calor criogénicos y crioseparadores capaces de alcanzar temperaturas de 153 K (- 120 °C) como máximo
    • b. Unidades refrigeradoras criogénicas capaces de alcanzar temperaturas de 153 K (- 120 °C) como máximo
    • c. Trampas frías de UF6 capaces de congelar UF6
  • 6. "Láseres" o sistemas de "láser" especialmente diseñados o preparados para la separación de los isótopos de uranio con un estabilizador del espectro de frecuencias que les permita funcionar durante períodos de tiempo prolongados
  
  N.B. VÉANSE TAMBIÉN LOS ARTÍCULOS 6A005 Y 6A205.
• i. Equipos y componentes, según se indica, especialmente diseñados o preparados para procesos de separación en un plasma:
  • 1. Fuentes de energía para microondas y antenas encaminadas a producir o acelerar iones, con frecuencias de salida superiores a 30 GHz y potencia de salida media superior a 50 kW
  • 2. Bobinas excitadoras de iones por radiofrecuencias, para frecuencias superiores a 100 kHz, y capaces de funcionar con potencias medias superiores a 40 kW
  • 3. Sistemas generadores de plasma de uranio
  • 4. Sin uso
  • 5. Sistemas colectores de productos y colas de uranio metálico en forma sólida, fabricados o protegidos con materiales resistentes al calor y a la corrosión por uranio en forma de vapor, como el grafito revestido con itria o el tántalo
  • 6. Cajas de módulos separadores (cilíndricos) para alojar la fuente de plasma de uranio, la bobina excitadora de radiofrecuencia y los colectores del producto y las colas, hechos con un material adecuado que no sea magnético (por ejemplo, acero inoxidable)
• j. Equipos y componentes, especialmente diseñados o preparados para el proceso de separación electromagnética, según se indica:
  • 1. Fuentes de iones, únicas o múltiples, consistentes en una fuente de vapor, un ionizador y un acelerador de haz, hechas de unos materiales apropiados que no sean magnéticos (por ejemplo, grafito, acero inoxidable o cobre) y capaces de proporcionar una corriente iónica de haz total de 50 mA o superior
  • 2. Placas colectoras de iones para recoger haces de iones de uranio enriquecido o empobrecido, formadas por dos o más ranuras y bolsas (slits and pockets) y hechas de materiales adecuados que no sean magnéticos (por ejemplo, grafito o acero inoxidable)
  • 3. Cajas de vacío para los separadores electromagnéticos del uranio hechas de materiales que no sean magnéticos (por ejemplo, acero inoxidable) y diseñadas para funcionar a presiones de 0,1 Pa como máximo
  • 4. Piezas polares de los imanes con un diámetro superior a 2 m
  • 5. Fuentes de alimentación de alta tensión para las fuentes de iones, que posean todas las características siguientes:
    • a. Aptas para un funcionamiento continuo
    • b. Tensión de salida de 20 000 V o superior
    • c. Corriente de salida de 1 A o superior, y
    • d. Regulación de la tensión mejor que 0,01 % en un período de 8 horas
    
    N.B. VÉASE TAMBIÉN EL ARTÍCULO 3A227.
  • 6. Fuentes de alimentación para imanes (alta potencia, corriente continua) que presenten todas las características siguientes:
    • a. Aptas para un funcionamiento continuo con una corriente de salida de 500 A o superior a una tensión de 100 V o superior, y
    • b. Regulación de corriente o tensión mejor que 0,01 % en un período de 8 horas.

N.B. VÉASE TAMBIÉN EL ARTÍCULO 3A226.

0B002

Sistemas, equipos y componentes auxiliares especialmente diseñados o preparados, según se indica, para las plantas de separación de isótopos especificadas en el artículo 0B001, que hayan sido fabricados con, o protegidos por, "materiales resistentes a la corrosión por UF6":

• a. Autoclaves de alimentación, hornos o sistemas usados para introducir el UF6 en el proceso de enriquecimiento
• b. Desublimadores o trampas frías, utilizados para extraer el UF6 del proceso de enriquecimiento para la posterior transferencia una vez calentado
• c. Estaciones para el producto y las colas para transferir UF6 a contenedores
• d. Estaciones de licuefacción o solidificación, utilizadas para extraer el UF6 del proceso de enriquecimiento mediante la compresión, la refrigeración y la conversión del UF6 a una forma líquida o sólida
• e. Sistemas de tuberías y sistemas de colectores especialmente diseñados o preparados para manipular el UF6, dentro de las cascadas de difusión gaseosa, de centrifugación o aerodinámicas
• f. Bombas y sistemas de vacío, según se indica:
  • 1. Distribuidores de vacío, colectores de vacío o bombas de vacío con una capacidad de aspiración igual o superior a 5 m3/min
  • 2. Bombas de vacío diseñadas especialmente para funcionar en ambientes que contengan UF6, fabricadas o protegidas con "materiales resistentes a la corrosión por UF6", o
  • 3. Sistemas de vacío que comprendan distribuidores de vacío, colectores de vacío y bombas de vacío, y que hayan sido diseñados para funcionar en ambientes que contengan UF6
• g. Espectrómetros de masas para UF6/fuentes de iones que puedan tomar muestras en línea de flujos de UF6 y que reúnan todas las características siguientes:
  • 1. Ser capaces de medir iones de 320 unidades de masa atómica o superiores, y que tengan una resolución mayor de una parte por 320
  • 2. Fuentes de iones construidas o revestidas con níquel, aleaciones de cuproníquel con un contenido de níquel superior o igual al 60 % en peso, o aleaciones de níquel y cromo
  • 3. Fuentes de ionización por bombardeo electrónico, y
  • 4. Estar provistos de un sistema colector apropiado para el análisis isotópico.

0B003

Plantas para la conversión de uranio y equipos especialmente diseñados o preparados para ellas, según se indica:

• a. Sistemas para la conversión de concentrado de mena de uranio en UO3
• b. Sistemas para la conversión de UO3 en UF6
• c. Sistemas para la conversión de UO3 en UO2
• d. Sistemas para la conversión de UO2 en UF4
• e. Sistemas para la conversión de UF4 en UF6
• f. Sistemas para la conversión de UF4 en uranio metálico
• g. Sistemas para la conversión de UF6 en UO2
• h. Sistemas para la conversión de UF6 en UF4
• i. Sistemas para la conversión de UO2 en UCl4.

0B004

Plantas para la producción o concentración de agua pesada, deuterio y compuestos de deuterio y equipos y componentes especialmente diseñados o preparados para ello, según se indica:

• a. Plantas para la producción de agua pesada, deuterio o compuestos de deuterio, según se indica:
  • 1. Plantas de intercambio de sulfuro de hidrógeno-agua
  • 2. Plantas de intercambio de amoniacohidrógeno
• b. Equipos y componentes según se indica:
  • 1. Torres de intercambio de sulfuro de hidrógeno-agua con un diámetro igual o superior a 1,5 m, capaces de funcionar a presiones superiores o iguales a 2 MPa
  • 2. Sopladores o compresores centrífugos, de etapa única y baja presión (es decir, 0,2 MPa), para la circulación de sulfuro de hidrógeno gaseoso (es decir, gas que contiene más del 70 % en peso de sulfuro de hidrógeno, H2S) con una capacidad de caudal superior o igual a 56 m3/segundo al funcionar a presiones de aspiración superiores o iguales a 1,8 MPa, que tienen juntas diseñadas para trabajar en un medio húmedo con H2S
  • 3. Torres de intercambio amoníaco-hidrógeno de altura superior o igual a 35 m y diámetro de 1,5 m a 2,5 m capaces de funcionar a presiones mayores de 15 MPa
  • 4. Partes internas de las torres, que comprenden contactores de etapa y bombas de etapa, incluidas las bombas sumergibles, para la producción de agua pesada por el proceso de intercambio amoníaco-hidrógeno
  • 5. Fraccionadores de amoníaco con presiones de funcionamiento superiores o iguales a 3 MPa para la producción de agua pesada por el proceso de intercambio amoníaco-hidrógeno
  • 6. Analizadores de absorción infrarroja capaces de realizar análisis en línea de la razón hidrógeno/deuterio cuando las concentraciones de deuterio son superiores o iguales a 90 % en peso
  • 7. Quemadores catalíticos para la conversión en agua pesada del deuterio gaseoso enriquecido por el proceso de intercambio amoníaco-hidrógeno
  • 8. Sistemas completos de enriquecimiento del agua pesada, o columnas para ellos, para elevar la concentración en deuterio del agua pesada hasta la de utilización en reactores
  • 9. Convertidores de síntesis de amoníaco o unidades de síntesis diseñadas especialmente o preparadas para la producción de agua pesada por el proceso de intercambio amoniaco-hidrógeno.

0B005

Plantas diseñadas especialmente para la fabricación de elementos combustibles para "reactores nucleares" y equipos especialmente diseñados o preparados para ellas.

Nota técnica:

Las plantas para la fabricación de elementos combustibles del "reactor nuclear" incluyen equipos que:

• 1. Normalmente están en contacto directo, o procesan o controlan directamente el flujo de producción de materiales nucleares
• 2. Sellan herméticamente los materiales nucleares dentro de la vaina
• 3. Comprueban la integridad de la vaina o el sellado
• 4. Comprueban el tratamiento de acabado del combustible sellado o
• 5. Se utilizan para reunir elementos de reactores.

0B006

Plantas para el reprocesado de elementos combustibles irradiados de "reactores nucleares", así como equipos y componentes especialmente diseñados o preparados para ellas.

Nota: El artículo 0B006 incluye:

• a. Las plantas para el reprocesado de elementos combustibles irradiados de "reactores nucleares", incluidos los equipos y componentes que normalmente están en contacto directo con el combustible irradiado y los flujos de procesado de los principales materiales nucleares y productos de fisión, y los controlan directamente
• b. Los aparatos de desenvainado y las máquinas troceadoras o desmenuzadoras de elementos combustibles, es decir, equipos accionados a distancia para cortar, trocear o cizallar conjuntos, haces o varillas de combustible irradiado de "reactores nucleares"
• c. Los recipientes de disolución, utilicen o no aparatos mecánicos, especialmente diseñados o preparados para la disolución del combustible irradiado de "reactores nucleares", capaces de resistir líquidos calientes y altamente corrosivos, y que puedan ser cargados, operados y mantenidos a distancia
• d. Los extractores por disolvente, como columnas pulsatorias o de relleno, mezcladores-sedimentadores, o contactores centrífugos, resistentes a los efectos corrosivos del ácido nítrico y especialmente diseñados o preparados para emplearse en plantas destinadas al reprocesado de "uranio natural" irradiado, "uranio empobrecido" o "materiales fisionables especiales"
• e. Los recipientes de recogida o de almacenamiento diseñados especialmente para ser seguros en condiciones críticas y resistentes a los efectos corrosivos del ácido nítrico.
  Nota técnica:
  Los recipientes de recogida o de almacenamiento pueden presentar las características siguientes:
  • 1. Paredes o estructuras internas con un equivalente de boro (calculado para todos los elementos constitutivos tal como se definen en la nota del artículo 0C004) de al menos un dos por ciento
  • 2. Un diámetro máximo de 175 mm en el caso de los recipientes cilíndricos, o
  • 3. Una anchura máxima de 75 mm en el caso de recipientes anulares o de poca altura
• f. Sistemas de medición de neutrones, especialmente diseñados o preparados para su integración y uso con sistemas de control de procesos automatizados en plantas para el reprocesado de "uranio natural" irradiado, "uranio empobrecido" o "materiales fisionables especiales".

0B007

Plantas para la conversión del plutonio, así como equipos y componentes especialmente diseñados o preparados para ellas, según se indica:

• a. Sistemas para la conversión de nitrato de plutonio a óxido
• b. Sistemas para la producción de plutonio metal.

0C Materiales

0C001

"Uranio natural", "uranio empobrecido" o torio en forma de metal, aleación, compuesto químico o concentrado, así como cualquier otro material que contenga uno o más de los anteriores.

Nota: El artículo 0C001 no somete a control lo siguiente:

• a. Cuatro gramos o menos de "uranio natural" o "uranio empobrecido" cuando estén contenidos en un elemento sensor de un instrumento
• b. "Uranio empobrecido" fabricado especialmente para las siguientes aplicaciones civiles no nucleares:
  • 1. Blindajes
  • 2. Embalajes
  • 3. Lastres de masa no superior a 100 kg
  • 4. Contrapesos de masa no superior a 100 kg
• c. Aleaciones que contengan menos del 5 % de torio
• d. Productos de cerámica que contengan torio, fabricados para aplicaciones no nucleares.

0C002

"Materiales fisionables especiales".

Nota: El artículo 0C002 no somete a control cuatro "gramos efectivos" o menos cuando estén contenidos en el elemento sensor de un instrumento.

0C003

Deuterio, agua pesada (óxido de deuterio) y otros compuestos del deuterio, así como mezclas y soluciones que contengan deuterio, en las que la razón isotópica entre deuterio e hidrógeno sea superior a 1:5 000.

0C004

Grafito con un nivel de pureza superior a 5 partes por millón de ‘equivalente de boro’ y con una densidad superior a 1,50 g/cm3 para su utilización en un "reactor nuclear", y en cantidades que excedan de 1 kg.

N.B. VÉASE TAMBIÉN EL ARTÍCULO 1C107.

Nota 1: A efectos del control de las exportaciones, las autoridades competentes del Estado miembro de la UE en el que esté establecido el exportador determinarán si las exportaciones de grafito que cumplan las especificaciones anteriores son para uso en un "reactor nuclear". El artículo 0C004 no somete a control el grafito con un nivel de pureza superior a 5 partes por millón de ‘equivalente de boro’ y con una densidad superior a 1,50 g/cm3 no destinado a ser utilizado en un "reactor nuclear".

Nota 2: En el artículo 0C004, el ‘equivalente de boro’ (BE) se define como la suma de BEz para las impurezas (excluido el BEcarbono, ya que el carbono no se considera una impureza), incluido el boro, siendo:

BEZ (ppm) = CF × concentración del elemento Z en ppm;

y σB y σZ las secciones eficaces de captura de neutrones térmicos (en barnios) del boro producido naturalmente y del elemento Z, respectivamente; y AB y AZ las masas atómicas del boro producido naturalmente y del elemento Z, respectivamente.

0C005

Compuestos o polvos preparados especialmente para la fabricación de barreras de difusión gaseosa resistentes a la corrosión por UF6 (por ejemplo, níquel o aleaciones que contengan el 60 % en peso o más de níquel, óxido de aluminio y polímeros de hidrocarburos totalmente fluorados) de una pureza igual o superior al 99,9 % (en peso), con un tamaño de las partículas inferior a 10 μm, de acuerdo con la norma ASTM B330, y una granulometría de alto grado de uniformidad.

0DProgramas informáticos

0D001

"Programas informáticos" especialmente diseñados o modificados para el "desarrollo", la "producción" o la "utilización" de productos especificados en la presente categoría.

0E Tecnología

0E001

"Tecnología", de acuerdo con la Nota de Tecnología Nuclear, para el "desarrollo", la "producción" o la "utilización" de los productos especificados en la presente categoría.

PARTE III
C ategoría 1

CATEGORÍA 1. MATERIALES ESPECIALES Y EQUIPOS CONEXOS

1A Sistemas, equipos y componentes

1A001

Componentes elaborados a partir de compuestos fluorados, según se indica:

• a. Cierres herméticos, juntas de estanqueidad, sellantes o vejigas de combustible, diseñados especialmente para uso en "aeronaves" o espacial, constituidos por más del 50 % en peso de cualquiera de los materiales especificados en los subartículos 1C009.b o 1C009.c
• b. Sin uso
• c. Sin uso

1A002

Estructuras de materiales "compuestos" (composites) o laminados, según se indica:

N.B. VÉANSE TAMBIÉN LOS ARTÍCULOS 1A202, 9A010 y 9A110.

• a. Fabricados con cualquiera de los siguientes materiales:
  • 1. Una "matriz" orgánica y "materiales fibrosos o filamentosos" especificados en los sub artículos 1C010.c o 1C010.d, o
  • 2. Productos preimpregnados (prepregs) o preformas especificados en el subartículo 1C010.e
• b. Fabricados con una "matriz" metálica o de carbono y uno de los siguientes elementos:
  • 1. "Materiales fibrosos o filamentosos" de carbono que reúnan todas las características siguientes:
    • a. "Módulo específico" superior a 10,15 × 106 m, y
    • b. "Resistencia específica a la tracción" superior a 17,7 × 104 m, o
  • 2. Materiales especificados en el subartículo 1C010.c.

Nota 1: El artículo 1A002 no somete a control las estructuras o productos laminados de "materiales compuestos" (composites) constituidos por "materiales fibrosos o filamentosos" de carbono impregnados con resina epoxídica, para la reparación de estructuras o productos laminados de "aeronaves civiles", que reúnan todas las características siguientes:

• a. Superficie no superior a 1 m2
• b. Longitud no superior a 2,5 m, y
• c. Anchura superior a 15 mm

Nota 2: El artículo 1A002 no somete a control los productos semiacabados, diseñados especialmente para aplicaciones de carácter exclusivamente civil, según se indica:

• a. Artículos de deporte
• b. Industria automotriz
• c. Industria de máquinas herramientas
• d. Aplicaciones médicas.

Nota 3: El subartículo 1A002.b.1 no somete a control los productos semiacabados que contengan como máximo dos dimensiones de filamentos entrecruzados y que estén diseñados especialmente para las siguientes aplicaciones:

• a. Hornos de tratamiento térmico de metales para templado de metales
• b. Equipos de producción de lingotes de silicio monocristalino.

Nota 4: El artículo 1A002 no somete a control los productos acabados diseñados especialmente para una aplicación en particular.

Nota 5: El subartículo 1A002.b.1. no somete a control los "materiales fibrosos o filamentosos" de carbono picados, molidos o cortados por medios mecánicos, de longitud inferior o igual a 25,0 mm.

1A003

Productos manufacturados de poliimidas aromáticas no "fundibles", en forma de película, hoja, banda o cinta que tengan cualquiera de las características siguientes:

• a. Espesor superior a 0,254 mm, o
• b. Estar revestidos o laminados con carbono, grafito, metales o sustancias magnéticas.

Nota: El artículo 1A003 no somete a control los productos manufacturados que estén revestidos o laminados con cobre y diseñados para la producción de placas de circuitos impresos electrónicos.

N.B. Para las poliimidas aromáticas "fundibles" en cualquiera de sus formas, véase el subartículo 1C008.a.3.

1A004

Equipos de protección y detección y sus componentes no diseñados especialmente para uso militar, según se indica:

N.B. VÉASE ASIMISMO LA RELACIÓN DE MATERIAL DE DEFENSA, ARTÍCULOS 2B351 Y 2B352.

• a. Máscaras faciales completas, recipientes de filtros y equipos de descontaminación para las mismas, diseñados o modificados a efectos de la defensa contra cualquiera de los agentes o materiales siguientes, y componentes diseñados especialmente para ellos:
  Nota: El subartículo 1A004.a incluye los respiradores purificadores de aire diseñados o modificados para la defensa contra agentes o materiales, que están incluidos en el subartículo 1A004.a.
  Nota técnica:
  A los efectos del subartículo 1A004.a:
  • 1. Las máscaras faciales completas también son conocidas como máscaras de gas.
  • 2. Los recipientes de filtros incluyen los cartuchos de filtros.
    • 1. "Agentes biológicos"
    • 2. ‘Materiales radiactivos’
    • 3. Agentes para la guerra química (CW), o
    • 4. "Agentes antidisturbios", incluidos:
      • a. α-Bromobencenoacetonitrilo, (cianuro de bromobencilo, CA) (CAS 5798-79-8)
      • b. [(2-Clorofenil)metileno] propanodinitrilo, (o-clorobencilidenemalononitrilo, CS) (CAS 2698-41-1)
      • c. 2-cloro-1-feniletanona, cloruro de fenilacilo (ω-cloroacetofenona, CN) (CAS 532-27-4)
      • d. Dibenzo-(b, f)-1,4-oxazepina (CR) (CAS 257-07-8)
      • e. 10-cloro-5,10-dihidrofenarsacina (cloruro de fenarsacina), adamsita, DM) (CAS 578-94-9)
      • f. N-Nonanoilmorfolina (MPA) (CAS 5299-64-9)
• b. Trajes, guantes y calzado de protección, especialmente diseñados o modificados para la defensa contra cualquiera de los agentes o materiales siguientes:
  • 1. "Agentes biológicos"
  • 2. ‘Materiales radiactivos’, o
  • 3. Agentes para la guerra química (CW)
• c. Sistemas de detección especialmente diseñados o modificados para la detección o identificación de cualquiera de los agentes o materiales siguientes, y componentes diseñados expresamente para ellos:
  • 1. "Agentes biológicos"
  • 2. ‘Materiales radiactivos’, o
  • 3. Agentes para la guerra química (CW)
• d. Equipos electrónicos, diseñados para detectar o identificar automáticamente la presencia de residuos de "explosivos", que utilicen técnicas de ‘detección de trazas’ (por ejemplo, ondas acústicas de superficie, espectrometría de movilidad de iones, espectrometría de movilidad diferencial o espectrometría de masas).
  Nota técnica:
  La ‘detección de trazas’ es la capacidad para detectar cantidades inferiores a 1 ppm de vapor o inferiores a 1 mg de sustancias sólidas o líquidas.
  Nota 1: El subartículo 1A004.d no somete a control los equipos diseñados especialmente para su empleo en laboratorios.
  Nota 2: El subartículo 1A004.d no somete a control los arcos de seguridad que han de atravesarse sin contacto.
  Nota: El artículo 1A004 no somete a control:
  • a. Los dosímetros personales para el control de la radiación
  • b. Los equipos de seguridad y salud de los trabajadores que, por su diseño o función, estén limitados a la protección contra riesgos relacionados específicamente con la seguridad de los edificios residenciales o de las industrias civiles, con inclusión de:
    • 1. la minería
    • 2. la explotación de canteras
    • 3. el sector agrario
    • 4. la industria farmacéutica
    • 5. los productos sanitarios
    • 6. los productos veterinarios
    • 7. el medio ambiente
    • 8. la gestión de residuos
    • 9. la industria alimentaria.
  
  Notas técnicas:
  • 1. El artículo 1A004 incluye equipos y componentes que han sido identificados, han superado los ensayos correspondientes a las normas nacionales o han demostrado de algún otro modo su eficacia, a la hora de detectar (o defenderse de) ‘materiales radiactivos’, "agentes biológicos", agentes para la guerra química, ‘simuladores’ o "agentes antidisturbios", aun en caso de que dichos equipos o componentes sean utilizados en industrias del sector civil, como la minería, la explotación de canteras, el sector agrario, la industria farmacéutica, los productos sanitarios, los productos veterinarios, el medio ambiente, la gestión de residuos o la industria alimentaria.
  • 2. Un ‘simulador’ es una sustancia o un material que se utiliza en lugar de un agente tóxico (químico o biológico) con fines de entrenamiento, investigación, ensayo o evaluación.
  • 3. A efectos del artículo 1A004, los ‘materiales radiactivos’ son aquellos seleccionados o modificados a fin de aumentar su eficacia para producir bajas en la población o en los animales, degradar equipos o dañar las cosechas o el medio ambiente.

1A005

Trajes blindados y componentes de los mismos según se indica:

N.B. VÉASE ASIMISMO LA RELACIÓN DE MATERIAL DE DEFENSA.

• a. Trajes blindados blandos no manufacturados para cumplir estándares o especificaciones militares, o sus equivalentes, y componentes diseñados especialmente para ellos
• b. Placas rígidas para trajes blindados que proporcionen protección antibalas de nivel igual o inferior al nivel IIIA (NIJ 0101.06, julio de 2008) o sus "normas equivalentes".
  N.B. Para los "materiales fibrosos o filamentosos" utilizados en la fabricación de trajes blindados, véase el artículo 1C010.
  Nota 1: El artículo 1A005 no somete a control los trajes blindados cuando sus usuarios los llevan para su protección personal.
  Nota 2: El artículo 1A005 no somete a control los trajes blindados diseñados para proporcionar una protección frontal exclusivamente contra la metralla y la onda expansiva procedentes de artefactos explosivos no militares.
  Nota 3: El artículo 1A005 no somete a control los trajes blindados diseñados para proporcionar una protección únicamente contra traumatismos por agresiones con cuchillos, instrumentos punzantes, agujas u objetos contundentes.

1A006

Equipos especialmente diseñados o modificados para la eliminación de artefactos explosivos improvisados (IED), según se indica, y componentes y accesorios diseñados expresamente para ellos:

N.B. VÉASE ASIMISMO LA RELACIÓN DE MATERIAL DE DEFENSA.

• a. Vehículos de control remoto
• b. ‘Disruptores’.

Nota técnica:

A los efectos del subartículo 1A006.b. los ‘disruptores’ son dispositivos diseñados especialmente para impedir el funcionamiento de un dispositivo explosivo mediante el lanzamiento de un líquido, un sólido o un proyectil frangible.

Nota: El artículo 1A006 no somete a control el equipo que va acompañado de su operador.

1A007

Equipos y dispositivos diseñados especialmente para activar por medios eléctricos cargas y dispositivos que contengan "materiales energéticos", según se indica:

N.B. VÉASE ASIMISMO LA RELACIÓN DE MATERIAL DE DEFENSA, ARTÍCULOS 3A229 Y 3A232.

• a. Conjuntos de ignición de detonador explosivo diseñados para accionar los detonadores explosivos especificados en el subartículo 1A007.b
• b. Detonadores explosivos accionados eléctricamente, según se indica:
  • 1. De tipo puente explosivo (EB)
  • 2. De tipo puente explosivo con filamento metálico (EBW)
  • 3. De percutor (slapper)
  • 4. Iniciadores de laminilla (EFI).
  
  Notas técnicas:
  • 1. A veces se utiliza el término iniciador en vez de detonador.
  • 2. A efectos del subartículo 1A007.b, todos los detonadores en cuestión utilizan un pequeño conductor eléctrico (de puente, de puente con filamento metálico o de laminilla) que se vaporiza de forma explosiva cuando lo atraviesa un rápido impulso eléctrico de corriente elevada. En los tipos que no son de percutor, el conductor inicia, al explotar, una detonación química en un material altamente explosivo con el que está en contacto, como el tetranitrato de pentaeritritol (PETN). En los detonadores de percusión, la vaporización explosiva del conductor eléctrico impulsa un elemento volador o percutor (flyer o slapper) a través de un hueco, y el impacto de este elemento en el explosivo inicia una detonación química. En algunos modelos, el percutor va accionado por una fuerza magnética. El término detonador de laminilla puede referirse a un detonador EB o a un detonador de tipo percutor.

1A008

Cargas, dispositivos y componentes, según se indica:

• a. ‘Cargas moldeadas’ que presenten todas las características siguientes:
  • 1. Cantidad explosiva neta (NEQ) superior a 90 g, y
  • 2. Diámetro de la cubierta externa superior o igual a 75 mm
• b. Cargas de corte lineal que reúnan todas las características siguientes, y los componentes diseñados especialmente para ellas:
  • 1. Carga explosiva superior a 40 g/m, y
  • 2. Anchura superior o igual a 10 mm
• c. Cordón detonante con un núcleo explosivo de más de 64 g/m
• d. Cortadores, distintos de los especificados en el subartículo 1A008.b, y herramientas de separación, que tengan una cantidad explosiva neta (NEQ) superior a 3,5 kg.

Nota técnica:

Las ‘cargas moldeadas’ son cargas explosivas conformadas para concentrar los efectos de la carga explosiva.

1A102

Componentes de carbono-carbono pirolizados resaturados diseñados para las lanzaderas espaciales especificadas en el artículo 9A004 o los cohetes de sondeo especificados en el artículo 9A104.

1A202

Estructuras de materiales compuestos (composites) distintas de las especificadas en el artículo 1A002, en forma de tubos que presenten las dos características siguientes:

N.B. VÉANSE TAMBIÉN LOS ARTÍCULOS 9A010 Y 9A110.

• a. Un diámetro interior de entre 75 mm y 400 mm, y
• b. Estar elaboradas con alguno de los "materiales fibrosos o filamentosos" especificados en los sub artículos 1C010.a, 1C010.b o 1C210.a, o con los materiales de carbono preimpregnados especificados en el subartículo 1C210.c.

1A225

Catalizadores platinizados especialmente diseñados o preparados para fomentar la reacción de intercambio de isótopos de hidrógeno entre hidrógeno y agua, para la recuperación de tritio a partir de agua pesada o para la producción de agua pesada.

1A226

Rellenos especiales que puedan usarse en la separación de agua pesada del agua ordinaria que reúnan las dos características siguientes:

• a. Estar fabricados de malla de bronce fosforoso con un tratamiento químico que mejore la humectabilidad, y
• b. Estar diseñados para emplearse en columnas de destilación de vacío.

1A227

Ventanas de protección contra radiaciones de alta densidad (de vidrio de plomo u otro material) que reúnan todas las características siguientes, y los marcos diseñados especialmente para ellas:

• a. Una ‘superficie fría’ de más de 0,09 m2
• b. Densidad superior a 3 g/cm3, y
• c. Un grosor de 100 mm o más.

Nota técnica:

En el artículo 1A227, la ‘superficie fría’ se refiere a la superficie de visión de la ventana expuesta al nivel más bajo de radiación en la aplicación de diseño.

1B Equipos de ensayo, inspección y producción

1B001

Equipos para la producción o inspección de estructuras o laminados de los "materiales compuestos" (composites) especificados en el artículo 1A002 o de los "materiales fibrosos o filamentosos" especificados en el artículo 1C010, según se indica, y componentes y accesorios diseñados especialmente para ellos:

N.B. VÉANSE TAMBIÉN LOS ARTÍCULOS 1B101 Y 1B201.

• a. Máquinas para el devanado de filamentos, en las que los movimientos de posicionado, enrollado y devanado de las fibras estén coordinados y programados en tres o más ejes ‘posicionados por un servomecanismo primario’, diseñadas especialmente para la fabricación de estructuras de "materiales compuestos" (composites) a partir de "materiales fibrosos o filamentosos"
• b. ‘Máquinas para el tendido de cintas’, en las que los movimientos de posicionado y de tendido de las cintas estén coordinados y programados en cinco o más ejes ‘posicionados por un servomecanismo primario’, diseñadas especialmente para la fabricación de estructuras de "materiales compuestos" (composites) para fuselajes de aviones o ‘misiles’
  Nota: En el subartículo 1B001.b, los ‘misiles’ son los sistemas completos de cohetes y sistemas de vehículos aéreos no tripulados.
  Nota técnica:
  A los efectos del subartículo 1B001.b, las ‘máquinas para el tendido de cintas’ tienen la capacidad de tender una o más ‘bandas de filamentos’ limitadas a bandas de anchura superior a 25,4 mm e inferior o igual a 304,8 mm, y de cortar y reanudar cursos de ‘bandas de filamentos’ individuales durante el proceso de tendido.
• c. Máquinas de tejer o máquinas de entrelazar multidireccionales y multidimensionales, incluidos los adaptadores y los conjuntos de modificación, diseñadas o modificadas especialmente para tejer, entrelazar o trenzar fibras para estructuras de "materiales compuestos"(composites)
  Nota técnica:
  A efectos del subartículo 1B001.c, la técnica de entrelazado incluye el punto tricotado.
• d. Equipos diseñados especialmente o adaptados para la fabricación de fibras de refuerzo, según se indica:
  • 1. Equipos para la transformación de fibras polímeras (como poliacrilonitrilo, rayón, brea o policarbosilano) en fibras de carbono o en fibras de carburo de silicio, incluyendo el dispositivo especial para tensar la fibra durante el calentamiento
  • 2. Equipos para la deposición en fase de vapor mediante procedimiento químico de elementos o de compuestos, sobre sustratos filamentosos calentados, para la fabricación de fibras de carburo de silicio
  • 3. Equipo para la hilatura en húmedo de cerámicas refractarias (como el óxido de aluminio)
  • 4. Equipos para la transformación, mediante tratamiento térmico, de aluminio que contenga fibras de materiales precursores, en fibras de alúmina
• e. Equipos para la fabricación, por el método de fusión en caliente, de los productos preimpregnados (prepregs) especificados en el subartículo 1C010.e
• f. Equipos de inspección no destructiva diseñados especialmente para los "materiales compuestos" (composites), del siguiente tipo:
  • 1. Sistemas de tomografía de rayos X para inspección tridimensional de defectos
  • 2. Máquinas de ensayo ultrasónicas controladas numéricamente cuyos movimientos para posicionar transmisores o receptores se encuentren coordinados simultáneamente y programados en cuatro o más ejes para seguir las curvas tridimensionales del componente que se inspecciona
• g. ‘Máquinas para la colocación de cabos’, en las que los movimientos de posicionado y de tendido de los cabos estén coordinados y programados en dos o más ejes ‘posicionados por un servomecanismo primario’, diseñadas especialmente para la fabricación de estructuras de "materiales compuestos" (composites) para fuselajes de aviones o ‘misiles’.

Nota técnica:

A los efectos del subartículo 1B001.g, las ‘máquinas para la colocación de cabos’ tienen la capacidad de colocar una o más ‘bandas de filamentos’ de anchura inferior o igual a 25,4 mm y de cortar y reanudar cursos de ‘bandas de filamentos’ individuales durante el proceso de tendido.

Notas técnicas:

• 1. A los fines del artículo 1B001, los ejes ‘posicionados por un servomecanismo primario’ controlan, bajo la dirección de un programa informático, la posición en el espacio del efector terminal (es decir, la cabeza) en relación con la pieza de trabajo, dándole la orientación y la dirección correctas para la realización del proceso deseado.
• 2. A los efectos del artículo 1B001, una ‘banda de filamentos’ es una única anchura continua de cinta, cabo o fibra total o parcialmente impregnada de resina. Las ‘bandas de filamentos’ total o parcialmente impregnadas de resina incluyen las revestidas de polvo seco que se adhieren después del calentamiento.

1B002

Equipos diseñados para producir polvo, o materiales en partículas, de aleaciones metálicas para materiales y que presenten todas las características siguientes:

• a. Diseñados especialmente para evitar la contaminación y
• b. Diseñados especialmente para uso en uno de los procesos especificados en el subartículo 1C002.c.2.

N.B. VÉASE TAMBIÉN EL ARTÍCULO 1B102.

1B003

Herramientas, troqueles, moldes o montajes para la "conformación superplástica" o para la "unión por difusión" del titanio, del aluminio o de sus aleaciones, diseñados especialmente para la fabricación de cualquiera de los objetos siguientes:

• a. Estructuras para fuselajes de aviones o estructuras aeroespaciales
• b. Motores de "aeronaves" o aeroespaciales, o
• c. Componentes diseñados especialmente para las estructuras especificadas en el subartículo 1B003.a o los motores precisados en el subartículo 1B003.b.

1B101

Equipos, distintos de los especificados en el artículo 1B001, para la "producción" de materiales compuestos (composites) estructurales, según se indica, y los componentes y accesorios diseñados especialmente para ellos:

N.B. VÉASE TAMBIÉN EL ARTÍCULO 1B201.

Nota: Son ejemplos de los componentes y accesorios para las máquinas especificadas en el artículo 1B101 los moldes, los mandriles, las matrices, los dispositivos y el utillaje para el prensado de preformación, el curado, la fundición, la sinterización o el enlace de estructuras de materiales compuestos (composites), así como los laminados y productos de las mismas.

• a. Máquinas para el devanado de filamentos o máquinas para la colocación de fibras, en las que los movimientos para el posicionado, enrollado y devanado de las fibras estén coordinados y programados en tres o más ejes, que estén diseñadas para fabricar estructuras o laminados de materiales compuestos (composites) a partir de "materiales fibrosos o filamentosos", y los controles de coordinación y programación
• b. Máquinas para el tendido de cintas cuyos movimientos para posicionar y tender las cintas y láminas estén coordinados y programados en dos o más ejes, que estén diseñadas para la fabricación de estructuras de materiales compuestos (composites) para fuselajes de aviones y de "misiles"
• c. Equipo diseñado o modificado para la "producción" de "materiales fibrosos o filamentosos", según se indica:
  • 1. Equipo para la conversión de fibras poliméricas (tales como el poliacrilonitrilo, el rayón o el policarbosilano), incluido un mecanismo especial para tensar la fibra durante el calentamiento
  • 2. Equipo de depósito por vapor de elementos o compuestos sobre sustratos filamentosos calentados
  • 3. Equipo para la hilatura en húmedo de cerámicas refractarias (como el óxido de aluminio)
• d. Equipo diseñado o modificado para el tratamiento especial de la superficie de las fibras o para producir los productos preimpregnados (prepregs) y las preformas especificados en el artículo 9C110.
  Nota: El subartículo 1B101.d incluye los rodillos, los tensores, los equipos de revestimiento y de corte y las matrices tipo clicker.

1B102

"Equipo de producción" de polvo metálico, distinto de los especificados en el artículo 1B002, y componentes según se indica:

N.B. VÉASE TAMBIÉN EL SUBARTÍCULO 1B115.b.

• a. "Equipo de producción" de polvo metálico utilizable para la "producción", en un ambiente controlado, de materiales esféricos, esferoidales o atomizados especificados en los subartículos 1C011.a, 1C011.b, 1C111.a.1, 1C111.a.2 o en la Relación de Material de Defensa
• b. Componentes diseñados especialmente para el "equipo de producción" especificado en el artículo 1B002 o en el subartículo 1B102.a.

Nota: El artículo 1B102 incluye:

• a. Generadores de plasma (chorro de arco de alta frecuencia) utilizable para la obtención de polvos metálicos esféricos o por deposición catódica (sputtered) con la organización del proceso en un ambiente de argón-agua
• b. Equipo de electroexplosión (electroburst) utilizable para la obtención de polvos metálicos esféricos o por deposición catódica (sputtered) con la organización del proceso en un ambiente de argón-agua
• c. Equipo utilizable para la "producción" de polvos esféricos de aluminio mediante el espolvoreado de un material fundido en un medio inerte (por ejemplo, nitrógeno).

1B115

Equipos, distintos de los especificados en los artículos 1B002 o 1B102, para la producción de propulsantes o de constituyentes de propulsantes, según se indica, y componentes diseñados especialmente para ellos:

• a. "Equipo de producción" para la "producción", manejo o pruebas de aceptación de los propulsantes líquidos o constituyentes de propulsantes líquidos especificados en los subartículos 1C011.a, 1C011.b, en el artículo 1C111 o en la Relación de Material de Defensa
• b. "Equipo de producción" para la "producción", la manipulación, la mezcla, el curado, el moldeado, el prensado, el mecanizado, la extrusión y los ensayos de aceptación de los propulsantes sólidos o los constituyentes de propulsantes sólidos especificados en los subartículos 1C011.a, 1C011.b, en el artículo 1C111 o en la Relación de Material de Defensa.

Nota: El subartículo 1B115.b no somete a control las mezcladoras por lotes, las mezcladoras continuas o los molinos de energía fluida. Para el control de las mezcladoras por lotes, las mezcladoras continuas y los molinos de energía fluida, véase los artículos 1B117, 1B118 y 1B119.

Nota 1: En relación con los equipos diseñados especialmente para la producción de material militar, véase la Relación de Material de Defensa.

Nota 2: El artículo 1B115 no somete a control el equipo para la "producción", la manipulación y los ensayos de aceptación del carburo de boro.

1B116

Toberas diseñadas especialmente para producir materiales derivados pirolíticamente, formados en un molde, mandril u otro sustrato a partir de gases precursores que se descompongan en la banda de temperatura de 1 573 K (1 300 °C) a 3 173 K (2 900 °C) a presiones de 130 Pa a 20 kPa.

1B117

Mezcladoras por lotes, que tengan todas las características siguientes, y los componentes diseñados especialmente para ellas:

• a. Diseñadas o modificadas para la mezcla en vacío en la banda de cero a 13,326 kPa
• b. Capaces de controlar la temperatura de la cámara de mezclado
• c. Con una capacidad volumétrica total de 110 litros o más, y
• d. Al menos un ‘eje mezclador/amasador’ descentrado.

Nota: En el subartículo 1B117.d, el término ‘eje mezclador/amasador’ no se refiere a desaglomeradores o husillos cortantes.

1B118

Mezcladoras continuas, que tengan todas las características siguientes, y los componentes diseñados especialmente para ellas:

• a. Diseñadas o modificadas para la mezcla en vacío en la banda de cero a 13,326 kPa
• b. Capaces de controlar la temperatura de la cámara de mezclado
• c. Cualquiera de las operaciones siguientes:
  • 1. Dos o más ejes mezcladores/amasadores, o
  • 2. Todos los elementos siguientes:
    • a. Un eje único rotatorio oscilante con púas o dientes amasadores, y
    • b. Púas o dientes amasadores en el interior de la carcasa de la cámara de mezcla.

1B119

Molinos de energía fluida utilizables para moler o triturar las sustancias especificadas en los sub artículos 1C011.a, 1C011.b, en el artículo 1C111 o en la Relación de Material de Defensa, así como los componentes diseñados especialmente para los mismos.

1B201

Máquinas para el devanado de filamentos distintas de las especificadas en los artículos 1B001 o 1B101 y equipo relacionado, según se indica:

• a. Máquinas para el devanado de filamentos que reúnan todas las características siguientes:
  • 1. Efectuar movimientos de posicionado, enrollado y devanado de las fibras coordinados y programados en dos o más ejes
  • 2. Estar diseñadas especialmente para elaborar estructuras de materiales compuestos (composites) o laminados a partir de "materiales fibrosos o filamentosos", y
  • 3. Tener capacidad para devanar tubos cilíndricos de diámetro interno entre 75 mm y 650 mm y de longitud igual o superior a 300 mm
• b. Controles de coordinación y programación destinados a las máquinas para el devanado de filamentos especificadas en el subartículo 1B201.a
• c. Mandriles de precisión destinados a las máquinas para el devanado de filamentos especificadas en el subartículo 1B201.a.

1B225

Células electrolíticas para la producción de flúor con capacidad de producción superior a 250 g de flúor por hora.

1B226

Separadores electromagnéticos de isótopos, diseñados para fuentes de iones únicos o múltiples, o equipados con estas, capaces de proporcionar una corriente total de haz de iones de 50 mA o más.

Nota: El artículo 1B226 incluye separadores:

• a. Capaces de enriquecer isótopos estables
• b. Con las fuentes y colectores de iones situados en el campo magnético, y también aquellos en los que estas configuraciones son externas al campo.

1B228

Columnas de destilación criogénica de hidrógeno que presenten todas las características siguientes:

• a. Estar diseñadas para funcionar a temperaturas internas de 35 K (- 238 °C) o inferiores
• b. Estar diseñadas para funcionar a una presión interna de 0,5 a 5 MPa
• c. Estar fabricadas con:
  • 1. Acero inoxidable de la serie 300 de la Society of Automotive Engineers International (SAE), de bajo contenido de azufre con un número 5 o superior de tamaño de grano austenítico ASTM (o una norma equivalente), o
  • 2. Materiales equivalentes que sean criogénicos y compatibles con el hidrógeno (H2-), y
• d. Tener diámetros interiores de 30 cm o más y ‘longitudes efectivas’ de 4 m o más.

Nota técnica:

En el artículo 1B228, la ‘longitud efectiva’ es la altura activa del material de envasado en una columna tipo apilada, o bien la altura activa de las placas de un contactor interno en una columna tipo placa.

1B230

Bombas capaces de hacer circular soluciones de catalizador concentrado o diluido de amida de potasio en amoníaco líquido (KNH2/NH3) que reúnan todas las características siguientes:

• a. Ser estancas al aire (es decir, cerradas herméticamente)
• b. Tener una capacidad superior a 8,5 m3/h, y
• c. Alguna de las características siguientes:
  • 1. Para soluciones concentradas de amida de potasio (1 % o más), una presión de funcionamiento de 1,5 a 60 MPa, o
  • 2. Para soluciones diluidas de amida de potasio (menos del 1 %), una presión de funcionamiento de 20 a 60 MPa.

1B231

Instalaciones o plantas de tritio y equipos para ellas, según se indica:

• a. Instalaciones o plantas para la producción, la recuperación, la extracción, la concentración o la manipulación de tritio
• b. Equipos para instalaciones o plantas de tritio, según se indica:
  • 1. Unidades de refrigeración de hidrógeno o helio capaces de refrigerar hasta 23 K (- 250 °C) o menos, con una capacidad de eliminación de calor superior a 150 W
  • 2. Sistemas de almacenamiento o purificación de isótopos de hidrógeno que utilicen hidruros de metal como medio de almacenamiento o de purificación.

1B232

Turboexpansores o conjuntos de turboexpansor y compresor que presenten las dos características siguientes:

• a. Estar diseñados para funcionar con una temperatura a la salida de 35 K (- 238 °C) o inferior y
• b. Estar diseñados para un caudal de hidrógeno gaseoso de 1 000 kg/hora o más.

1B233

Instalaciones o plantas de separación de isótopos de litio y sistemas y equipos para ellas, según se indica:

• a. Instalaciones o plantas para la separación de isótopos de litio
• b. Equipo para la separación de isótopos de litio basado en el proceso de amalgama de litio-mercurio, según se indica:
  • 1. Columnas compactas de intercambio líquido-líquido, diseñadas especialmente para amalgamas de litio
  • 2. Bombas de amalgamas de mercurio o de litio
  • 3. Células de electrólisis para amalgamas de litio
  • 4. Evaporadores para solución concentrada de hidróxido de litio
• c. Sistemas de intercambio de iones diseñados especialmente para la separación de isótopos de litio, y componentes diseñados expresamente para ellos
• d. Sistemas de intercambio químico (que utilicen éteres de corona, criptandos o éteres de lazo) diseñados especialmente para la separación de isótopos de litio, y los componentes diseñados expresamente para ellos.

1B234

Recipientes de contención de explosivos de gran potencia, cámaras, contenedores y otros dispositivos de contención similares, diseñados para los ensayos de explosivos o artefactos explosivos de gran potencia, y que presenten todas las características siguientes:

N.B. VÉASE ASIMISMO LA RELACIÓN DE MATERIAL DE DEFENSA.

• a. Estar diseñados para contener totalmente una explosión equivalente a 2 kg de trinitrotolueno (TNT) o superior, y
• b. Presentar características o elementos de diseño que permitan la transferencia de información sobre la medición o el diagnóstico en tiempo real o con retraso.

1B235

Conjuntos de dianas y componentes para la producción de tritio, según se indica:

• a. Conjuntos de dianas hechos de litio enriquecido con el isótopo litio-6 o que lo contengan, diseñados para la producción de tritio mediante irradiación, incluida la inserción en un reactor nuclear
• b. Componentes diseñados especialmente para los conjuntos de dianas especificados en el sub artículo 1B235.a.

Nota técnica:

Los componentes diseñados especialmente para los conjuntos de dianas para la producción de tritio pueden incluir gránulos de litio, absorbentes de tritio y vainas con revestimiento especial.

1C Materiales

Nota técnica:

Metales y aleaciones:

Salvo indicación contraria, las palabras ‘metales’ y ‘aleaciones’ en los artículos 1C001 a 1C012 abarcan las formas brutas y semielaboradas, como sigue:

Formas brutas:

Ánodos, bolas, varillas (incluidas las probetas entalladas y el alambrón), tochos, bloques, lupias, briquetas, tortas, cátodos, cristales, cubos, dados, granos, gránulos, lingotes, terrones, pastillas, panes, polvo, discos, granalla, zamarras, pepitas, esponja, estacas.

Formas semielaboradas (estén o no revestidas, chapadas, perforadas o troqueladas):

• a. Materiales labrados o trabajados, elaborados mediante laminado, trefilado, extrusión, forja, extrusión por percusión, prensado, granulado, pulverización y rectificado, es decir: ángulos, hierros en U, círculos, discos, polvo, limaduras, hoja y láminas, forjados, planchas, microgránulos, piezas prensadas y estampadas, cintas, aros, varillas (incluidas las varillas de soldadura sin revestimiento, las varillas de alambre y el alambre laminado), perfiles, perfiles laminados, flejes, caños y tubos (incluidos los redondos, cuadrados y los tubos cortos redondeados de paredes gruesas para la fabricación de tubos sin costura), alambre trefilado o extrudido
• b. Material vaciado mediante moldeado con arena, troquel, moldes de metal, de escayola o de otro tipo, incluida la fundición de alta presión, los sinterizados y las formas obtenidas por pulvimetalurgia

No debe poder eludirse el objetivo del control mediante la exportación de formas no citadas en la lista que se presenten como productos acabados, pero que sean en realidad formas brutas o semielaboradas.

1C001

Materiales diseñados especialmente para absorber la radiación electromagnética, o polímeros intrínsecamente conductores, según se indica:

N.B. VÉASE TAMBIÉN EL ARTÍCULO 1C101.

• a. Materiales para la absorción de frecuencias superiores a 2 × 108 Hz e inferiores a 3 × 1012 Hz.
  Nota 1: El subartículo 1C001.a no somete a control:
  • a. Los absorbedores de tipo capilar, constituidos por fibras naturales o sintéticas, con carga no magnética para permitir la absorción
  • b. Los absorbedores sin pérdida magnética cuya superficie incidente no sea de forma plana, comprendidas las pirámides, los conos, los filos y las superficies convolutas
  • c. Los absorbedores planos que reúnan todas las características siguientes:
    • 1. Estar fabricados con cualquiera de los siguientes materiales:
      • a. Materiales de espuma plástica (flexibles o no flexibles) con carga de carbono, o materiales orgánicos, incluidos los aglomerantes, que produzcan un eco superior al 5 % en comparación con el metal sobre un ancho de banda superior a ± 15 % de la frecuencia central de la energía incidente y que no sean capaces de resistir temperaturas superiores a 450 K (177 °C), o
      • b. Materiales cerámicos que produzcan un eco superior al 20 % en comparación con el metal sobre un ancho de banda superior a ± 15 % de la frecuencia central de la energía incidente y que no sean capaces de resistir temperaturas superiores a 800 K (527 °C)
      
      Nota técnica:
      Muestras para ensayos de absorción con respecto al subartículo 1C001.a. Nota: 1.c.1. deberá consistir en un cuadrado cuyo lado mida como mínimo cinco longitudes de onda de la frecuencia central situado en el campo lejano del elemento radiante
    • 2. Resistencia a la tracción inferior a 7 × 106 N/m2, y
    • 3. Resistencia a la compresión inferior a 14 × 106 N/m2
  • d. Absorbedores planos fabricados con ferrita sinterizada que reúnan todas las características siguientes:
    • 1. Peso específico superior a 4,4, y
    • 2. Temperatura máxima de funcionamiento de 548 K (275 °C) o menos
  • e. Absorbedores planos sin pérdida magnética y elaborados a partir de material plástico de ‘espuma de estructura celular abierta’ con densidad de 0,15 g/cm3 o inferior.
  
  Nota técnica:
  Las ‘espumas de estructura celular abierta’ son materiales flexibles y porosos, que tienen una estructura interna abierta a la atmósfera. Las ‘espumas de estructura celular abierta’ también se denominan espumas reticuladas.
  Nota 2: Ninguna de las disposiciones de la nota 1 del subartículo 1C001.a autoriza la exportación de los materiales magnéticos que permiten la absorción cuando están contenidos en pintura.
• b. Materiales no transparentes a la luz visible y diseñados especialmente para absorber la radiación infrarroja de onda corta con una longitud de onda superior a 810 nm pero inferior a 2 000 nm (frecuencias superiores a 150 THz pero inferiores a 370 THz)
  Nota: El subartículo 1C001.b. no somete a control los materiales especialmente diseñados o formulados para cualquiera de las siguientes aplicaciones:
  • a. El marcado por "láser" de polímeros, o
  • b. La soldadura por "láser" de polímeros.
  • c. Materiales polímeros intrínsecamente conductores con una ‘conductividad eléctrica en volumen’ superior a 10 000 S/m (siemens por metro) o una ‘resistividad laminar (superficial)’ inferior a 100 ohmios/cuadrado, basados en uno de los polímeros siguientes:
    • 1. Polianilina
    • 2. Polipirrol
    • 3. Politiofeno
    • 4. Polifenileno-vinileno, o
    • 5. Politienileno-vinileno.

Nota: El subartículo 1C001.c no somete a control los materiales en forma líquida.

Nota técnica:

La ‘conductividad eléctrica en volumen’ y la ‘resistividad laminar (superficial)’ se determinarán con arreglo a la norma ASTM D-257 o a otras normas nacionales equivalentes.

1C002

Aleaciones metálicas, polvo de aleaciones metálicas o materiales aleados según se indica:

N.B. VÉASE TAMBIÉN EL ARTÍCULO 1C202.

Nota: El artículo 1C002 no somete a control las aleaciones metálicas, el polvo de aleaciones metálicas ni los materiales aleados obtenidos mediante una fórmula especial para fines de revestimiento.

Notas técnicas:

• 1. Las aleaciones metálicas incluidas en el artículo 1C002 son aquellas que contienen un porcentaje en peso más elevado del metal indicado que de cualquier otro elemento.
• 2. La ‘resistencia a la rotura por esfuerzos’ se medirá con arreglo a la norma E-139 de la ASTM o a otras normas nacionales equivalentes.
• 3. La ‘resistencia a la fatiga en un número reducido de ciclos’ se medirá con arreglo a la norma E-606 de la ASTM (‘Método Recomendado para el Ensayo de Resistencia a la Fatiga’ por un pequeño número de ciclos a amplitud constante) o a otras normas nacionales equivalentes. El ensayo será axial, con una relación media de esfuerzos igual a 1 y un coeficiente de concentración de esfuerzos (Kt) igual a 1. La relación media de esfuerzos se define como el esfuerzo máximo menos el esfuerzo mínimo dividido por el esfuerzo máximo.

• a. Aluminuros, según se indica:
  • 1. Aluminuros de níquel que contengan un mínimo del 15 % en peso de aluminio, un máximo del 38 % en peso de aluminio y al menos un elemento de aleación adicional
  • 2. Aluminuros de titanio que contengan al menos el 10 % en peso de aluminio y al menos un elemento de aleación adicional
• b. Aleaciones metálicas, según se indica, compuestas del polvo o material en partículas especificados en el subartículo 1C002.c:
  • 1. Aleaciones de níquel que reúnan cualquiera de las características siguientes:
    • a. Una ‘resistencia a la rotura por esfuerzos’ de 10 000 horas o más, a 923 K (650 °C) con un esfuerzo de 676 MPa, o
    • b. Una ‘resistencia a la fatiga en un número reducido de ciclos’ de 10 000 ciclos o más a 823 K (550 °C) con un esfuerzo máximo de 1 095 MPa
  • 2. Aleaciones de niobio que presenten cualquiera de las características siguientes:
    • a. Una ‘resistencia a la rotura por esfuerzos’ de 10 000 horas o más, a 1 073 K (800 °C) con un esfuerzo de 400 MPa, o
    • b. Una ‘resistencia a la fatiga en un número reducido de ciclos’ de 10 000 ciclos o más a 973 K (700 °C) con un esfuerzo máximo de 700 MPa
  • 3. Aleaciones de titanio que tengan cualquiera de las características siguientes:
    • a. Una ‘resistencia a la rotura por esfuerzos’ de 10 000 horas o más, a 723 K (450 °C) con un esfuerzo de 200 MPa, o
    • b. Una ‘resistencia a la fatiga en un número reducido de ciclos’ de 10 000 ciclos o más a 723 K (450 °C) con un esfuerzo máximo de 400 MPa
  • 4. Aleaciones de aluminio que presenten cualquiera de las características siguientes:
    • a. Una resistencia a la tracción igual o superior a 240 MPa a 473 K (200 °C), o
    • b. Una resistencia a la tracción igual o superior a 415 MPa a 298 K (25 °C)
  • 5. Aleaciones de magnesio que presenten todas las características siguientes:
    • a. Una resistencia a la tracción igual o superior a 345 MPa, y
    • b. Una velocidad de corrosión inferior a 1 mm/año en una solución acuosa de cloruro de sodio al 3 %, medida con arreglo a la norma G-31 de la ASTM o a normas nacionales equivalentes
• c. Polvo, o material en partículas, de aleaciones metálicas para materiales, que presenten todas las características siguientes:
  • 1. Estar constituidos por cualquiera de los sistemas de composición siguientes:
    Nota técnica:
    En los artículos siguientes, X equivale a uno o más elementos de aleación:
    • a. Aleaciones de níquel (Ni-Al-X, Ni-X-Al) calificadas para las piezas o componentes de motores de turbina, es decir, con menos de 3 partículas no metálicas (introducidas durante el proceso de fabricación) mayores de 100 μm en 109 partículas de aleación
    • b. Aleaciones de niobio (Nb-Al-X o Nb-X-Al, Nb-Si-X o Nb-X-Si, Nb-Ti-X o NbXTi)
    • c. Aleaciones de titanio (Ti-Al-X o Ti-X-Al)
    • d. Aleaciones de aluminio (Al-Mg-X o Al-X-Mg, Al-Zn-X o Al-X-Zn, Al-Fe-X o Al-X-Fe), o
    • e. Aleaciones de magnesio (Mg-Al-X o Mg-X-Al)
  • 2. Ser obtenidos en un ambiente controlado mediante cualquiera de los procedimientos siguientes:
    • a. ‘Atomización al vacío’
    • b. ‘Atomización por gas’
    • c. ‘Atomización rotatoria’
    • d. ‘Enfriamiento brusco por colisión y rotación’
    • e. ‘Enfriamiento brusco por impacto’ y ‘trituración’
    • f. ‘Extracción en fusión’ y ‘trituración’
    • g. ‘Aleación mecánica’, o
    • h. ‘Atomización por plasma’, y
  • 3. Ser aptos para formar los materiales especificados en los subartículos 1C002.a o 1C002.b
• d. Materiales en aleación que reúnan todas las características siguientes:
  • 1. Estar constituidos por cualquiera de los sistemas de composición especificados en el sub artículo 1C002.c.1
  • 2. En forma de escamas, cintas o varillas no trituradas, y
  • 3. Ser obtenidos en un ambiente controlado por cualquiera de los siguientes métodos:
    • a. ‘Enfriamiento brusco por colisión y rotación’
    • b. ‘Enfriamiento brusco por impacto’, o
    • c. ‘Extracción en fusión’.
  
  Notas técnicas:
  • 1. ‘Atomización al vacío’: es un procedimiento para reducir un flujo de metal fundido a gotas de 500 μm de diámetro o menos, por la liberación rápida de un gas disuelto, mediante la exposición al vacío.
  • 2. ‘Atomización por gas’: es un procedimiento para reducir un flujo de aleación metálica fundida a gotas de 500 μm de diámetro o menos mediante una corriente de gas a alta presión.
  • 3. ‘Atomización rotatoria’: es un procedimiento destinado a reducir un flujo o un depósito de metal fundido a gotas de 500 μm de diámetro o menos mediante la fuerza centrífuga.
  • 4. ‘Enfriamiento brusco por colisión y rotación’: es un proceso destinado a ‘solidificar rápidamente’ un chorro de metal fundido mediante la colisión contra un bloque enfriado en rotación, para obtener un producto en forma de escamas.
  • 5. ‘Enfriamiento brusco por impacto’: es un procedimiento para ‘solidificar rápidamente’ un chorro de metal fundido mediante el impacto contra un bloque enfriado, de modo que se obtenga un producto en forma de escamas, cintas o varillas.
  • 6. ‘Trituración’: es el procedimiento destinado a reducir un material a partículas mediante machaqueo o amolado.
  • 7. ‘Extracción en fusión’: es un proceso utilizado para ‘solidificar rápidamente’ y extraer una aleación en forma de cinta mediante la inserción de un segmento corto de un bloque frío en rotación, en un baño de una aleación metálica fundida.
  • 8. ‘Aleación mecánica’: es un proceso de aleación resultante de la unión, fractura y nueva unión de polvos de aleación (polvos elementales y polvos madre) mediante choque mecánico. Se pueden incorporar a la aleación partículas no metálicas mediante la adición de los polvos apropiados.
  • 9. ‘Atomización por plasma’: es un procedimiento para reducir un flujo fundido o metal sólido a gotas de 500 μm de diámetro o menos, utilizando antorchas de plasma en un ambiente de gas inerte.
  • 10. ‘Solidificar rápidamente’ es un procedimiento que incluye la solidificación de material fundido a velocidades de enfriamiento superiores a 1 000 K/s.

1C003

Metales magnéticos de todos los tipos y en todas las formas, que presenten cualquiera de las características siguientes:

• a. Permeabilidad relativa inicial igual o superior a 120 000 y espesor igual o inferior a 0,05 mm
  Nota técnica:
  La permeabilidad relativa inicial debe medirse con materiales completamente recocidos.
• b. Aleaciones magnetoestrictivas que presenten cualquiera de las características siguientes:
  • 1. Una magnetoestricción de saturación superior a 5 × 10-4, o
  • 2. Un factor de acoplamiento magnetomecánico (k) superior a 0,8, o
• c. Bandas de aleación amorfa o ‘nanocristalina’ que reúnan todas las características siguientes:
  • 1. Composición que tenga un 75 % en peso como mínimo de hierro, cobalto o níquel
  • 2. Inducción magnética de saturación (Bs) igual o superior a 1,6 T, y
  • 3. Cualquiera de las características siguientes:
    • a. Espesor de banda igual o inferior a 0,02 mm, o
    • b. Resistividad eléctrica igual o superior a 2 × 10-4 ohmios cm.

Nota técnica:

Los materiales ‘nanocristalinos’ del subartículo 1C003.c son aquellos materiales con una granulometría de cristales de 50 nm o menos, determinada por difracción con rayos X.

1C004

Aleaciones de uranio titanio o aleaciones de wolframio con una "matriz" a base de hierro, níquel o cobre que reúnan todas las características siguientes:

• a. Densidad superior a 17,5 g/cm3
• b. Límite de elasticidad superior a 880 MPa
• c. Resistencia a la rotura por tracción superior a 1 270 MPa, y
• d. Alargamiento superior al 8 %.

1C005

Conductores de "materiales compuestos" (composites) que sean "superconductores" en longitudes superiores a 100 m o que tengan una masa superior a 100 g, según se indica:

• a. Conductores de "materiales compuestos" (composites) "superconductores" que contengan uno o más ‘filamentos’ de niobio-titanio, con todo lo siguiente:
  • 1. Incluidos en una "matriz" que no sea de cobre ni de una mezcla a base de cobre, y
  • 2. Que tengan un área de sección transversal inferior a 0,28 × 10-4 mm2 (diámetro de 6 μm para los ‘filamentos’ circulares)
• b. Conductores de "materiales compuestos" (composites) que sean "superconductores", constituidos por uno o más ‘filamentos’"superconductores" que no sean de niobio-titanio y que reúnan todas las características siguientes:
  • 1. Una "temperatura crítica" a una inducción magnética nula superior a 9,85 K (- 263,31 °C), y
  • 2. Que permanezcan en el estado "superconductor" a una temperatura de 4,2 K (- 268,96 °C) cuando estén expuestos a un campo magnético orientado en cualquier dirección perpendicular al eje longitudinal del conductor y correspondiente a una inducción magnética de 12 T con una densidad de corriente crítica superior a 1 750 A/mm2 en la sección transversal global del conductor
• c. Conductores de "materiales compuestos" (composites) "superconductores" consistentes en uno o más ‘filamentos’"superconductores" que permanezcan en el estado "superconductor" a una temperatura superior a 115 K (- 158,16 °C).

Nota técnica:

A efectos del artículo 1C005, los ‘filamentos’ podrán tener forma de hilo, cilindro, película, banda o cinta.

1C006

Fluidos y sustancias lubricantes, según se indica:

• a. Sin uso
• b. Sustancias lubricantes que contengan como ingredientes principales cualquiera de los siguientes:
  • 1. Éteres o tioéteres de fenilenos o de alquilfenilenos, o bien sus mezclas, que contengan más de dos funciones éter o tioéter o bien sus mezclas, o
  • 2. Fluidos de siliconas fluoradas con una viscosidad cinemática inferior a 5 000 mm2/s (5 000 centistokes) medida a 298 K (25 °C)
• c. Fluidos de amortiguación o de flotación que presenten todas las características siguientes:
  • 1. Una pureza superior al 99,8 %
  • 2. Que contengan menos de 25 partículas de un tamaño igual o superior a 200 μm por 100 ml, y
  • 3. Que estén constituidos en un 85 % como mínimo por cualquiera de los compuestos o sustancias siguientes:
    • a. Dibromotetrafluoretano (CAS 25497-30-7, 124-73-2, 27336-23-8)
    • b. Policlorotrifluoretileno (solo modificaciones oleosas y céreas), o
    • c. Polibromotrifluoretileno
• d. Fluidos de fluorocarbonos diseñados para la refrigeración electrónica y que presenten todas las características siguientes:
  • 1. Que contengan, como mínimo, el 85 % en peso de cualquiera de las siguientes sustancias, o mezclas de las mismas:
    • a. Formas monoméricas de perfluoropolialquiléter-triacinas o éteres perfluoroalifáticos
    • b. Perfluoroalquilaminas
    • c. Perfluorocicloalcanos, o
    • d. Perfluoroalcanos
  • 2. Densidad a 298 K (25 °C) de 1,5 g/ml o más
  • 3. En estado líquido a 273 K (0 °C), y
  • 4. Que contengan como mínimo el 60 % en peso de flúor.

Nota: El subartículo 1C006.d no somete a control los materiales especificados y envasados como productos médicos.

1C007

Polvos cerámicos, "materiales compuestos" (composites) de "matriz" cerámica y ‘materiales precursores’, según se indica:

N.B. VÉASE TAMBIÉN EL ARTÍCULO 1C107.

• a. Polvos cerámicos de diboruro de titanio (TiB2) (CAS 12045-63-5) que contengan un total de impurezas metálicas, excluidas las adiciones intencionales, inferior a 5 000 ppm, un tamaño medio de partícula igual o inferior a 5 μm y no más de un 10 % de partículas mayores de 10 μm
• b. Sin uso
• c. "Materiales compuestos" (composites) de "matriz" cerámica según se indica:
  • 1. "Materiales compuestos" (composites) cerámica-cerámica con "matriz" de vidrio o de óxido, y reforzados con cualquiera de los elementos siguientes:
    • a. Fibras de cualquiera de los siguientes materiales:
      • 1. Al2O3 (CAS 1344-28-1), o
      • 2. Si-C-N, o
      
      Nota: El subartículo 1C007.c.1.a no somete a control los "materiales compuestos" (composites) que contengan fibras con una resistencia a la tracción inferior a 700 MPa a 1 273 K (1 000 °C) o con una resistencia a la termofluencia por tracción de más de 1 % de deformación con una carga de 100 MPa a 1 273 K (1 000 °C) durante 100 horas.
    • b. Fibras que reúnan todas las características siguientes:
      • 1. Constituidas por cualquiera de los siguientes materiales:
        • a. Si-N
        • b. Si-C
        • c. Si-Al-O-N, o
        • d. Si-O-N, y
      • 2. Con una "resistencia específica a la tracción" superior a 12,7 × 103m
  • 2. "Materiales compuestos" (composites) de “matriz” cerámica, con una "matriz" formada por carburos o nitruros de silicio, circonio o boro
• d. Sin uso
• e. ‘Materiales precursores’ especialmente diseñados para la "producción" de los materiales especificados en el subartículo 1C007.c, según se indica:
  • 1. Polidiorganosilanos
  • 2. Polisilazanos
  • 3. Policarbosilazanos
• f. Sin uso

Nota técnica:

A los efectos del artículo 1C007, los ‘materiales precursores’ son materiales polímeros u organometálicos para fines especiales utilizados para la "producción" de carburo de silicio, nitruro de silicio o materiales cerámicos con silicio, carbono y nitrógeno.

1C008

Sustancias polímeras no fluoradas, según se indica:

• a. Imidas, como sigue:
  • 1. Bismaleimidas
  • 2. Poliamidas-imidas (PAI) aromáticas que tengan una ‘temperatura de transición vítrea (Tg)’ superior a 563 K (290 °C)
  • 3. Poliimidas aromáticas que tengan una ‘temperatura de transición vítrea (Tg)’ superior a 505 K (232 °C)
  • 4. Polieterimidas aromáticas que tengan una ‘temperatura de transición vítrea (Tg)’ superior a 563 K (290 °C).
  
  Nota: El subartículo 1C008.a somete a control sustancias en forma "fundible" líquida o sólida, incluidas la resina, el polvo, el gránulo, la película, la hoja, la banda o la cinta.
  N.B. Para las poliimidas aromáticas no "fundibles", en forma de película, hoja, banda o cinta, véase el artículo 1A003.
• b. Sin uso
• c. Sin uso
• d. Cetonas de poliarileno
• e. Sulfuros de poliarileno en los que el grupo arileno está constituido por bifenileno, trifenileno o combinaciones de ellos
• f. Polibifenilenetersulfona que tenga una ‘temperatura de transición vítrea (Tg)’ superior a 563 K (290 °C).

Notas técnicas:

• 1. La ‘temperatura de transición vítrea (Tg)’ para los materiales termoplásticos del subartículo 1C008.a.2, los materiales del subartículo 1C008.a.4 y los materiales del subartículo 1C008.f se determina mediante el método descrito en la norma ISO 11357-2:1999 o las normas nacionales equivalentes.
• 2. La ‘temperatura de transición vítrea (Tg)’ para los materiales termoendurecibles del subartículo 1C008.a.2 y los materiales del subartículo 1C008.a.3 se determina mediante el método de curvatura de tres puntos descrito en la norma ASTM D 7028-07 o las normas nacionales equivalentes. El ensayo se realizará utilizando una muestra de ensayo seca que haya alcanzado un grado mínimo de cura del 90 %, tal como especifica la norma ASTM E 2160-04 o la norma nacional equivalente, y haya sido curada utilizando la combinación de procesos estándar y posteriores a la cura que genere la mayor temperatura de transición vítrea.

1C009

Compuestos fluorados no tratados, según se indica:

• a. Sin uso
• b. Poliimidas fluoradas que contengan el 10 % en peso o más de flúor combinado
• c. Elastómeros de fosfaceno fluorado que contengan el 30 % en peso o más de flúor combinado.

1C010

"Materiales fibrosos o filamentosos", según se indica:

N.B. VÉANSE TAMBIÉN LOS ARTÍCULOS 1C210 Y 9C110.

Notas técnicas:

• 1. A efectos del cálculo de la "resistencia específica a la tracción", el "módulo específico" o el peso específico de los "materiales fibrosos o filamentosos" de los subartículos 1C010.a, 1C010.b, 1C010.c o 1C010.e.1.b, la resistencia a la tracción y el módulo deben determinarse utilizando el método A descrito en la norma ISO 10618:2004 o en normas nacionales equivalentes.
• 2. La evaluación de la "resistencia específica a la tracción", el "módulo específico" o el peso específico de los "materiales fibrosos o filamentosos" no unidireccionales (por ejemplo, tejidos, esterillas irregulares y trenzados) del artículo 1C010 debe basarse en las propiedades mecánicas de los monofilamentos unidireccionales constituyentes (por ejemplo, monofilamentos, hilos, cables o cabos) antes de su transformación en "materiales fibrosos o filamentosos" no unidireccionales.

• a. "Materiales fibrosos o filamentosos" orgánicos que cumplan todo lo siguiente:
  • 1. "Módulo específico" superior a 12,7 × 106 m, y
  • 2. "Resistencia específica a la tracción" superior a 23,5 × 104 m
  
  Nota: El subartículo 1C010.a no somete a control el polietileno.
• b. "Materiales fibrosos o filamentosos" de carbono que reúnan todas las características siguientes:
  • 1. "Módulo específico" superior a 14,65 × 106 m, y
  • 2. "Resistencia específica a la tracción" superior a 26,82 × 104 m

Nota: El subartículo 1C010.b no somete a control lo siguiente:

• a. "Materiales fibrosos o filamentosos" para la reparación de estructuras o productos laminados de "aeronaves civiles" que presenten todas las características siguientes:
  • 1. Superficie no superior a 1 m2
  • 2. Longitud no superior a 2,5 m, y
  • 3. Anchura superior a 15 mm
• b. "Materiales fibrosos o filamentosos" de carbono picados, molidos o cortados por medios mecánicos, de longitud inferior o igual a 25,0 mm.
• c. "Materiales fibrosos o filamentosos" inorgánicos que cumplan todo lo siguiente:
  • 1. Que presenten cualquiera de las características siguientes:
    • a. que contengan como mínimo el 50 % en peso de dióxido de silicio y que tengan un «módulo específico» superior a 2,54 × 106 m; o
    • b. que no estén especificados en el artículo 1C010.c.1.a y que tengan un "módulo específico" superior a 5,6 × 106 m; y
  • 2. Punto de fusión, de ablandamiento, de descomposición o de sublimación superior a 1 922 K (1 649 °C) en ambiente inerte
    Nota: El subartículo 1C010.c no somete a control:
    • a. Las fibras de alúmina policristalina multifásica discontinua en forma de fibras picadas o de esterillas irregulares, que contengan el 3 % en peso o más de sílice y tengan un "módulo específico" inferior a 10 × 106 m
    • b. Las fibras de molibdeno y de aleaciones de molibdeno
    • c. Las fibras de boro
    • d. Las fibras cerámicas discontinuas que tengan un punto de fusión, de ablandamiento, de descomposición o de sublimación inferior a 2 043 K (1 770 °C) en ambiente inerte.
• d. "Materiales fibrosos o filamentosos" que presenten cualquiera de las características siguientes:
  • 1. Constituidos por cualquiera de los elementos siguientes:
    • a. Polieterimidas especificadas en el subartículo 1C008.a, o
    • b. Materiales especificados en los subartículos 1C008.d a 1C008.f, o
  • 2. Constituidos por materiales especificados en los subartículos 1C010.d.1.a o 1C010.d.1.b y ‘entremezclados’ con otras fibras especificadas en los subartículos 1C010.a, 1C010.b o 1C010.c
  
  Nota técnica:
  ‘Entremezclado’: es la mezcla, filamento a filamento, de fibras termoplásticas y de fibras de refuerzo a fin de producir una mezcla "matriz" de refuerzo fibroso en forma totalmente fibrosa.
• e. "Materiales fibrosos o filamentosos" total o parcialmente impregnados de resina o de brea (productos preimpregnados o prepregs), "materiales fibrosos o filamentosos" revestidos de metal o de carbono (preformas) o ‘preformas de fibra de carbono’ que reúnan todas las características siguientes:
  • 1. Que presenten cualquiera de las características siguientes:
    • a. "Materiales fibrosos o filamentosos" inorgánicos especificados en el subartículo 1C010.c, o
    • b. "Materiales fibrosos o filamentosos" orgánicos que presenten todas las características siguientes:
      • 1. "Módulo específico" superior a 10,15 × 106 m, y
      • 2. "Resistencia específica a la tracción" superior a 17,7 × 104 m, y
  • 2. Que reúnan cualquiera de las características siguientes:
    • a. Resina o brea especificadas en el artículo 1C008 o en el subartículo 1C009.b
    • b. ‘Temperatura de transición vítrea determinada mediante un análisis mecánico dinámico (DMA Tg)’ igual o superior a 453 K (180 °C) y que tengan una resina fenólica, o
    • c. ‘Temperatura de transición vítrea determinada mediante un análisis mecánico dinámico (DMA Tg)’ igual o superior a 505 K (232 °C), y que tengan una resina o brea no especificada en el artículo 1C008 o en el subartículo 1C009.b que no sea una resina fenólica.
  
  Nota 1: Los "materiales fibrosos o filamentosos" revestidos de metal o de carbono (preformas) o las ‘preformas de fibra de carbono’, no impregnados de resina o brea, quedan especificados por los "materiales fibrosos o filamentosos" en los subartículos 1C010.a, 1C010.b o 1C010.c.
  Nota 2: El subartículo 1C010.e no somete a control:
  • a. Los "materiales fibrosos o filamentosos" de carbono impregnados con "matriz" de resina epoxídica (productos preimpregnados o prepregs), para la reparación de estructuras o productos laminados de "aeronaves civiles", que reúnan todas las características siguientes:
    • 1. Superficie no superior a 1 m2
    • 2. Longitud no superior a 2,5 m, y
    • 3. Anchura superior a 15 mm
  • b. Los "materiales fibrosos o filamentosos" de carbono impregnados total o parcialmente de resina o brea picados, molidos o cortados por medios mecánicos, de longitud inferior o igual a 25,0 mm, cuando se emplee una resina o brea distinta de las especificadas en el artículo 1C008 o en el sub artículo 1C009.b.
  
  Notas técnicas:
  • 1. ‘Preformas de fibra de carbono’: son un conjunto ordenado de fibras revestidas o no destinadas a constituir el marco de una parte antes de que se introduzca la "matriz" para formar un "material compuesto" (composite).
  • 2. La ‘temperatura de transición vítrea determinada mediante un análisis mecánico dinámico (DMA Tg)’ para los materiales especificados en el subartículo 1C010.e se determina aplicando el método descrito en la norma ASTM D 7028-07, o en la norma nacional equivalente, a una muestra de ensayo seca. En el caso de los materiales termoendurecibles, el grado de cura de una muestra de ensayo seca deberá ser como mínimo del 90 % según la definición de la norma ASTM E 2160-04 o de la norma nacional equivalente.

1C011

Metales y compuestos, según se indica:

N.B. VÉANSE ASIMISMO LA RELACIÓN DE MATERIAL DE DEFENSA Y EL ARTÍCULO 1C111.

• a. Metales en partículas de dimensiones inferiores a 60 μm, ya sean esféricas, atomizadas, esferoidales, en escamas o pulverizadas, fabricadas a partir de un material compuesto al menos en un 99 % de circonio, magnesio y aleaciones de los mismos
  Nota técnica:
  El contenido natural de hafnio en el circonio (típicamente de 2 % a 7 %) se cuenta con el circonio.
  Nota: Los metales y aleaciones especificados en el subartículo 1C011.a se someten a control, estén o no encapsulados en aluminio, magnesio, circonio o berilio.
• b. Boro o aleaciones de boro con un tamaño de partículas de 60 μm o menos, según se indica:
  • 1. Boro con un grado de pureza no inferior al 85 % en peso
  • 2. Aleaciones de boro con un contenido de boro no inferior al 85 % en peso
  
  Nota: Los metales o aleaciones especificados en el subartículo 1C011.b se someten a control, estén o no encapsulados en aluminio, magnesio, circonio o berilio.
• c. Nitrato de guanidina (CAS 506-93-4)
• d. Nitroguanidina (NQ) (CAS 556-88-7).
  N.B. Véase asimismo la Relación de Material de Defensa para los metales en polvo mezclados con otras sustancias a fin de constituir una mezcla formulada con fines militares.

1C012

Materiales según se indica:

Nota técnica:

Estos materiales se usan típicamente para fuentes térmicas nucleares.

• a. Plutonio en cualquiera de sus formas, con un ensayo isotópico de plutonio de más del 50 % en peso de plutonio-238
  Nota: El subartículo 1C012.a no somete a control:
  • a. Las expediciones con un contenido de plutonio igual o inferior a 1 g
  • b. Las expediciones con 3 "gramos efectivos" o menos, cuando estén contenidas en un componente sensor de un instrumento.
• b. Neptunio-237 "previamente separado" en cualquiera de sus formas.

Nota: El subartículo 1C012.b no somete a control las expediciones con un contenido igual o inferior a 1 g de neptunio-237.

1C101

Materiales y dispositivos para observaciones reducidas tales como la reflectividad al radar y las firmas ultravioletas/infrarrojas y acústicas, distintos de los especificados en el artículo 1C001, para utilización en los ‘misiles’, los subsistemas de ‘misiles’ o los vehículos aéreos no tripulados especificados en el artículo 9A012 o en el subartículo 9A112.a.

Nota 1: El artículo 1C101 incluye:

• a. Materiales estructurales y revestimientos diseñados especialmente para reducir la reflectividad al radar
• b. Revestimientos, incluidas las pinturas, diseñados especialmente para reducir o ajustar la reflectividad o emisividad en la región del espectro electromagnético de microondas, infrarrojos o ultravioleta.

Nota 2: El artículo 1C101 no incluye los revestimientos cuando se utilicen especialmente para el control térmico de satélites.

Nota técnica:

En el artículo 1C101, los ‘misiles’ son los sistemas completos de cohetes y los sistemas de vehículos aéreos no tripulados con un alcance superior a 300 km.

1C102

Materiales carbono-carbono pirolizados resaturados diseñados para las lanzaderas espaciales especificadas en el artículo 9A004 o los cohetes de sondeo especificados en el artículo 9A104.

1C107

Grafito y materiales cerámicos distintos de los especificados en el artículo 1C007, según se indica:

• a. Grafitos de granulometría fina con una densidad aparente de 1,72 g/cm3 o superior, medida a 288 K (15 °C), y que tengan un tamaño de grano de 100 μm o menor, utilizables en toberas de cohetes y puntas de ojivas para vehículos de reentrada con los que se puedan manufacturar cualquiera de los siguientes productos:
  • 1. Cilindros con un diámetro igual o superior a 120 mm y una longitud igual o superior a 50 mm
  • 2. Tubos con un diámetro interior de 65 mm o superior y un espesor de pared de 25 mm o superior y una longitud de 50 mm o superior, o
  • 3. Bloques de un tamaño de 120 mm × 120 mm × 50 mm o superior
  
  N.B. VÉASE TAMBIÉN EL ARTÍCULO 0C004.
• b. Grafitos pirolíticos o grafitos fibrosos reforzados, utilizables en toberas de cohetes y puntas de ojivas para vehículos de reentrada, utilizables en ‘misiles’, lanzaderas espaciales especificadas en el artículo 9A004 o en los cohetes de sondeo especificados en el artículo 9A104
  N.B. VÉASE TAMBIÉN EL ARTÍCULO 0C004.
• c. Materiales compuestos (composites) cerámicos (con constante dieléctrica menor que 6 a cualquier frecuencia desde 100 MHz a 100 GHz), para su uso en radomos utilizables en ‘misiles’, lanzaderas espaciales especificadas en el artículo 9A004 o en los cohetes de sondeo especificados en el artículo 9A104
• d. Cerámica bruta reforzada de carburo de silicio, sin cocción, que admite tratamiento mecánico y es utilizable en puntas de ojiva de ‘misiles’, lanzaderas espaciales especificadas en el artículo 9A004 o en los cohetes de sondeo especificados en el artículo 9A104
• e. Materiales compuestos (composites) cerámicos de carburo de silicio reforzados, para su uso en puntas de ojiva, vehículos de reentrada y toberas utilizables en ‘misiles’, lanzaderas espaciales especificadas en el artículo 9A004 o en los cohetes de sondeo especificados en el artículo 9A104
• f. Materiales compuestos (composites) cerámicos brutos mecanizables consistentes en una matriz de ‘cerámica de temperatura ultra alta (UHTC)’ con un punto de fusión igual o superior a 3 000 °C y reforzados con fibras o filamentos, que se puedan usar en componentes de misiles (tales como puntas de ojiva, vehículos de reentrada, bordes de ataque, paletas, superficies de control o insertos de cuello de motores de cohetes) en ‘misiles’, lanzaderas espaciales especificadas en el artículo 9A004, cohetes de sondeo especificados en el artículo 9A104 o ‘misiles’.

Nota: El subartículo 1C107.f no somete a control los materiales de ‘cerámica de temperatura ultra alta (UHTC)’ en forma no compuesta (non-composite).

Nota técnica 1:

En el subartículo 1C107.f, los ‘misiles’ son los sistemas completos de cohetes y los sistemas de vehículos aéreos no tripulados con un alcance superior a 300 km.

Nota técnica 2:

La ‘cerámica de temperatura ultra alta (UHTC)’ incluye:

• 1. Diboruro de titanio (TiB2)
• 2. Diboruro de circonio (ZrB2)
• 3. Diboruro de niobio (NbB2)
• 4. Diboruro de hafnio (HfB2)
• 5. Diboruro de tántalo (TaB2)
• 6. Carburo de titanio (TiC)
• 7. Carburo de circonio (ZrC)
• 8. Carburo de niobio (NbC)
• 9. Carburo de hafnio (HfC)
• 10. Carburo de tantalio (TaC)

1C111

Propulsantes y productos químicos constituyentes de propulsantes, distintos de los especificados en el artículo 1C011, según se indica:

• a. Sustancias propulsoras:
  • 1. Polvo esférico o esferoidal de aluminio, distinto del especificado en la Relación de Material de Defensa, con partículas de tamaño inferior a 200 μm y un contenido en peso de aluminio del 97 % o más, si al menos el 10 % del peso total está constituido por partículas inferiores a 63 μm, de acuerdo con la norma ISO 2591-1:1988 o las normas nacionales equivalentes
    Nota técnica:
    Un tamaño de partícula de 63 μm (ISO R-565) corresponde a una trama 250 (Tyler) o una trama 230 (norma ASTM E-11).
  • 2. Polvo metálico, distinto del especificado en la Relación de Material de Defensa, según se indica:
    • a. Polvo metálico de magnesio, circonio o berilio, o bien aleaciones de estos metales, si al menos el 90 % del total de partículas por volumen o peso de partícula se componen de partículas de menos de 60 μm (determinado mediante técnicas de medición como la utilización de un tamiz, la difracción de haz láser o la lectura óptica), ya sean esféricas, atomizadas, esferoidales, en escamas o molidas, que contengan el 97 % en peso o más de cualquiera de los siguientes elementos:
      • 1. Circonio
      • 2. Berilio, o
      • 3. Magnesio
      
      Nota técnica:
      El contenido natural de hafnio en el circonio (típicamente de 2 % a 7 %) se cuenta con el circonio.
    • b. Polvo metálico de boro o aleaciones de boro con un contenido de boro no inferior al 85 % en peso, si al menos el 90 % del total de partículas por volumen o peso de partícula se componen de partículas de menos de 60 μm (determinado mediante técnicas de medición como la utilización de un tamiz, la difracción de haz láser o la lectura óptica), ya sean esféricas, atomizadas, esferoidales, en copos o molidas
    
    Nota: Los subartículos 1C111a.2.a y 1C111a.2.b someten a control las mezclas de polvo con una distribución de partículas multimodal (por ejemplo, mezclas de partículas de diferentes tamaños de grano) si uno o varios modos están sometidos a control.
  • 3. Sustancias oxidantes utilizables en motores para cohete de propulsante líquido, según se indica:
    • a. Trióxido de dinitrógeno (CAS 10544-73-7)
    • b. Dióxido de nitrógeno (CAS 10102-44-0)/tetróxido de dinitrógeno (CAS 10544-72-6)
    • c. Pentóxido de dinitrógeno (CAS 10102-03-1)
    • d. Óxidos mixtos de nitrógeno (MON)
      Nota técnica:
      Los óxidos mixtos de nitrógeno (MON) son soluciones de óxido nítrico (NO) en tetróxido de dinitrógeno/dióxido de nitrógeno (N2O4/NO2) que puedan utilizarse en sistemas de misiles. Existen diversas composiciones que pueden designarse como MONi o MONij, siendo i y j números enteros que representan el porcentaje de óxido nítrico presente en la mezcla (p.ej. el MON3 contiene un 3 % de óxido nítrico, el MON25 contiene un 25 % de óxido nítrico). El límite máximo es MON40, el 40 % en peso.
    • e. VÉASE LA RELACIÓN DE MATERIAL DE DEFENSA en lo que respecta al ácido nítrico fumante inhibido rojo (IRFNA)
    • f. VÉANSE ASIMISMO LA RELACIÓN DE MATERIAL DE DEFENSA Y EL ARTÍCULO 1C238 PARA compuestos constituidos por flúor y cualquiera de los elementos siguientes: otros halógenos, oxígeno o nitrógeno
  • 4. Derivados de hidrazina, según se indica:
    N.B. VÉASE ASIMISMO LA RELACIÓN DE MATERIAL DE DEFENSA.
    • a. Trimetilhidrazina (CAS 1741-01-1)
    • b. Tetrametilhidrazina (CAS 6415-12-9)
    • c. N,N-Dialilhidrazina (CAS 5164-11-4)
    • d. Alilhidracina (CAS 7422-78-8)
    • e. Etileno de dihidrazina (CAS 6068-98-0)
    • f. Dinitrato de monometilhidrazina
    • g. Nitrato de dimetilhidrazina asimétrica
    • h. Azida de hidrazinio (CAS 14546-44-2)
    • i. Azida de 1,1-dimetilhidrazinio (CAS 227955-52-4)/azida de 1,2-dimetilhidrazinio (CAS 299177-50-7)
    • j. Dinitrato de hidrazinio (CAS 13464-98-7)
    • k. Dihidrazida del ácido diimido-oxálico (CAS 3457-37-2)
    • l. Nitrato de 2-hidroxietilhidrazina (HEHN)
    • m. VÉASE LA RELACIÓN DE MATERIAL DE DEFENSA en lo que respecta al perclorato de hidrazinio
    • n. Diperclorato de hidrazinio (CAS 13812-39-0)
    • o. Nitrato de metilhidrazina (MHN) (CAS 29674-96-2)
    • p. Nitrato de 1,1-dietilhidrazina (DEHN)/Nitrato de 1,2-dietilhidrazina (DEHN) (CAS 363453-17-2)
    • q. Nitrato de 3,6-dihidrazino-tetrazina (nitrato de 1,4-dihidrazina) (DHTN)
  • 5. Materiales de alta densidad de energía, distintos de los especificados en la Relación de Material de Defensa, utilizables en los ‘misiles’ o vehículos aéreos no tripulados especificados en el artículo 9A012 o en el subartículo 9A112.a
    • a. Combustible mezclado que contenga combustibles tanto sólidos como líquidos, como la lechada de boro, con una densidad de energía por masa igual o superior a 40 × 106 Julios/k
    • b. Otros combustibles y aditivos para combustibles de alta densidad energética (p. ej., cubano, soluciones iónicas, JP-10), con una densidad de energía por volumen igual o superior a 37,5 × 109 Julios/m3, medida a 20 °C y a la presión de una atmósfera (101,325 kPa)
    
    Nota: El subartículo 1C111.a.5.b no somete a control los combustibles fósiles refinados ni los biocombustibles producidos a partir de plantas, incluidos los combustibles para motores certificados para uso en aviación civil, a menos que estén especialmente formulados para los ‘misiles’ o vehículos aéreos no tripulados especificados en el artículo 9A012 o el subartículo 9A112.a.
    Nota técnica:
    En el subartículo 1C111.a.5, los ‘misiles’ son los sistemas completos de cohetes y los sistemas de vehículos aéreos no tripulados con un alcance superior a 300 km.
  • 6. Combustibles de sustitución de hidrazina, según se indica:
    • a. 2-dimetilaminoetilazida (DMAZ) (CAS 86147-04-8)
• b. Sustancias polímeras:
  • 1. Polibutadieno con grupos terminales carboxílicos (incluido el polibutadieno con grupos terminales carboxilos) (CTPB)
  • 2. Polibutadieno con grupos terminales hidroxílicos (incluido el polibutadieno con grupos terminales hidroxilos) (HTPB) (CAS 69102-90-5), excepto los especificados en la Relación de Material de Defensa
  • 3. Ácido polibutadieno-acrílico (PBAA)
  • 4. Ácido polibutadieno-acrílico acrilonitrilo (PBAN) (CAS 25265-19-4/CAS 68891-50-9)
  • 5. Polietilenglicol de politetrahidrofurano (TPEG)
    Nota técnica:
    El polietilenglicol de politetrahidrofurano (TPEG) es un copolímero en bloque de poli-1,4-butanodiol (CAS 110-63-4) y polietilenglicol (PEG) (CAS 25322-68-3).
  • 6. VÉASE LA RELACIÓN DE MATERIAL DE DEFENSA en lo que respecta al nitrato de poliglicidilo (PGN o poli-GLYN) (CAS 27814-48- 8)
• c. Otros aditivos y agentes para propulsantes:
  • 1. VÉASE LA RELACIÓN DE MATERIAL DE DEFENSA en lo que respecta a los carboranos, decaboranos, pentaboranos y derivados de los mismos
  • 2. Trietileno glicol dinitrato (TEGDN) (CAS 111-22-8)
  • 3. 2-nitrodifenilamina (CAS 119-75-5)
  • 4. VÉASE LA RELACIÓN DE MATERIAL DE DEFENSA en lo que respecta al difluoruro de etilfosfonilo (CAS 3032-55-1)
  • 5. Dinitrato de dietilenglicol (DEGDN) (CAS 693-21-0)
  • 6. Derivados del ferroceno, según se indica:
    • a. VÉASE LA RELACIÓN DE MATERIAL DE DEFENSA en lo que respecta al catoceno (CAS 37206-42-1)
    • b. VÉASE LA RELACIÓN DE MATERIAL DE DEFENSA en lo que respecta al etil-ferroceno (CAS 1273-89-8)
    • c. VÉASE LA RELACIÓN DE MATERIAL DE DEFENSA en lo que respecta al n-propil-ferroceno (CAS 1273-92-3) y al iso-propil-ferroceno (CAS 12126-81-7)
    • d. VÉASE LA RELACIÓN DE MATERIAL DE DEFENSA en lo que respecta al n-butil-ferroceno (CAS 31904-29-7)
    • e. VÉASE LA RELACIÓN DE MATERIAL DE DEFENSA en lo que respecta al pentil-ferroceno (CAS 1274-00-6)
    • f. VÉASE LA RELACIÓN DE MATERIAL DE DEFENSA en lo que respecta al diciclopentil-ferroceno (CAS 125861-17-8)
    • g. VÉASE LA RELACIÓN DE MATERIAL DE DEFENSA en lo que respecta al diciclohexil-ferroceno
    • h. VÉASE LA RELACIÓN DE MATERIAL DE DEFENSA en lo que respecta al dietil-ferroceno (CAS 1273-97-8)
    • i. VÉASE LA RELACIÓN DE MATERIAL DE DEFENSA en lo que respecta al dipropil-ferroceno
    • j. VÉASE LA RELACIÓN DE MATERIAL DE DEFENSA en lo que respecta al dibutil-ferroceno (CAS 1274-08-4)
    • k. VÉASE LA RELACIÓN DE MATERIAL DE DEFENSA en lo que respecta al dihexil-ferroceno (CAS 93894-59-8)
    • l. VÉASE LA RELACIÓN DE MATERIAL DE DEFENSA en lo que respecta al acetil-ferroceno (CAS 1271-55-2) y al 1,1'-diacetil-ferroceno (CAS 1273-94-5)
    • m. VÉASE LA RELACIÓN DE MATERIAL DE DEFENSA en lo que respecta al ácido carboxílico ferroceno (CAS 1271-42-7) y al ácido carboxílico 1,1'-ferroceno (CAS 1293-87-4)
    • n. VÉASE LA RELACIÓN DE MATERIAL DE DEFENSA en lo que respecta al butaceno (CAS 125856-62-4)
    • o. Otros derivados del ferroceno que pueden utilizarse como modificadores de la velocidad de combustión de los propulsantes de cohetes, distintos de los especificados en la Relación de Material de Defensa
    
    Nota: El subartículo 1C111.c.6.º no somete a control los derivados del ferroceno que contengan un grupo funcional aromático de seis átomos de carbono unido a la molécula del ferroceno.
  • 7. 4,5-diazidometil-2-metil-1,2,3-triazol (iso-DAMTR), distinto del especificado en la Relación de Material de Defensa
• d. ‘Propulsantes de gel’, distintos de los especificados en la Relación de Material de Defensa, especialmente formulados para su uso en ‘misiles’.
  Notas técnicas:
  • 1. En el subartículo 1C111.d, un ‘propulsante de gel’ es una formulación de combustible u oxidante que utiliza un gelificante, como por ejemplo silicatos, caolín (arcilla), carbono o cualquier gelificante polimérico.
  • 2. En el subartículo 1C111.d, los ‘misiles’ son los sistemas completos de cohetes y sistemas de vehículos aéreos no tripulados con un alcance superior a 300 km.
  
  Nota: En relación con los propulsantes y constituyentes químicos de propulsantes no especificados en el artículo 1C111, véase la Relación de Material de Defensa.

1C116

Aceros martensíticos envejecidos utilizables en los ‘misiles’, que reúnan todas las características siguientes:

N.B. VÉASE TAMBIÉN EL ARTÍCULO 1C216.

• a. Que tengan una resistencia a la rotura por tracción, medida a 293 K (20 °C), igual o superior a:
  • 1. 0,9 GPa en la fase de recocido de la solución, o
  • 2. 1,5 GPa en la fase de endurecimiento de la precipitación, y
• b. Cualquiera de las formas siguientes:
  • 1. Hojas, láminas o tubos de grosor de las paredes o las láminas igual o inferior a 5,0 mm
  • 2. Formas tubulares con un espesor de paredes igual o inferior a 50 mm y con un diámetro interior igual o superior a 270 mm.

Nota técnica 1:

Los aceros martensíticos envejecidos son aleaciones de hierro:

• 1. que se caracterizan generalmente por su alto contenido en níquel, su muy bajo contenido en carbono y el uso de elementos o precipitados de sustitución para reforzar la aleación y producir su endurecimiento por envejecimiento, y
• 2. que se someten a ciclos de tratamiento térmico para facilitar el proceso de transformación martensítica (fase de recocido de la solución) y, posteriormente, endurecidos por envejecimiento (fase de endurecimiento de la precipitación).

Nota técnica 2:

En el artículo 1C116, los ‘misiles’ son los sistemas completos de cohetes y los sistemas de vehículos aéreos no tripulados con un alcance superior a 300 km.

1C117

Materiales para la fabricación de componentes de ‘misiles’, según se indica:

• a. Wolframio y aleaciones en forma de partículas, con un contenido de wolframio igual o superior al 97 % en peso y un tamaño de partícula de 50 × 10-6 m (50 μm) o menos
• b. Molibdeno y aleaciones en forma de partículas, con un contenido de molibdeno igual o superior al 97 % en peso y un tamaño de partícula de 50 × 10-6 m (50 μm) o menos
• c. Materiales de wolframio en forma sólida que reúnan todas las características siguientes:
  • 1. Con cualquiera de las composiciones siguientes:
    • a. Wolframio y aleaciones con un contenido de wolframio igual o superior al 97 % en peso
    • b. Wolframio infiltrado con cobre con un contenido de wolframio igual o superior al 80 % en peso, o
    • c. Wolframio infiltrado con plata con un contenido de wolframio igual o superior al 80 % en peso, y
  • 2. Con los que se puedan manufacturar cualquiera de los productos siguientes:
    • a. Cilindros con un diámetro igual o superior a 120 mm y una longitud igual o superior a 50 mm
    • b. Tubos con un diámetro interior igual o superior a 65 mm, un espesor de pared igual o superior a 25 mm y una longitud igual o superior a 50 mm, o
    • c. Bloques de un tamaño igual o superior a 120 mm × 120 mm × 50 mm.

Nota técnica:

En el artículo 1C117, los ‘misiles’ son los sistemas completos de cohetes y los sistemas de vehículos aéreos no tripulados con un alcance superior a 300 km.

1C118

Acero inoxidable dúplex estabilizado al titanio (Ti-DSS) que cumpla todo lo siguiente:

• a. Que reúna todas las características siguientes:
  • 1. Que tenga un contenido de cromo de entre el 17,0 % y el 23,0 % en peso y un contenido de níquel de entre el 4,5 % y el 7,0 % en peso
  • 2. Que tenga un contenido de titanio superior al 0,10 % en peso, y
  • 3. Que tenga una microestructura ferrítica-austenítica (también denominada microestructura en dos fases) de la cual al menos un 10 % en volumen (de acuerdo con la norma ASTM E-1181-87 o normas nacionales equivalentes) sea austenítica, y
• b. Que tenga cualquiera de las siguientes formas:
  • 1. Lingotes o barras con un tamaño de 100 mm o más en cada dimensión
  • 2. Hojas con una anchura de 600 mm o más y un espesor de 3 mm o menos, o
  • 3. Tubos con un diámetro exterior de 600 mm o más y un espesor de la pared de 3 mm o menos.

1C202

Aleaciones, distintas de las especificadas en los subartículos 1C002.b.3 o b.4, según se indica:

• a. Aleaciones de aluminio que presenten las dos características siguientes:
  • 1. Ser ‘capaces de’ oponer una resistencia a la rotura por tracción de 460 MPa o más a 293 K (20 °C), y
  • 2. Tener forma de tubos o piezas cilíndricas sólidas (incluidas las piezas forjadas) con un diámetro exterior superior a 75 mm
• b. Aleaciones de titanio que posean las dos características siguientes:
  • 1. Ser ‘capaces de’ oponer una resistencia a la rotura por tracción de 900 MPa o más a 293 K (20 °C), y
  • 2. Tener forma de tubos o piezas cilíndricas sólidas (incluidas las piezas forjadas) con un diámetro exterior superior a 75 mm.

Nota técnica:

La frase aleaciones ‘capaces de’ incluye las aleaciones antes o después del tratamiento térmico.

1C210

‘Materiales fibrosos o filamentosos’ o productos preimpregnados (prepregs), distintos de los especificados en los subartículos 1C010.a, 1C010.b o 1C010.e, según se indica:

• a. ‘Materiales fibrosos o filamentosos’ de carbono o aramida que tengan una de las dos características siguientes:
  • 1. Un "módulo específico" de 12,7 × 106 m o superior, o
  • 2. Una "resistencia específica a la tracción" de 23,5 × 104 m o superior
  
  Nota: El subartículo 1C210.a no somete a control los ‘materiales fibrosos o filamentosos’ de aramida que tengan un 0,25 por ciento en peso o más de un modificador de la superficie de la fibra basado en el éster.
• b. ‘Materiales fibrosos o filamentosos’ de vidrio con las dos características siguientes:
  • 1. Un "módulo específico" de 3,18 × 106 m o superior, y
  • 2. Una "resistencia específica a la tracción" de 7,62 × 104 m o superior
• c. "Hilos", "cables", "cabos" o "cintas" continuos impregnados con resinas termoendurecibles, de 15 mm o menos de espesor (productos preimpregnados o prepregs), hechos de los ‘materiales fibrosos o filamentosos’ de carbono o vidrio que se especifican en los subartículos 1C210.a o 1C210.b.

Nota técnica:

La resina forma la matriz del "material compuesto" (composite).

Nota: En el artículo 1C210, el término ‘materiales fibrosos o filamentosos’ se limita a los "monofilamentos", "hilos", "cables", "cabos" o "cintas" continuos.

1C216

Acero martensítico envejecido distinto del especificado en el artículo 1C116, ‘capaz de’ oponer una resistencia a la rotura por tracción de 1 950 MPa o más a 293 K (20 °C).

Nota: El artículo 1C216 no somete a control las piezas en las que todas las dimensiones lineales son de 75 mm o menos.

Nota técnica:

La frase acero martensítico envejecido ‘capaz de’ incluye el acero martensítico envejecido antes y después del tratamiento térmico.

1C225

Boro enriquecido en el isótopo boro-10 (10B) hasta más de su abundancia isotópica natural, como se indica: boro elemental y compuestos de boro, mezclas que contengan boro, y productos fabricados con estos, desechos y desbastes de los elementos mencionados.

Nota: En el artículo 1C225 las mezclas que contengan boro incluyen los materiales con añadido de boro.

Nota técnica:

La abundancia natural isotópica del boro-10 es de aproximadamente 18,5 por ciento del peso (20 átomos por ciento).

1C226

Wolframio, carburo de wolframio y aleaciones con más del 90 % de wolframio en peso, diferentes de las especificadas en el artículo 1C117, que posean las dos características siguientes:

• a. Ser piezas que tengan una simetría cilíndrica hueca (incluidos los segmentos de cilindro) con un diámetro interior entre 100 mm y 300 mm, y
• b. Tener una masa superior a 20 kg.

Nota: El artículo 1C226 no somete a control los productos fabricados diseñados especialmente para emplearse como pesas o colimadores de rayos gamma.

1C227

Calcio que reúna las dos características siguientes:

• a. Que contenga menos de 1 000 ppm, en peso, de impurezas metálicas distintas del magnesio, y
• b. Que contenga menos de 10 ppm, en peso, de boro.

1C228

Magnesio que presente las dos características siguientes:

• a. Que contenga menos de 200 ppm, en peso, de impurezas metálicas distintas del calcio, y
• b. Que contenga menos de 10 ppm, en peso, de boro.

1C229

Bismuto que posea las dos características siguientes:

• a. Una pureza de 99,99 % en peso, o superior, y
• b. Que contenga menos de 10 ppm, en peso, de plata.

1C230

Berilio metal, aleaciones que contengan más del 50 % de berilio en peso, compuestos que contengan berilio, productos fabricados con estos y desechos o desbastes de cualquiera de los anteriores, distintos de los especificados en la Relación de Material de Defensa.

N.B. VÉASE ASIMISMO LA RELACIÓN DE MATERIAL DE DEFENSA.

Nota: El artículo 1C230 no somete a control:

• a. Las ventanas metálicas para máquinas de rayos X, o para dispositivos de diagrafía de sondeos
• b. Las piezas de óxido en forma fabricada o semifabricada, diseñadas especialmente como piezas de componentes electrónicos o como sustrato para circuitos electrónicos
• c. El berilio (silicato de berilio y aluminio) en forma de esmeraldas y aguamarinas.

1C231

Hafnio metal, aleaciones de hafnio que contengan más del 60 % de hafnio en peso, compuestos de hafnio que contengan más del 60 % de hafnio en peso, productos obtenidos de este y desechos o desbastes de cualquiera de los anteriores.

1C232

Helio-3 (3He), mezclas que contengan helio-3, y productos o dispositivos que contengan cualquiera de los anteriores.

Nota: El artículo 1C232 no somete a control los productos o dispositivos que contengan menos de 1 g de helio-3.

1C233

Litio enriquecido con el isótopo litio-6 (6Li) hasta más de su abundancia isotópica natural y productos o aparatos que contengan litio enriquecido, según se indica: litio elemental, aleaciones, compuestos, mezclas que contengan litio, productos fabricados con estos, desechos o desbastes de cualquiera de los anteriores.

Nota: El artículo 1C233 no somete a control los dosímetros termoluminiscentes.

Nota técnica:

La proporción natural del isótopo litio-6 es de aproximadamente 6,5 por ciento del peso (7,5 por ciento de átomos).

1C234

Circonio con un contenido de hafnio inferior a 1 parte de hafnio por 500 partes de circonio en peso, como se indica: metal, aleaciones que contengan más del 50 % de circonio en peso, compuestos, productos fabricados con estos y desechos o desbastes de cualquiera de los anteriores, distintos de los especificados en el subartículo 0A001.f.

Nota: El artículo 1C234 no somete a control el circonio en forma de láminas de grosor no superior a 0,10 mm.

1C235

Tritio, compuestos de tritio y mezclas que contengan tritio y en las cuales la razón entre el número de átomos de tritio y de hidrógeno sea superior a 1 parte entre 1 000, y productos o dispositivos que contengan cualquiera de los anteriores.

Nota: El artículo 1C235 no somete a control los productos o dispositivos que contengan menos de 1,48 × 103 GBq (40 Ci) de tritio.

1C236

‘Radionucleidos’ adecuados para fabricar fuentes de neutrones basadas en una reacción alfa-n, distintas de las especificadas en el artículo 0C001 y el subartículo 1C012.a, en las formas siguientes:

• a. Elemental
• b. Compuestos con una actividad total igual o superior a 37 GBq/kg (1 Ci/kg)
• c. Mezclas con una actividad total igual o superior a 37 GBq/kg (1 Ci/kg)
• d. Productos o dispositivos que contengan cualquiera de los anteriores.

Nota: El artículo 1C236 no somete a control los productos o dispositivos que contengan menos de 3,7 GBq (100 milicurios) de actividad.

Nota técnica:

En el artículo 1C236, los ‘radionucleidos’ son cualquiera de los elementos siguientes:

• - Actinio-225 (225Ac)
• - Actinio-227 (227Ac)
• - Californio-253 (253Cf)
• - Curio-240 (240Cm)
• - Curio-241 (241Cm)
• - Curio-242 (242Cm)
• - Curio-243 (243Cm)
• - Curio-244 (244Cm)
• - Einstenio-253 (253Es)
• - Einstenio-254 (254Es)
• - Gadolinio-148 (148Gd)
• - Plutonio-236 (236Pu)
• - Plutonio-238 (238Pu)
• - Polonio-208 (208Po)
• - Polonio-209 (209Po)
• - Polonio-210 (210Po)
• - Radio-223 (223Ra)
• - Torio-227 (227Th)
• - Torio-228 (228Th)
• - Uranio-230 (230U)
• - Uranio-232 (232U).

1C237

Radio-226 (226Ra), aleaciones de radio-226, compuestos de radio-226, mezclas que contengan radio-226, productos fabricados con estos y productos o dispositivos que contengan cualquiera de los anteriores.

Nota: El artículo 1C237 no somete a control:

• a. Las cápsulas médicas
• b. Los productos o dispositivos que contengan menos de 0,37 GBq (10 milicurios) de radio-226.

1C238

Trifluoruro de cloro (ClF3).

1C239

Explosivos de gran potencia, distintos de los especificados en la Relación de Material de Defensa, o sustancias o mezclas que contengan más del 2 % en peso de los mismos, con densidad cristalina superior a 1,8 g/cm3 y una velocidad de detonación superior a 8 000 m/s.

1C240

Níquel en polvo y níquel metal poroso, distintos de los especificados en el artículo 0C005, según se indica:

• a. Níquel en polvo que posea las dos características siguientes:
  • 1. Una pureza en níquel igual o superior al 99,0 % en peso, y
  • 2. Un tamaño medio de partícula inferior a 10 μm de acuerdo con la norma ASTM B330
• b. Níquel metal poroso obtenido a partir de materiales especificados en el subartículo 1C240.a.

Nota: El artículo 1C240 no somete a control:

• a. Los polvos de níquel filamentosos
• b. Las chapas sueltas de níquel poroso de superficie no superior a 1 000 cm2 por chapa.

Nota técnica:

El subartículo 1C240.b se refiere al metal poroso obtenido mediante la compresión y sinterización de los materiales del subartículo 1C240.a para formar un material metálico con poros finos interconectados en toda la estructura.

1C241

Renio y aleaciones con un contenido de renio igual o superior al 90 % en peso; y aleaciones de renio y wolframio con un contenido igual o superior al 90 % en peso de cualquier combinación de renio y wolframio, distintas de las especificadas en el artículo 1C226, que posean las dos características siguientes:

• a. En formas que tengan una simetría cilíndrica hueca (incluidos los segmentos de cilindro) con un diámetro interior entre 100 mm y 300 mm, y
• b. Tener una masa superior a 20 kg.

1C350

Sustancias químicas que puedan emplearse como precursoras de agentes químicos tóxicos, según se indica, y "mezclas químicas" que contengan una o varias de ellas:

N.B. VÉANSE ASIMISMO LA RELACIÓN DE MATERIAL DE DEFENSA Y EL ARTÍCULO 1C450.

• 1. Tiodiglicol (CAS 111-48-8)
• 2. Oxicloruro de fósforo (CAS 10025-87-3)
• 3. Metilfosfonato de dimetilo (CAS 756-79-6)
• 4. VÉASE LA RELACIÓN DE MATERIAL DE DEFENSA en lo que respecta al difluoruro de metilfosfonilo (CAS 676-99-3)
• 5. Dicloruro de metilfosfonilo (CAS 676-97-1)
• 6. Fosfito de dimetilo (DMP) (CAS 868-85-9)
• 7. Tricloruro de fósforo (CAS 7719-12-2)
• 8. Fosfito de trimetilo (TMP) (CAS 121-45-9)
• 9. Cloruro de tionilo (CAS 7719-09-7)
• 10. 3Hidroxi-1metilpiperidina (CAS 3554-743)
• 11. Cloruro de N,Ndiisopropil(beta)aminoetilo (CAS 96-79-7)
• 12. N,Ndiisopropil(beta)aminoetanotiol (CAS 5842-07-9)
• 13. Quinuclidinol3 (CAS 1619-34-7)
• 14. Fluoruro de potasio (CAS 7789-23-3)
• 15. 2Cloroetanol (CAS 107-07-3)
• 16. Dimetilamina (CAS 124-40-3)
• 17. Etilfosfonato de dietilo (CAS 78-38-6)
• 18. N,Ndimetilfosforamidato de dietilo (CAS 2404-03-7)
• 19. Fosfito de dietilo (CAS 762-04-9)
• 20. Hidrocloruro de dimetilamina (CAS 506-59-2)
• 21. Dicloruro de etilfosfinilo (CAS 1498-40-4)
• 22. Dicloruro de etilfosfonilo (CAS 1066-50-8)
• 23. VÉASE LA RELACIÓN DE MATERIAL DE DEFENSA en lo que respecta al difluoruro de etilfosfonilo (CAS 753-98-0)
• 24. Fluoruro de hidrógeno (CAS 7664-39-3)
• 25. Bencilato de metilo (CAS 76-89-1)
• 26. Dicloruro de metilfosfinilo (CAS 676-83-5)
• 27. N,Ndiisopropil(beta)aminoetanol (CAS 96-80-0)
• 28. Alcohol pinacólico (CAS 464-07-3)
• 29. VÉASE LA RELACIÓN DE MATERIAL DE DEFENSA en lo que respecta al metilfosfonito de Oetil-2diisopropilaminoetilo (QL) (CAS 57856-11-8)
• 30. Fosfito de trietilo (CAS 122-52-1)
• 31. Tricloruro de arsénico (CAS 7784-34-1)
• 32. Ácido bencílico (CAS 76-93-7)
• 33. Metilfosfonito de dietilo (CAS 15715-41-0)
• 34. Etilfosfonato de dimetilo (CAS 6163-75-3)
• 35. Difluoruro de etilfosfinilo (CAS 430-78-4)
• 36. Difluoruro de metilfosfinilo (CAS 753-59-3)
• 37. Quinuclidin3-ona (CAS 3731-38-2)
• 38. Pentacloruro de fósforo (CAS 10026-13-8)
• 39. Pinacolona (CAS 75-97-8)
• 40. Cianuro de potasio (CAS 151-50-8)
• 41. Bifluoruro de potasio (CAS 7789-29-9)
• 42. Bifluoruro de amonio o fluoruro ácido de amonio (CAS 1341-49-7)
• 43. Fluoruro de sodio (CAS 7681-49-4)
• 44. Bifluoruro de sodio (CAS 1333-83-1)
• 45. Cianuro de sodio (CAS 143-33-9)
• 46. Trietanolamina (CAS 102-71-6)
• 47. Pentasulfuro de fósforo (CAS 1314-80-3)
• 48. Diisopropilamina (CAS 108-18-9)
• 49. Dietilaminoetanol (CAS 100-37-8)
• 50. Sulfuro de sodio (CAS 1313-82-2)
• 51. Monocloruro de azufre (CAS 10025-67-9)
• 52. Dicloruro de azufre (CAS 10545-99-0)
• 53. Hidrocloruro de trietanolamina (CAS 637-39-8)
• 54. Hidrocloruro de N,Ndiisopropil(beta)aminoetilo cloruro (CAS 4261-68-1)
• 55. Ácido metilfosfónico (CAS 993-13-5)
• 56. Metilfosfonato de dietilo (CAS 683-08-9)
• 57. Dicloruro N,Ndimetilaminofosforilo (CAS 677-43-0)
• 58. Fosfito de triisopropilo (CAS 116-17-6)
• 59. Etildietanolamina (CAS 139-87-7)
• 60. Fosforotioato de O,O-dietilo (CAS 2465-65-8)
• 61. Fosforoditioato de O,O-dietilo (CAS 298-06-6)
• 62. Hexafluorosilicato de sodio (CAS 16893-85-9)
• 63. Dicloruro metilfosfonotioico (CAS 676-98-2)
• 64. Dietilamina (CAS 109-89-7)
• 65. Hidrocloruro de N,N-diisopropilaminoetanetiol (CAS 41480-75-5).
• 66. Diclorofosfato de metilo (CAS 677-24-7)
• 67. Diclorofosfato de etilo (CAS 1498-51-7)
• 68. Difluorofosfato de metilo (CAS 22382-13-4)
• 69. Difluorofosfato de etilo (CAS 460-52-6)
• 70. Clorofosfito de dietilo (CAS 589-57-1)
• 71. Clorofluorofosfato de metilo (CAS 754-01-8)
• 72. Clorofluorofosfato de etilo (CAS 762-77-6)
• 73. N,N-dimetilformamidina (CAS 44205-42-7)
• 74. N,N-dietilformamidina (CAS 90324-67-7)
• 75. N,N-dipropilformamidina (CAS 48044-20-8).
• 76. N,N-diisopropilformamidina (CAS 857522-08-8)
• 77. N,N-dimetilacetamidina (CAS 2909-14-0)
• 78. N,N-dietilacetamidina (CAS 14277-06-6)
• 79. N,N-dipropilacetamidina (CAS 1339586-99-0)
• 80. N,N-dimetilpropanamidina (CAS 56776-14-8)
• 81. N,N-dietilpropanamidina (CAS 84764-73-8)
• 82. N,N-dipropilpropanamidina (CAS 1341496-89-6)
• 83. N,N-dimetilbutanamidina (CAS 1340437-35-5)
• 84. N,N-dietilbutanamidina (CAS 53510-30-8)
• 85. N,N-dipropilbutanamidina (CAS 1342422-35-8)
• 86. N,N-diisopropilbutanamidina (CAS 1315467-17-4)
• 87. N,N-dimetilisobutanamidina (CAS 321881-25-8)
• 88. N,N-dietilisobutanamidina (CAS 1342789-47-2)
• 89. N,N-dipropilisobutanamidina (CAS 1342700-45-1)

Nota 1: En cuanto a las exportaciones a los "Estados que no son Parte de la Convención sobre Armas Químicas", el artículo 1C350 no somete a control las "mezclas químicas" que contengan una o varias de las sustancias químicas especificadas en los subartículos 1C350.1, .3, .5, .11, .12, .13, .17, .18, .21, .22, .26, .27, .28, .31, .32, .33, .34, .35, .36, .54, .55, .56, .57, .63 y .65 cuando ninguna sustancia química específica constituya, por sí sola, más del 10 %, en peso, de la mezcla.

Nota 2: En cuanto a las exportaciones a los "Estados que son Parte de la Convención sobre Armas Químicas", el artículo 1C350 no somete a control las "mezclas químicas" que contengan una o varias de las sustancias químicas especificadas en los subartículos 1C350.1, .3, .5, .11, .12, .13, .17, .18, .21, .22, .26, .27, .28, .31, .32, .33, .34, .35, .36, .54, .55, .56, .57, .63 y .65 cuando ninguna sustancia química específica constituya, por sí sola, más del 30 %, en peso, de la mezcla.

Nota 3: El artículo 1C350 no somete a control las "mezclas químicas" que contengan una o varias de las sustancias químicas especificadas en los subartículos 1C350.2, .6, .7, .8, .9, .10, .14, .15, .16, .19, .20, .24, .25, .30, .37, .38, .39, .40, .41, .42, .43, .44, .45, .46, .47, .48, .49, .50, .51, .52, .53, .58, .59, .60, .61, .62, .64, .66, .67, .68, .69, .70, .71, .72, .73, .74, .75, .76, .77, .78, .79, .80, .81, .82, .83, .84, .85, .86, .87, .88 y .89 cuando ninguna sustancia química específica constituya, por sí sola, más del 30 %, en peso, de la mezcla.

Nota 4: El artículo 1C350 no somete a control los productos definidos como productos de consumo envasados destinados a la venta al por menor para uso personal o envasados para uso individual.

1C351

Patógenos para los humanos y los animales, y "toxinas", según se indica:

• a. Virus, bien naturales, potenciados o modificados, o en forma de "cultivos vivos aislados" o como material que incluya materia viva que haya sido deliberadamente inoculado o contaminado con estos cultivos, según se indica:
  • 1. Virus de la peste equina
  • 2. Virus de la peste porcina africana
  • 3. Virus Andes
  • 4. Virus de la gripe aviar que:
    • a. No estén caracterizados, o
    • b. Se definan en el anexo I.2. de la Directiva 2005/94/CE (DO L 10 de 14.1.2006, p. 16) como de alta patogenicidad, según se indica:
      • 1. Virus del tipo A con un IPIV (índice de patogenicidad intravenosa) superior a 1,2 en pollos de seis semanas de edad, o
      • 2. Virus del tipo A de los subtipos H5 o H7 con una secuencia genómica, codificadora de múltiples aminoácidos básicos en el sitio de división de la molécula de la hemaglutinina, similar a la observable en otros virus de la IAAP, lo que indica que la molécula de hemaglutinina puede ser escindida por una proteasa presente de forma ubicua en el hospedador
  • 5. Virus de la lengua azul (fiebre catarral ovina)
  • 6. Virus Chapare
  • 7. Virus de Chikungunya
  • 8. Virus Choclo
  • 9. Virus de la fiebre hemorrágica de Crimea-Congo
  • 10. Sin uso
  • 11. Virus Dobrava-Belgrado
  • 12. Virus de la encefalitis equina del este
  • 13. Virus del Ébola: todos los miembros del género del virus del Ébola
  • 14. Virus de la fiebre aftosa
  • 15. Virus de la viruela caprina
  • 16. Virus Guanarito
  • 17. Virus Hantaan
  • 18. Virus Hendra (Morbillivirus equino)
  • 19. Herpesvirus porcino 1 [virus de la pseudorrabia (enfermedad de Aujeszky)]
  • 20. Virus de la peste porcina clásica
  • 21. Virus de la encefalitis japonesa
  • 22. Virus Junín
  • 23. Virus de la enfermedad de la selva de Kyasanur
  • 24. Virus de la Laguna Negra
  • 25. Virus de la fiebre de Lassa
  • 26. Virus del Mal de Louping
  • 27. Virus del Lujo
  • 28. Virus de la dermatosis nodular contagiosa
  • 29. Virus de la coriomeningitis linfocítica
  • 30. Virus Machupo
  • 31. Virus Marburgo: todos los miembros del género del virus Marburgo
  • 32. Virus de la viruela del mono
  • 33. Virus de la encefalitis del Valle Murray
  • 34. Virus de la enfermedad de Newcastle
  • 35. Virus Nipah
  • 36. Virus de la fiebre hemorrágica de Omsk
  • 37. Virus Oropouche
  • 38. Virus de la peste de los pequeños rumiantes
  • 39. Virus de la enfermedad vesicular porcina
  • 40. Virus Powassan
  • 41. Virus de la rabia y todos los demás miembros del género Lyssavirus
  • 42. Virus de la fiebre del valle de Rift
  • 43. Virus de la peste bovina
  • 44. Virus Rocío
  • 45. Virus Sabia
  • 46. Virus Seúl
  • 47. Virus de la viruela ovina
  • 48. Virus sin nombre
  • 49. Virus de la encefalitis de San Luis
  • 50. Teschovirus porcino
  • 51. Virus de la encefalitis transmitida por garrapatas (subtipo del Lejano Oriente)
  • 52. Virus de la viruela
  • 53. Virus de la encefalitis equina venezolana
  • 54. Virus de la estomatitis vesicular
  • 55. Virus de la encefalitis equina occidental
  • 56. Virus de la fiebre amarilla
  • 57. Coronavirus relacionado con el síndrome respiratorio agudo grave (coronavirus relacionado con el SRAG)
  • 58. Virus de la gripe de 1918 reconstruido
  • 59. Coronavirus relacionado con el síndrome respiratorio de Oriente Próximo (MERS-CoV)
• b. Sin uso
• c. Bacterias, bien naturales, potenciadas o modificadas, o en forma de "cultivos vivos aislados" o como material que incluya materia viva que haya sido deliberadamente inoculado o contaminado con estos cultivos, según se indica:
  • 1. Bacillus anthracis
  • 2. Brucella abortus
  • 3. Brucella melitensis
  • 4. Brucella suis
  • 5. Burkholderia mallei (Pseudomonas mallei)
  • 6. Burkholderia pseudomallei (Pseudomonas pseudomallei)
  • 7. Chlamydia psittaci (Chlamydophila psittaci)
  • 8. Clostridium argentinense (anteriormente conocida como la Clostridium botulinum de tipo G), cepas productoras de la neurotoxina botulínica
  • 9. Clostridium baratii, cepas productoras de la neurotoxina botulínica
  • 10. Clostridium botulinum
  • 11. Clostridium butyricum, cepas productoras de la neurotoxina botulínica
  • 12. Tipos de Clostridium perfringens productores de la toxina épsilon
  • 13. Coxiella burnetii
  • 14. Francisella tularensis
  • 15. Mycoplasma capricolum, subespecie capripneumoniae (cepa F38)
  • 16. Mycoplasma mycoides subespecie mycoides SC (colonias pequeñas)
  • 17. Rickettsia prowazekii
  • 18. Salmonella enterica subespecie enterica serovar Typhi (Salmonella typhi)
  • 19. Escherichia coli productora de toxina Shiga de los serogrupos O26, O45, O103, O104, O111, O121, O145 y O157, y otros serogrupos productores de toxina Shiga
    Nota: La Escherichia coli productora de toxina Shiga (STEC) incluye, entre otras, E. coli enterohemorrágica (EHEC), E. coli productora de verotoxina (VTEC) o E. coli productora de verocitotoxina (VTEC).
  • 20. Shigella dysenteriae
  • 21. Vibrio cholerae
  • 22. Yersinia pestis
• d. "Toxinas", según se indica, y las "subunidades de toxina" de las mismas:
  • 1. Toxina botulínica
  • 2. Clostridium perfringens, toxinas alfa, beta 1, beta 2, épsilon e iota
  • 3. Conotoxinas
  • 4. Ricina
  • 5. Saxitoxina
  • 6. Toxinas Shiga (toxinas tipo Shiga, verotoxinas y verocitotoxinas)
  • 7. Enterotoxinas de Staphylococcus aureus, toxina hemolisina alfa y toxina del síndrome del shock tóxico (anteriormente conocida como enterotoxina estafilocócica F)
  • 8. Tetrodotoxina
  • 9. Sin uso
  • 10. Microcistinas (Cianginosinas)
  • 11. Aflatoxinas
  • 12. Abrina
  • 13. Toxina del cólera
  • 14. Diacetoxiscirpenol
  • 15. Toxina T-2
  • 16. Toxina HT-2
  • 17. Modecina
  • 18. Volkensina
  • 19. Viscumina (Viscum Album Lectin 1)
    Nota: El subartículo 1C351.d no somete a control las toxinas botulínicas o las conotoxinas en forma de productos que cumplan con todos los criterios siguientes:
    • 1. Ser formulaciones farmacéuticas diseñadas para su administración a seres humanos en tratamientos médicos
    • 2. Estar preenvasados para ser distribuidos como productos sanitarios
    • 3. Estar autorizada su comercialización como productos sanitarios por una autoridad pública.
• e. Hongos, bien naturales, potenciados o modificados, o en forma de "cultivos vivos aislados" o como material que incluya materia viva que haya sido deliberadamente inoculado o contaminado con estos cultivos, del tipo siguiente:
  • 1. Coccidioides immitis
  • 2. Coccidioides posadasii.

Nota: El artículo 1C351 no somete a control las "vacunas" ni las "inmunotoxinas".

1C353

‘Elementos genéticos’ y ‘organismos modificados genéticamente’, según se indica:

• a. Todo ‘organismo modificado genéticamente’ que contenga cualquiera de los elementos siguientes o todo ‘elemento genético’ que los codifique:
  • 1. Todo gen o genes específicos de cualquiera de los virus especificados en los subartículos 1C351.a o 1C354.a
  • 2. Todo gen o genes específicos de cualquier bacteria especificada en los subartículos 1C351.c o 1C354.b, o de los hongos especificados en los subartículos 1C351.e o 1C354.c, y que presenten cualquiera de las siguientes características:
    • a. que por sí solos o a través de sus productos transcritos o traducidos represente un peligro considerable para la salud humana, animal o vegetal, o
    • b. que puedan ‘conferir o aumentar la patogenicidad’, o
  • 3. Cualquiera de las "toxinas" especificadas en el subartículo 1C351.d o "subunidades de toxina" de las mismas.
• b. Sin uso

Notas técnicas:

• 1. Los ‘organismos modificados genéticamente’ incluyen organismos en los que secuencias de ácido nucleico han sido creadas o alteradas mediante una manipulación molecular intencional.
• 2. Los "elementos genéticos" incluyen, entre otros, los cromosomas, genomas, plásmidos, transposones, vectores y organismos inactivos que contengan fragmentos recuperables de ácido nucleico, estén o no genéticamente modificados, o de síntesis química, en su totalidad o en parte. A efectos del control de los elementos genéticos, se considera que los ácidos nucleicos de un organismo inactivo, virus o muestra son recuperables si se pretende que la desactivación y preparación del material faciliten el aislamiento, la purificación, la amplificación, la detección o la identificación de los ácidos nucleicos o se sabe que lo hacen.
• 3. La definición de ‘conferir o aumentar la patogenicidad’ describe aquellas situaciones en que es probable que la inserción o integración de la secuencia o secuencias de ácido nucleico permitan o aumenten la capacidad del organismo receptor para ser usado con la intención de provocar una enfermedad o la muerte. Esto puede incluir alteraciones de los siguientes factores, entre otros: virulencia, transmisibilidad, estabilidad, vía de infección, espectro de huéspedes, reproducibilidad, capacidad de evadir o suprimir la inmunidad del huésped, resistencia a las contramedidas médicas o detectabilidad.

Nota 1: El artículo 1C353 no somete a control las secuencias de ácido nucleico de Escherichia coli productora de toxina Shiga de los serogrupos O26, O45, O103, O104, O111, O121, O145 y O157, así como otros serogrupos productores de toxina Shiga, distintos de los elementos genéticos que codifican la toxina Shiga o sus subunidades.

Nota 2: El subartículo 1C353. no somete a control las "vacunas".

1C354

Patógenos para los vegetales, según se indica:

• a. Virus, bien naturales, potenciados o modificados, o en forma de "cultivos vivos aislados" o como material que incluya materia viva que haya sido deliberadamente inoculado o contaminado con estos cultivos, según se indica:
  • 1. Timovirus latente andino de la patata
  • 2. Viroide del tubérculo fusiforme de la patata
• b. Bacterias, bien naturales, potenciadas o modificadas, o en forma de "cultivos vivos aislados" o como material que haya sido deliberadamente inoculado o contaminado con estos cultivos, según se indica:
  • 1. Xanthomonas albilineans
  • 2. Xanthomonas axonopodis pv. Citri (Xanthomonas campestris pv. citri A) [Xanthomonas campestris pv. citri]
  • 3. Xanthomonas oryzae pv. oryzae (Pseudomonas campestris pv. oryzae)
  • 4. Clavibacter michiganensis subsp. sepedonicus (Corynebacterium michiganensis subsp. sepedonicum o Corynebacterium sepedonicum)
  • 5. Ralstonia solanacearum, raza 3, biovar 2
• c. Hongos, bien naturales, potenciados o modificados, o en forma de "cultivos vivos aislados" o como material al que se hayan inoculado deliberadamente estos cultivos o que haya sido contaminado con ellos, según se indica:
  • 1. Colletotrichum kahawae (Colletotrichum coffeanum var. virulans)
  • 2. Cochliobolus miyabeanus (Helminthosporium oryzae)
  • 3. Microcyclus ulei (sin. Dothidella ulei)
  • 4. Puccinia graminis ssp. graminis var. graminis/Puccinia graminis ssp. graminis var. stakmanii (Puccinia graminis [sin. Puccinia graminis f. sp. tritici])
  • 5. Puccinia striiformis (sin. Puccinia glumarum)
  • 6. Magnaporthe oryzae (Pyricularia oryzae)
  • 7. Peronosclerospora philippinensis (Peronosclerospora sacchari)
  • 8. Sclerophthora rayssiae var. zeae
  • 9. Synchytrium endobioticium
  • 10. Tilletia indica
  • 11. Thecaphora solani.

1C450

Sustancias químicas tóxicas y precursores de sustancias químicas tóxicas, según se indica, y "mezclas químicas" que contengan uno o varios de ellos:

N.B. VÉANSE TAMBIÉN EL ARTÍCULO 1C350, EL SUBARTÍCULO 1C351.d. Y LA RELACIÓN DE MATERIAL DE DEFENSA.

• a. Sustancias químicas tóxicas, según se indica:
  • 1. Amitón: fosforotiolato de O,Odietilo y S[2(dietilamino)etilo] (CAS 78-53-5) y las sales alquiladas o protonadas correspondientes
  • 2. PFIB: 1,1,3,3,3pentafluoro-2(trifluorometil)-1propeno (CAS 382-21-8)
  • 3. VÉASE LA RELACIÓN DE MATERIAL DE DEFENSA en lo que respecta al BZ: Bencilato de 3quinuclidinilo (CAS 6581-06-2)
  • 4. Fosgeno: Dicloruro de carbonilo (CAS 75-44-5)
  • 5. Cloruro de cianógeno (CAS 506-77-4)
  • 6. Cianuro de hidrógeno (CAS 74-90-8)
  • 7. Cloropicrina: Tricloronitrometano (CAS 76-06-2)
  
  Nota 1: En cuanto a las exportaciones a los "Estados que no son Parte de la Convención sobre Armas Químicas", el artículo 1C450 no somete a control las "mezclas químicas" que contengan una o varias de las sustancias químicas especificadas en los subartículos 1C450.a.1 y.a.2 cuando ninguna sustancia química específica constituya, por sí sola, más del 1 %, en peso, de la mezcla.
  Nota 2: En cuanto a las exportaciones a los "Estados que son Parte de la Convención sobre Armas Químicas", el artículo 1C450 no somete a control las "mezclas químicas" que contengan una o varias de las sustancias químicas especificadas en los subartículos 1C450.a.1 y .a.2 cuando ninguna sustancia química específica constituya, por sí sola, más del 30 %, en peso, de la mezcla.
  Nota 3: El artículo 1C450 no somete a control las "mezclas químicas" que contengan una o varias de las sustancias químicas especificadas en los subartículos 1C450.a.4, .a.5, .a.6 y .a.7. cuando ninguna sustancia química específica constituya, por sí sola, más del 30 %, en peso, de la mezcla.
  Nota 4: El artículo 1C450 no somete a control los productos definidos como productos de consumo envasados destinados a la venta al por menor para uso personal o envasados para uso individual.
• b. Precursores de sustancias químicas tóxicas, según se indica:
  • 1. Sustancias químicas distintas de las especificadas en la Relación de Material de Defensa o en el artículo 1C350, que contengan un átomo de fósforo en enlace con un grupo metilo, etilo, n-propilo o isopropilo, pero no con otros átomos de carbono
    Nota: El subartículo 1C450.b.1. no somete a control el fonofós: etilfosfonotiolotionato de Oetilo y Sfenilo (CAS 944-22-9).
  • 2. N,Ndialquil (metil, etil o propil [n-propilo o isopropilo]) dihaluros fosforamídicos, distintos del dicloruro N,N-dimetilaminofosforilo
    N.B. Véase el subartículo 1C350.57 para el dicloruro de N,N-dimetilaminofosforilo.
  • 3. Dialquil (metil, etil o propil [n-propilo o isopropilo]) N,Ndialquil (metil, etil o propil [n-propilo o isopropilo])fosforamidatos, distintos del N,Ndimetilfosforamidato de dietilo especificado en el artículo 1C350
  • 4. Cloruros de N,Ndialquil (metil, etil o propil [n-propilo o isopropilo]) cloruro de aminoetilo-2 y las sales protonadas correspondientes, distintos del cloruro de N,Ndiisopropil(beta)aminoetilo o del hidrocloruro de N,Ndiisopropil(beta)aminoetilo cloruro especificados en el artículo 1C350
  • 5. N,Ndialquil (metil, etil o propil [n-propilo o isopropilo]) aminoetano-2oles y las sales protonadas correspondientes, distintas del N,Ndiisopropil(beta)aminoetanol (CAS 96-80-0) y el N,N-dietilaminoetanol (CAS 100-37-8) especificados en el artículo 1C350
    Nota: El subartículo 1C450.b.5 no somete a control las sustancias siguientes:
    • a. N,Ndimetilaminoetanol (CAS 108-01-0) y las sales protonadas correspondientes
    • b. Las sales protonadas de N,Ndietilaminoetanol (CAS 100-37-8).
  • 6. N,Ndialquil (metil, etil o propil [n-propilo o isopropilo]) aminoetano-2tioles y las sales protonadas correspondientes, distintas del N,Ndiisopropil(beta)aminoetanotiol (CAS 5842-07-9) y el hidrocloruro de N,N-diisopropilaminoetanetiol (CAS 41480-75-5) especificados en el artículo 1C350
  • 7. Véase el artículo 1C350 para la etildietanolamina (CAS 139-87-7)
  • 8. Metildietanolamina (CAS 105-59-9).
  
  Nota 1: En cuanto a las exportaciones a los "Estados que no son Parte" de la Convención sobre Armas Químicas, el artículo 1C450 no somete a control las "mezclas químicas" que contengan una o varias de las sustancias químicas especificadas en los subartículos 1C450.b.1, .b.2, .b.3, .b.4, .b.5 y .b.6 cuando ninguna sustancia química específica constituya, por sí sola, más del 10 %, en peso, de la mezcla.
  Nota 2: En cuanto a las exportaciones a los "Estados que son Parte de la Convención sobre Armas Químicas", el artículo 1C450 no somete a control las "mezclas químicas" que contengan una o varias de las sustancias químicas especificadas en los subartículos 1C450.b.1, .b.2, .b.3, .b.4, .b.5 y .b.6 cuando ninguna sustancia química específica constituya, por sí sola, más del 30 %, en peso, de la mezcla.
  Nota 3: El artículo 1C450 no somete a control las "mezclas químicas" que contengan una o varias de las sustancias químicas especificadas en el subartículo 1C450.b.8 cuando ninguna sustancia química específica constituya, por sí sola, más del 30 %, en peso, de la mezcla.
  Nota 4: El artículo 1C450 no somete a control los productos definidos como productos de consumo envasados destinados a la venta al por menor para uso personal o envasados para uso individual.

1DProgramas informáticos

1D001

"Programas informáticos" especialmente diseñados o modificados para el "desarrollo", la "producción" o la "utilización" de los equipos especificados en los artículos 1B001 a 1B003.

1D002

"Programas informáticos" para el "desarrollo" de "materiales compuestos" (composites) o laminados que contengan una "matriz" orgánica, una "matriz" metálica o una "matriz" de carbono.

1D003

"Programas informáticos" especialmente diseñados o modificados para permitir que un equipo cumpla las funciones del equipo especificado en los subartículos 1A004.c o 1A004.d.

1D101

"Programas informáticos" especialmente diseñados o modificados para la utilización o el mantenimiento de los productos especificados en los artículos 1B101, 1B102, 1B115, 1B117, 1B118 o 1B119.

1D103

"Programas informáticos" especialmente diseñados o modificados para el análisis de observables reducidas tales como la reflectividad al radar, las firmas ultravioletas/infrarrojas y las firmas acústicas.

1D201

"Programas informáticos" diseñados especialmente para la "utilización" de los productos especificados en el artículo 1B201.

1E Tecnología

1E001

"Tecnología", de acuerdo con la Nota General de Tecnología para el "desarrollo" o la "producción" de los equipos o materiales especificados en los artículos 1A002 a 1A005, el subartículo 1A006.b, los artículos 1A007 o las categorías 1B o 1C.

1E002

Otras "tecnologías" según se indica:

• a. "Tecnología" para el "desarrollo" o la "producción" de polibenzotiazoles o de polibenzoxazoles
• b. "Tecnología" para el "desarrollo" o la "producción" de compuestos de fluoroelastómeros que contengan al menos un monómero de viniléter
• c. "Tecnología" para el diseño o la "producción" de los polvos cerámicos o materiales que no sean "materiales compuestos" (composite) que se indican a continuación:
  • 1. Polvos cerámicos que tengan todas las características siguientes:
    • a. Cualquiera de las composiciones siguientes:
      • 1. Óxidos de circonio simples o complejos y óxidos complejos de silicio o de aluminio
      • 2. Nitruros de boro simples (formas cristalinas cúbicas)
      • 3. Carburos de silicio o de boro, simples o complejos, o
      • 4. Nitruros de silicio, simples o complejos
    • b. Cualquiera de los totales de impurezas metálicas siguientes (excluidas las adiciones intencionales):
      • 1. Menos de 1 000 ppm para los carburos u óxidos simples, o
      • 2. Menos de 5 000 ppm para compuestos complejos o nitruros simples, y
    • c. Que sean cualquiera de los siguientes:
      • 1. Circonios (CAS 1314-23-4) con un tamaño medio de partículas inferior o igual a 1 μm y con no más del 10 % de las partículas mayores de 5 μm, o
      • 2. Otros materiales de base con un tamaño medio de partículas inferior o igual a 5 μm y con no más del 10 % de las partículas mayores de 10 μm,
  • 2. Materiales cerámicos que no sean "materiales compuestos" (composites) constituidos por los materiales especificados en el subartículo 1E002.c.1
  
  Nota: El subartículo 1E002.c.2 no somete a control la "tecnología" para abrasivos.
• d. Sin uso
• e. "Tecnología" para la instalación, el mantenimiento o la reparación de los materiales especificados en el artículo 1C001
• f. "Tecnología" para la reparación de las estructuras de "materiales compuestos" (composites), laminados o materiales especificados en el artículo 1A002 o en el subartículo 1C007.c
  Nota: El subartículo 1E002.f no somete a control la "tecnología" de reparación de estructuras de "aeronaves civiles" con ‘materiales fibrosos o filamentosos’ de carbono y resinas epoxídicas, descrita en los manuales de los fabricantes de "aeronaves".
• g. "Bibliotecas (bases de datos técnicos paramétricos)" diseñadas especialmente o modificadas para permitir que un equipo cumpla las funciones del equipo especificado en los subartículos 1A004.c o 1A004.d.

1E101

"Tecnología" de acuerdo con la Nota General de Tecnología sobre la "utilización" de los productos especificados en los artículos 1A102, 1B001, 1B101, 1B102, 1B115 a 1B119, 1C001, 1C101, 1C107, 1C111 a 1C118, 1D101 o 1D103.

1E102

"Tecnología" de acuerdo con la Nota General de Tecnología para el "desarrollo" de los "programas informáticos" especificados en los artículos 1D001, 1D101 o 1D103.

1E103

"Tecnología" para la regulación de la temperatura, la presión o la atmósfera en autoclaves o en hidroclaves, cuando se utilicen para la "producción" de "materiales compuestos" (composites) o "materiales compuestos" (composites) parcialmente procesados.

1E104

"Tecnología" para la "producción" de materiales derivados pirolíticamente formados en un molde, mandril u otro sustrato a partir de gases precursores que se descompongan entre 1 573 K (1 300 °C) y 3 173 K (2 900 °C) de temperatura a presiones de 130 Pa a 20 kPa.

Nota: El artículo 1E104 incluye la "tecnología" para la composición de gases precursores, caudales y los programas y parámetros de control de procesos.

1E201

"Tecnología" de acuerdo con la Nota General de Tecnología para la "utilización" de los productos especificados en los artículos 1A002, 1A007, 1A202, 1A225 a 1A227, 1B201, 1B225 a 1B234, los sub artículos 1C002.b.3 o b.4 y 1C010.b, así como los artículos 1C202, 1C210, 1C216, 1C225 a 1C241 o 1D201.

1E202

"Tecnología" de acuerdo con la Nota General de Tecnología para el "desarrollo" o la "producción" de los productos especificados en los artículos 1A007, 1A202 o 1A225 a 1A227.

1E203

"Tecnología" de acuerdo con la Nota General de Tecnología para el "desarrollo" de los "programas informáticos" especificados en el artículo 1D201.

PARTE IV
Categoría 2

CATEGORÍA 2. TRATAMIENTO DE LOS MATERIALES

2A Sistemas, equipos y componentes

N.B. En relación con los rodamientos de funcionamiento silencioso, véase la Relación de Material de Defensa.

2A001

Rodamientos y sistemas de rodamiento antifricción, y componentes, según se indica:

N.B. VÉASE TAMBIÉN EL ARTÍCULO 2A101.

• a. Rodamientos de bolas o rodamientos de rodillos macizos, con todas las tolerancias especificadas por el fabricante de acuerdo con la clase de tolerancia 4 o con la clase de tolerancia 2 de la norma ISO 492 (o las normas nacionales equivalentes) o mayor, y que tengan tanto ‘anillos’ como ‘elementos de rodadura’, de monel o de berilio
  Nota: El subartículo 2A001.a no somete a control los rodamientos de rodillos cónicos.
  Notas técnicas:
  • 1. ‘Anillo’: parte anular de un rodamiento radial que incorpora una o más pistas de rodadura (ISO 5593:1997).
  • 2. ‘Elemento de rodadura’: bola o rodillo que rueda entre las pistas de rodadura (ISO 5593:1997).
• b. Sin uso
• c. Sistemas de rodamientos magnéticos activos que utilicen cualquiera de los siguientes elementos, y componentes de los mismos diseñados especialmente:
  • 1. Materiales con densidades de flujo de 2,0 T o mayores y límites elásticos superiores a 414 MPa
  • 2. Diseños de polarización homopolar 3D totalmente electromagnéticos para actuadores, o
  • 3. Sensores de posición de alta temperatura (450 K [177 °C] y superiores).

2A101

Rodamientos radiales distintos de los especificados en el artículo 2A001, con todas las tolerancias especificadas de acuerdo con la clase de tolerancia 2 de la norma ISO 492 (o ANSI/ABMA Sdt 20, clase de tolerancia ABEC-9 u otras normas nacionales equivalentes) o mayor, y que se ajusten a todas las características siguientes:

• a. Diámetro interior del anillo interior de 12 mm a 50 mm
• b. Diámetro exterior del anillo exterior de 25 mm a 100 mm, y
• c. Anchura de 10 mm a 20 mm.

2A225

Crisoles hechos de materiales resistentes a los metales actínidos líquidos, según se indica:

• a. Crisoles que reúnan las dos características siguientes:
  • 1. Tener un volumen comprendido entre 150 cm3 y 8 000 cm3, y
  • 2. Estar hechos o revestidos de cualquiera de los siguientes materiales, o una combinación de esos materiales, con un nivel de impurezas global inferior o igual al 2 % en peso:
    • a. Fluoruro de calcio (CaF2)
    • b. Circonato de calcio (metacirconato) (CaZrO3)
    • c. Sulfuro de cerio (Ce2S3)
    • d. Óxido de erbio (erbia) (Er2O3)
    • e. Óxido de hafnio (hafnia) (HfO2)
    • f. Óxido de Magnesio (MgO)
    • g. Aleación nitrurada de niobiotitaniowolframio (aproximadamente el 50 % de Nb, el 30 % de Ti y el 20 % de W)
    • h. Óxido de itrio (itria) (Y2O3), o
    • i. Óxido de circonio (circonia) (ZrO2)
• b. Crisoles que reúnan las dos características siguientes:
  • 1. Tener un volumen comprendido entre 50 cm3 y 2 000 cm3, y
  • 2. Estar hechos o revestidos de tántalo, de pureza igual o superior al 99,9 % en peso,
• c. Crisoles que presenten todas las características siguientes:
  • 1. Tener un volumen comprendido entre 50 cm3 y 2 000 cm3,
  • 2. Estar hechos o revestidos de tántalo, de pureza igual o superior al 98 % en peso, y
  • 3. Estar revestidos con carburo, nitruro o boruro de tántalo, o cualquier combinación de estos.

2A226

Válvulas que reúnan todas las características siguientes:

• a. Un ‘tamaño nominal’ igual o superior a 5 mm
• b. Disponer de un cierre de fuelle, y
• c. Estar fabricadas íntegramente o revestidas de aluminio, aleaciones de aluminio, níquel o aleaciones de níquel que contengan más de un 60 % de níquel en peso.

Nota técnica:

Para las válvulas con diferentes diámetros de entrada y de salida, el ‘tamaño nominal’ en el artículo 2A226 se refiere al diámetro más pequeño.

2B Equipos de ensayo, inspección y producción

Notas técnicas:

• 1. Los ejes de contorneado secundarios paralelos (por ejemplo, el eje w de las mandrinadoras horizontales o un eje de rotación secundario cuya línea central sea paralela al eje de rotación principal) no se incluyen en el número total de ejes de contorneado. Los ejes de rotación no necesitan girar 360°. Un eje de rotación podrá ser accionado por un dispositivo lineal (por ejemplo, un tornillo o un sistema de piñón y cremallera).
• 2. A efectos de la categoría 2B, el número de ejes que pueden coordinarse simultáneamente para el "control de contorneado" es el número de ejes a lo largo o alrededor de los cuales se producen, durante el trabajo con la pieza, movimientos simultáneos e interrelacionados entre la pieza y una herramienta. Esto no incluye otros ejes adicionales a lo largo o alrededor de los cuales tengan lugar otros movimientos relativos dentro de la máquina. Tales ejes incluyen:
  • a. sistemas de reafilado de muelas de máquinas de rectificado
  • b. ejes de rotación paralelos diseñados para montar piezas separadas
  • c. ejes rotatorios colineales diseñados para manipular la misma pieza sujetándola sobre un mandril desde distintos lados.
• 3. La nomenclatura de los ejes se ajustará a la norma internacional ISO 841:2001, titulada Sistemas de automatización industrial e integración. Control numérico de máquinas. Sistema de coordenada y nomenclatura de movimiento.
• 4. A efectos de los artículos 2B001 a 2B009, un "husillo basculante" se considera eje de rotación.
• 5. Puede utilizarse para cada modelo de máquina herramienta la " "repetibilidad de posicionamiento unidireccional" declarada" como alternativa a los ensayos individuales de las máquinas, que se determina según se indica:
  • a. Seleccionar cinco máquinas del modelo que se quiere evaluar.
  • b. Medir la repetibilidad de los ejes lineales (R↑,R↓) con arreglo a la norma ISO 230-2:2014 y evaluar la "repetibilidad de posicionamiento unidireccional" para cada eje de cada una de las cinco máquinas.
  • c. Determinar la media aritmética de los valores de la "repetibilidad de posicionamiento unidireccional" para cada eje de las cinco máquinas juntas. Estas medias aritméticas de la "repetibilidad de posicionamiento unidireccional" ( se convierten en el valor declarado de cada eje para el modelo
  • d. Como la lista de la categoría 2 se refiere a cada eje lineal, habrá tantos valores de ‘ "repetibilidad de posicionamiento unidireccional" declarada’ como ejes lineales.
  • e. En caso de que el eje de algún modelo de máquina no especificado en los subartículos 2B001.a a 2B001.c tenga una ‘ "repetibilidad de posicionamiento unidireccional" declarada’ igual o inferior a la "repetibilidad de posicionamiento unidireccional" especificada de cada modelo de máquina herramienta más 0,7 μm, se podrá pedir al fabricante que compruebe el nivel de la exactitud cada 18 meses.
• 6. A efectos de los subartículos 2B001.a a 2B001.c, no se tomará en consideración la incertidumbre de medida para la "repetibilidad de posicionamiento unidireccional" de las máquinas herramienta, tal y como se define en la norma internacional ISO 230-2:2014 o las normas nacionales equivalentes.
• 7. A efectos de los subartículos 2B001.a a 2B001.c, la medición de los ejes se realizará de conformidad con los métodos de ensayo del punto 5.3.2 de la norma ISO 230-2:2014. Los ensayos de los ejes de más de 2 metros de longitud deberán realizarse en segmentos de más de 2 m. Deberán realizarse varios ensayos a los ejes de más de 4 m de longitud (p. ej., dos ensayos para ejes de más de 4 metros y hasta 8 metros de longitud, tres ensayos para los ejes de más de 8 metros y hasta 12 metros de longitud), cada uno en segmentos de más de 2 m y distribuidos en intervalos iguales a lo largo de la longitud del eje. Los segmentos de ensayo deberán estar equidistantes a lo largo de toda la longitud del eje, y cualquier exceso de longitud se dividirá a partes iguales al principio, en el medio y al final de los segmentos de ensayo. Deberá notificarse el valor más reducido de la "repetibilidad de posicionamiento unidireccional" de todos los segmentos de ensayo.

2B001

Máquinas herramienta y cualquier combinación de ellas, para el arranque (o corte) de metales, materiales cerámicos o "materiales compuestos" (composites) que, según las especificaciones técnicas del fabricante, puedan dotarse de dispositivos electrónicos para el "control numérico" según se indica:

N.B. VÉASE TAMBIÉN EL ARTÍCULO 2B201.

Nota 1: El artículo 2B001 no somete a control las máquinas herramienta para fines específicos limitadas a la fabricación de engranajes. Para esas máquinas, véase el artículo 2B003.

Nota 2: El artículo 2B001 no somete a control las máquinas herramienta para fines específicos limitadas a la fabricación de alguna de las siguientes piezas:

• a. cigüeñales o árboles de levas
• b. herramientas o cuchillas
• c. tornillos extrusores
• d. piezas de joyería grabadas o talladas en facetas, o
• e. prótesis dentales.

Nota 3: La máquina herramienta que pueda realizar al menos dos de las tres funciones de torneado, fresado y rectificado (por ejemplo, una máquina de torneado que también sea fresadora) tendrá que ser evaluada respecto de cada uno de los subartículos 2B001.a, 2B001.b o 2B001.c que le sean aplicables.

Nota 4: La máquina herramienta que, además de las funciones de torneado, fresado y rectificado (por ejemplo, una máquina de torneado que también sea fresadora), tenga otra función de fabricación tendrá que ser evaluada respecto de cada uno de los subartículos 2B001.a, 2B001.b o 2B001.c que le sean aplicables.

N.B. En relación con las máquinas herramienta de acabado óptico, véase el artículo 2B002.

• a. Máquinas herramienta para torneado con dos o más ejes que puedan coordinarse simultáneamente para el "control de contorneado", que posean cualquiera de las características siguientes:
  • 1. Una "repetibilidad de posicionamiento unidireccional" igual o inferior a (mejor que) 0,9 μm en uno o varios ejes lineales con una longitud de carrera inferior a 1,0 m, o
  • 2. Una "repetibilidad de posicionamiento unidireccional" igual o inferior a (mejor que) 1,1 μm en uno o varios ejes lineales con una longitud de carrera igual o superior a 1,0 m.
  
  Nota 1: El subartículo 2B001.a no somete a control las máquinas de torneado diseñadas especialmente para producir lentes de contacto que cumplan todo lo siguiente:
  • a. Disponer de un controlador de máquina limitado al uso de programas informáticos de oftalmología en los que se introduzcan datos para la programación de piezas, y
  • b. No contar con un dispositivo de vacuosujeción.
  
  Nota 2: El subartículo 2B001.a no somete a control las máquinas de barra (Swissturn) que se limitan a trabajar las barras, si el diámetro máximo de las barras es igual o inferior a 42 mm y no es posible montar mandriles. Las máquinas pueden ser capaces de perforar o fresar piezas de un diámetro inferior a 42 mm.
• b. Máquinas herramienta para fresado que posean cualquiera de las características siguientes:
  • 1. Tres ejes lineales más un eje de rotación que puedan coordinarse simultáneamente para el "control de contorneado", que posean cualquiera de las características siguientes:
    • a. Una "repetibilidad de posicionamiento unidireccional" igual o inferior a (mejor que) 0,9 μm en uno o varios ejes lineales con una longitud de carrera inferior a 1,0 m, o
    • b. Una "repetibilidad de posicionamiento unidireccional" igual o inferior a (mejor que) 1,1 μm en uno o varios ejes lineales con una longitud de carrera igual o superior a 1,0 m.
  • 2. Cinco o más ejes que puedan coordinarse simultáneamente para el "control de contorneado", que posean cualquiera de las características siguientes:
    • a. Una "repetibilidad de posicionamiento unidireccional" igual o inferior a (mejor que) 0,9 μm en uno o varios ejes lineales con una longitud de carrera inferior a 1,0 m,
    • b. Una "repetibilidad de posicionamiento unidireccional" igual o inferior a (mejor que) 1,4 μm en uno o varios ejes lineales con una longitud de carrera igual o superior a 1 m y menor de 4 m, o
    • c. Una "repetibilidad de posicionamiento unidireccional" igual o inferior a (mejor que) 6,0 μm en uno o varios ejes lineales con una longitud de carrera igual o superior a 4 m
  • 3. Una "repetibilidad de posicionamiento unidireccional" para las mandrinadoras de coordenadas igual o inferior a (mejor que) 1,1 μm en uno o varios ejes lineales, o
  • 4. Fresadoras simples que reúnan todas las características siguientes:
    • a. "Desplazamiento axial periódico radial" y "desplazamiento axial periódico longitudinal" del husillo inferiores a (mejor que) 0,0004 mm TIR, y
    • b. Desviación angular del movimiento del carro (guiñada, cabeceo y balanceo) inferior a (mejor que) 2 segundos de arco, TIR de más de 300 mm de avance
• c. Máquinas herramienta para rectificado que presenten cualquiera de las características siguientes:
  • 1. Con todas las características siguientes:
    • a. Una "repetibilidad de posicionamiento unidireccional" igual o inferior a (mejor que) 1,1 μm en uno o varios ejes lineales, y
    • b. Tres o cuatro ejes que puedan coordinarse simultáneamente para el "control de contorneado", o
  • 2. Cinco o más ejes que puedan coordinarse simultáneamente para el "control de contorneado", que posean cualquiera de las características siguientes:
    • a. Una "repetibilidad de posicionamiento unidireccional" igual o inferior a (mejor que) 1,1 μm en uno o varios ejes lineales con una longitud de carrera inferior a 1 m
    • b. Una "repetibilidad de posicionamiento unidireccional" igual o inferior a (mejor que) 1,4 μm en uno o varios ejes lineales con una longitud de carrera igual o superior a 1 m y menor de 4 m, o
    • c. Una "repetibilidad de posicionamiento unidireccional" igual o inferior a (mejor que) 6,0 μm en uno o varios ejes lineales con una longitud de carrera igual o superior a 4 m

Nota: El subartículo 2B001.c no somete a control las máquinas para rectificado que se indican a continuación:

• a. Máquinas para rectificado cilíndrico externo, interno o externo-interno que se ajusten a todas las características siguientes:
  • 1. Limitarse al rectificado cilíndrico, y
  • 2. Limitarse a una capacidad máxima para piezas de 150 mm de diámetro exterior o longitud
• b. Máquinas diseñadas específicamente como rectificadoras de coordenadas que no tengan un eje z o un eje w, con una "repetibilidad de posicionamiento unidireccional" inferior a (mejor que) 1,1 μm
• c. Rectificadoras de superficies.
• d. Máquinas de electroerosión (EDM) de tipo distinto al de hilo que tengan dos o más ejes de rotación que puedan coordinarse simultáneamente para el "control de contorneado"
• e. Máquinas herramienta para el arranque de metales, materiales cerámicos o "materiales compuestos" (composites) que presenten todas las características siguientes:
  • 1. Que eliminen material por alguno de los siguientes medios:
    • a. Chorros de agua o de otros líquidos, incluidos los que utilizan aditivos abrasivos
    • b. Haz electrónico, o
    • c. Haz "láser", y
  • 2. Que posean al menos dos ejes rotativos y todas las características siguientes:
    • a. La posibilidad de coordinarse simultáneamente para el "control de contorneado", y
    • b. Una "exactitud" de posicionamiento inferior a (mejor que) 0,003°
• f. Máquinas de perforación profunda y máquinas de tornear modificadas para perforación profunda que tengan una capacidad máxima de profundidad de perforación superior a 5 m.

2B002

Máquinas herramienta de acabado óptico controladas numéricamente, equipadas para la eliminación de material de modo selectivo a fin de producir superficies ópticas no esféricas, que reúnan todas las características siguientes:

• a. Acabado de la forma inferior a (mejor que) 1,0 μm
• b. Acabado con una rugosidad inferior a (mejor que) 100 nm rms
• c. Cuatro o más ejes que puedan coordinarse simultáneamente para el "control de contorneado", y
• d. Que utilicen cualquiera de los siguientes procesos:
  • 1. Acabado magnetorreológico (‘MRF’)
  • 2. Acabado electrorreológico (‘ERF’)
  • 3. ‘Acabado por haz de partículas energéticas’
  • 4. ‘Acabado mediante herramienta con membrana hinchable’, o
  • 5. ‘Acabado por chorro de fluido’.

Notas técnicas:

A efectos del artículo 2B002:

• 1. ‘MRF’ es un proceso de eliminación de material mediante un fluido abrasivo magnético cuya viscosidad se controla por medio de un campo magnético.
• 2. ‘ERF’ es un proceso de eliminación de material mediante un fluido abrasivo cuya viscosidad se controla por medio de un campo eléctrico.
• 3. El ‘acabado por haz de partículas energéticas’ utiliza plasmas de átomos reactivos (RAP) o haces de iones para eliminar material de modo selectivo.
• 4. El ‘acabado mediante herramienta con membrana hinchable’ es un procedimiento en el que se emplea una membrana presurizada que se deforma para entrar en contacto con una pequeña superficie de la pieza.
• 5. El ‘acabado por chorro de fluido’ utiliza un chorro de líquido para la eliminación de material.

2B003

Máquinas herramienta "controladas numéricamente" diseñadas especialmente para el rasurado, acabado, rectificado o bruñido de engranajes rectos, de dentado helicoidal y de doble dentado helicoidal, endurecidos (Rc = 40 o superior), que reúnan todas las características siguientes:

• a. Círculo primitivo de diámetro superior a 1 250 mm
• b. Anchura de diente del 15 % o superior del diámetro del círculo primitivo, y
• c. Acabados con calidad igual o superior a 14 según la norma AGMA (American Gear Manufacturers Asociation) (equivalente a la clase 3 de la norma ISO 1328).

2B004

"Prensas isostáticas" en caliente que presenten todas las características siguientes, y los componentes y accesorios diseñados especialmente para ellas:

N.B. VÉANSE TAMBIÉN LOS ARTÍCULOS 2B104 y 2B204.

• a. Un ambiente térmico controlado dentro de la cavidad cerrada y una cámara con un diámetro interior igual o superior a 406 mm, y
• b. Que posean cualquiera de las características siguientes:
  • 1. Capacidad para desarrollar una presión de trabajo máxima superior a 207 MPa
  • 2. Ambiente térmico controlado superior a 1 773 K (1 500 °C), o
  • 3. Capacidad para impregnar con hidrocarburos y eliminar las sustancias gaseosas de descomposición resultantes.

Nota técnica:

La dimensión interior de la cámara es la de la cavidad de trabajo en la que se generan la temperatura y la presión de trabajo y no incluye el utillaje de sujeción. Dicha dimensión será bien la del diámetro interior de la cámara de presión o bien la del diámetro interior de la cámara aislada del horno, y concretamente la menor de ambas, en función de cuál de las cámaras esté situada en el interior de la otra.

N.B. Para matrices, moldes y herramientas diseñados especialmente, véanse los artículos 1B003 y 9B009, y la Relación de Material de Defensa.

2B005

Equipos diseñados especialmente para el depósito, el procesado y el control durante el proceso, de revestimientos, recubrimientos y modificaciones de superficies inorgánicas, según se indica, para los sustratos especificados en la columna 2, por los procedimientos que se muestran en la columna 1 de la tabla que figura a continuación del subartículo 2E003.f, y los componentes automatizados de manejo, posicionamiento, manipulación y control diseñados especialmente para ellos:

• a. Equipos de producción para el depósito químico en fase de vapor (CVD) que cumplan todo lo siguiente:
  N.B. VÉASE TAMBIEN EL ARTÍCULO 2B105.
  • 1. Un proceso modificado para uno de los tipos de depósito siguientes:
    • a. CVD pulsante
    • b. Deposición nuclearia térmica controlada (CNTD), o
    • c. CVD intensificado por plasma o asistido por plasma, y
  • 2. Que reúnan cualquiera de las características siguientes:
    • a. Juntas rotatorias de alto vacío (igual o inferior a 0,01 Pa), o
    • b. Control del espesor del revestimiento in situ
• b. Equipos de producción para la implantación iónica que tengan corrientes de haz iguales o superiores a 5 mA
• c. Equipos de producción para el depósito en fase de vapor por método físico de haz de electrones (EB-PVD), que incorporen sistemas de alimentación tasados a más de 80 kW y que posean alguna de las características siguientes:
  • 1. Sistema de control "láser" del nivel del baño líquido que regule con precisión la velocidad de avance de los lingotes, o
  • 2. Dispositivo de vigilancia de la velocidad controlado por ordenador, que funcione de acuerdo con el principio de la fotoluminiscencia de los átomos ionizados en la corriente en evaporación, para controlar la velocidad de depósito de un revestimiento que contenga dos o más elementos
• d. Equipos de producción para la pulverización de plasma que presenten cualquiera de las características siguientes:
  • 1. Funcionamiento en atmósfera controlada a baja presión (igual o inferior a 10 kPa, medida por encima de la salida de la boquilla de la pistola y a una distancia máxima de 300 mm de esta) en una cámara de vacío capaz de evacuar hasta 0,01 Pa antes del proceso de pulverización, o
  • 2. Control del espesor del revestimiento in situ
• e. Equipos de producción para el depósito por pulverización catódica capaces de producir densidades de corriente iguales o superiores a 0,1 mA/mm2 a una velocidad de depósito igual o superior a 15 μm/h
• f. Equipos de producción para el depósito por arco catódico, dotados de una retícula de electroimanes para el control de la dirección del punto de arco en el cátodo
• g. Equipos de producción para la implantación iónica capaces de medir in situ alguna de las características siguientes:
  • 1. Espesor del revestimiento sobre el sustrato y control de la velocidad, o
  • 2. Características ópticas.

Nota: El artículo 2B005 no somete a control los equipos para depósito químico en fase de vapor, de arco catódico, depósito por pulverización catódica, sedimentación iónica o implantación iónica, diseñados especialmente para herramientas de corte o de mecanizado.

2B006

Sistemas, equipos, unidades de realimentación de posición y "conjuntos electrónicos" de control dimensional o de medida, según se indica:

• a. Máquinas de medida de coordenadas (CMM) controladas por ordenador, o bien por "control numérico", que tengan un error máximo tolerado tridimensional (volumétrico) de medida de la longitud (E0,EMT) en cualquier punto dentro del régimen de funcionamiento de la máquina (es decir, dentro de la longitud de los ejes) igual o inferior a (mejor que) (1,7 + L/1 000) μm (donde L es la longitud medida expresada en mm), según la norma ISO 10360-2:2009
  Nota técnica:
  Se comparará, con el umbral de 1,7 + L/1 000 μm, el E0,EMT de la configuración más precisa de la máquina de medida de coordenadas según la especificación del fabricante (p. ej., el mejor de los elementos siguientes: sonda, longitud de la aguja, parámetros de movimiento o entorno), y con "todas las compensaciones disponibles".
  N.B. VÉASE TAMBIÉN EL ARTÍCULO 2B206.
• b. Sistemas o instrumentos de medida del desplazamiento lineal, unidades de realimentación de posición lineal y "conjuntos electrónicos" de control dimensional o de medida, según se indica:
  Nota: Los interferómetros y los sistemas que midan los codificadores ópticos y contengan un "láser" solo están especificados en los subartículos 2B006.b.3 y 2B206.c.
  • 1. ‘Sistemas de medida del tipo sin contacto’ que tengan una "resolución" igual o inferior a (mejor que) 0,2 μm dentro del intervalo de 0 a 0,2 mm de la ‘gama de medida’
    Notas técnicas:
    A efectos del subartículo 2B006.b.1:
    • 1. los ‘Sistemas de medida del tipo sin contacto’ están diseñados para medir la distancia entre la sonda y el objeto medido a lo largo de un único vector cuando la sonda o el objeto medido están en movimiento.
    • 2. ‘gama de medida’ es la separación entre la distancia mínima de trabajo y la distancia máxima de trabajo.
  • 2. Unidades de realimentación de posición lineal, diseñadas especialmente para máquinas herramienta y que tengan una "exactitud" global inferior a (mejor que) (800 + [600 × L/1 000]) nm (siendo L la longitud efectiva en mm)
  • 3. Sistemas de medida que reúnan todas las características siguientes:
    • a. Que contengan un "láser",
    • b. Una resolución en toda la escala igual o inferior a (mejor que) 0,200 nm, y
    • c. Capaces de alcanzar una "incertidumbre de medida" igual o inferior a (mejor que) (1,6 + L/2 000) nm (donde L es la longitud medida expresada en mm), en cualquier punto dentro de un intervalo de medida, una vez compensado el índice de refracción del aire y medida a lo largo de un periodo de 30 segundos a una temperatura de 20 ± 0,01 °C, o
  • 4. "Conjuntos electrónicos" diseñados especialmente para proporcionar capacidad de realimentación en los sistemas especificados en el subartículo 2B006.b.3
• c. Unidades de realimentación de posición rotatoria, diseñadas especialmente para máquinas herramienta o instrumentos de medida del desplazamiento angular y que tengan una "exactitud" de posición angular igual o inferior a (mejor que) 0,9 segundos de arco.
  Nota: El subartículo 2B006.c no somete a control los instrumentos ópticos, como los autocolimadores, que utilicen luz colimada (por ejemplo, luz "láser") para detectar el desplazamiento angular de un espejo.
• d. Equipos destinados a medir irregularidades de superficie (incluidos los defectos de superficie) midiendo la dispersión óptica, con una sensibilidad de 0,5 nm o inferior (mejor).
  Nota: El artículo 2B006 incluye las máquinas herramienta distintas de las especificadas en el artículo 2B001 que puedan utilizarse como máquinas de medida, si cumplen o sobrepasan los criterios establecidos para la función de máquinas de medida.

2B007

"Robots" que tengan cualquiera de las características siguientes y controladores y "efectores terminales" diseñados especialmente para ellos:

N.B. VÉASE TAMBIÉN EL ARTÍCULO 2B207.

• a. Sin uso
• b. Estar diseñados especialmente para satisfacer las normas nacionales de seguridad relativas a entornos de armamento potencialmente explosivo
  Nota: El subartículo 2B007.b no somete a control los "robots" diseñados especialmente para cabinas de pintura.
• c. Estar diseñados especialmente o tener las características necesarias para resistir una dosis de radiación absorbida total superior a 5 × 103 Gy (silicio) sin degradación operativa, o
  Nota técnica:
  El término Gy (silicio) se refiere a la energía en julios por kilo absorbida por una muestra de silicio sin protección expuesta a radiaciones ionizantes.
• d. Estar diseñados especialmente para trabajar a alturas superiores a 30 000 m.

2B008

‘Mesas rotativas compuestas’ y "husillos basculantes" diseñados especialmente para máquinas herramienta, según se indica:

• a. Sin uso
• b. Sin uso
• c. ‘Mesas rotativas compuestas’ que reúnan todas las características siguientes:
  • 1. Diseñadas para máquinas herramienta para torneado, fresado o rectificado, y
  • 2. Dos ejes de rotación diseñados para coordinarse simultáneamente para el "control de contorneado"
  
  Nota técnica:
  Una ‘mesa rotativa compuesta’ es una mesa que permite a la pieza girar e inclinarse alrededor de dos ejes no paralelos.
• d. "Husillos basculantes" que reúnan todas las características siguientes:
  • 1. Diseñados para máquinas herramienta para torneado, fresado o rectificado, y
  • 2. Diseñados para coordinarse simultáneamente para el "control de contorneado".

2B009

Máquinas de conformación por rotación y máquinas de conformación por estirado que, de acuerdo con las especificaciones técnicas del fabricante, puedan ser equipadas con unidades de "control numérico" o controladas por ordenador y que reúnan todas las características siguientes:

N.B. VÉANSE TAMBIÉN LOS ARTÍCULOS 2B109 Y 2B209.

• a. Tres o más ejes que puedan coordinarse simultáneamente para el "control de contorneado", y
• b. Una fuerza en rodillo superior a 60 kN.

Nota técnica:

A efectos del artículo 2B009, las máquinas que combinen las funciones de conformación por rotación y por estirado se consideran como máquinas de conformación por estirado.

2B104

"Prensas isostáticas", distintas de las especificadas en el artículo 2B004, que reúnan todas las características siguientes:

N.B. VÉASE TAMBIÉN EL ARTÍCULO 2B204.

• a. Presión de trabajo máxima de 69 MPa o superior
• b. Estar diseñadas para conseguir y mantener un ambiente termal controlado de 873 K (600 °C) o superior, y
• c. Poseer una cavidad de la cámara con un diámetro interior de 254 mm o superior.

2B105

Hornos de depósito químico en fase de vapor (CVD), distintos de los especificados en el sub artículo 2B005.a, diseñados o modificados para la densificación de "materiales compuestos" (composites) carbono-carbono.

2B109

Máquinas de conformación por estirado distintas de las especificadas en el artículo 2B009, utilizables en la "producción" de componentes y equipos de propulsión (por ejemplo, carcasas de motores e interetapas) para ‘misiles’, y componentes diseñados especialmente, según se indica:

N.B. VÉASE TAMBIÉN EL ARTÍCULO 2B209.

• a. Máquinas de conformación por estirado que reúnan todo lo siguiente:
  • 1. Que estén equipadas o, de acuerdo con la especificación técnica del fabricante, puedan ser equipadas con unidades de "control numérico" o control por ordenador, y
  • 2. Más de dos ejes que puedan coordinarse simultáneamente para el "control de contorneado".
• b. Componentes diseñados especialmente para máquinas de conformación por estirado (flow forming) especificadas en los artículos 2B009 o 2B109.a.

Nota técnica:

Las máquinas que combinen las funciones de conformación por rotación y por estirado se consideran, a efectos del artículo 2B109, como de conformación por estirado.

2B116

Sistemas para ensayo de vibraciones, equipos y componentes para ellos, según se indica:

• a. Sistemas para ensayo de vibraciones que empleen técnicas de realimentación o de bucle cerrado y que incorporen un controlador digital, capaces de someter a un sistema a vibraciones con una aceleración igual o superior a 10 g RMS entre los 20 Hz y los 2 kHz al tiempo que ejercen fuerzas iguales o superiores a 50 kN, medidas a ‘mesa vacía’ (bare table)
• b. Controladores digitales, combinados con programas informáticos concebidos especialmente para ensayos de vibraciones, con un ‘ancho de banda de control en tiempo real’ superior a 5 kHz, diseñados para su uso en los sistemas para ensayos de vibraciones especificados en el subartículo 2B116.a
  Nota técnica:
  En el subartículo 2B116.b, el "ancho de banda de control en tiempo real" se refiere a la velocidad máxima a la que un controlador puede ejecutar ciclos completos de muestreo, procesamiento de datos y transmisión de señales de control.
• c. Impulsores para vibración (unidades agitadoras), con o sin los amplificadores asociados, capaces de impartir una fuerza igual o superior a 50 kN, medida a ‘mesa vacía’ (bare table), y utilizables en los sistemas para ensayos de vibraciones especificados en el subartículo 2B116.a
• d. Estructuras de soporte de la pieza que va a someterse a ensayo y unidades electrónicas diseñadas para combinar unidades agitadoras múltiples en un sistema capaz de impartir una fuerza efectiva combinada igual o superior a 50 kN, medida a ‘mesa vacía’ (bare table), y utilizables en los sistemas para ensayos de vibraciones especificados en el subartículo 2B116.a.

Nota técnica:

En el artículo 2B116, ‘mesa vacía’ (bare table) significa una mesa o una superficie plana, sin guarniciones ni accesorios.

2B117

Equipo y controles de proceso, distintos de los especificados en los artículos 2B004, 2B104 o 2B105, o en el subartículo 2B005.a, diseñados o modificados para la densificación y pirólisis de las estructuras de toberas de cohetes y ojivas de vehículos de reentrada, fabricadas con "materiales compuestos" (composites).

2B119

Máquinas de equilibrado (balancing machines) y equipo relacionado, según se indica:

N.B. VÉASE TAMBIEN EL ARTÍCULO 2B219.

• a. Máquinas de equilibrado que posean todas las características siguientes:
  • 1. Que no puedan equilibrar rotores/conjuntos con una masa superior a 3 kg
  • 2. Que sean capaces de equilibrar rotores/conjuntos a velocidades superiores a 12 500 rpm
  • 3. Que sean capaces de corregir el equilibrado en dos planos o más, y
  • 4. Que sean capaces de equilibrar hasta un desequilibrio residual específico de 0,2 g mm por kg de la masa del rotor
  
  Nota: El subartículo 2B119.a no somete a control las máquinas de equilibrado diseñadas o modificadas para equipos dentales u otros fines médicos.
• b. Cabezas indicadoras (indicator heads) diseñadas o modificadas para uso con las máquinas especificadas en el subartículo 2B119.a.

Nota técnica:

Las cabezas indicadoras son a veces conocidas como instrumentación de equilibrado.

2B120

Simuladores de movimientos o mesas de velocidad (rate tables) que presenten todas las características siguientes:

• a. Dos o más ejes
• b. Que hayan sido diseñados o modificados para incorporar anillos deslizantes o dispositivos integrados sin contacto capaces de transferir corriente eléctrica, señal de información o ambas cosas, y
• c. Que posean cualquiera de las siguientes características:
  • 1. Para cualquier eje único, que se ajusten a todo lo siguiente:
    • a. Capaz de alcanzar velocidades de 400 grados/s o más, o 30 grados/s o menos, y
    • b. Una resolución de velocidad igual o menor que 6 grados/s y una exactitud igual o menor a 0,6 grados/s
  • 2. Que tengan en las peores condiciones una estabilidad de velocidad igual o mejor que (inferior a) más o menos 0,05 % como valor medio sobre 10 grados o más, o
  • 3. Una "exactitud" de posicionamiento igual o inferior a (mejor que) 5″.

Nota 1: El artículo 2B120 no somete a control las mesas rotativas diseñadas o modificadas como máquina herramienta o para equipo médico. Para el control de las mesas rotativas de máquinas herramienta, véase el artículo 2B008.

Nota 2: Los simuladores de movimientos o mesas de velocidad (rate tables) especificados en el artículo 2B120 están sometidos a control con independencia de que, en el momento de la exportación, lleven incorporados o no anillos deslizantes o dispositivos integrados sin contacto.

2B121

Mesas de posicionado (positioning tables) -equipo capaz de un posicionado rotatorio preciso en cualquier eje-, distinto del especificado en el artículo 2B120, que posean todas las características siguientes:

• a. Dos o más ejes, y
• b. Una "exactitud" de posicionamiento igual o inferior a (mejor que) 5″.

Nota: El artículo 2B121 no somete a control las mesas rotativas diseñadas o modificadas como máquina herramienta o para equipo médico. Para el control de las mesas rotativas de máquinas herramienta, véase el artículo 2B008.

2B122

Centrífugas capaces de impartir aceleraciones superiores a 100 g y que hayan sido diseñadas o modificadas para incorporar anillos deslizantes o dispositivos integrados sin contacto capaces de transferir corriente eléctrica, señal de información o ambas cosas.

Nota: Las centrífugas especificadas en el artículo 2B122 están sometidas a control con independencia de que, en el momento de la exportación, lleven incorporados anillos deslizantes o dispositivos integrados sin contacto.

2B201

Máquinas herramienta, y cualquier combinación de ellas distintas de las especificadas en el artículo 2B001, según se indica, para el arranque o corte de metales, materiales cerámicos o "materiales compuestos" (composites), que, según las especificaciones técnicas del fabricante, puedan dotarse de dispositivos electrónicos para el "control de contorneado" simultáneo en dos o más ejes:

Nota técnica :

Pueden utilizarse para cada modelo de máquina herramienta los niveles de exactitud de posicionamiento declarados que se obtengan, mediante los métodos siguientes, a partir de mediciones efectuadas de acuerdo con la norma ISO 230-2:1988 (12) o las normas nacionales equivalentes, si así lo prevén y aceptan las autoridades nacionales, en lugar de someter las máquinas a ensayos individuales. Determinación de la exactitud de posicionamiento declarada:

• a. Seleccionar cinco máquinas del modelo que se quiere evaluar.
• b. Medir las precisiones de los ejes lineales según la norma ISO 230-2:1988 (12) .
• c. Establecer los valores de la exactitud (A) de cada eje de cada máquina. El método de cálculo del valor de la exactitud se describe en la norma ISO 230-2:1988 (12)
• d. Determinar la media de la exactitud de cada eje. Este valor medio será la exactitud de posicionamiento declarada de cada eje para el modelo (Âx Ây...).
• e. Como el artículo 2B201 se refiere a cada eje lineal, habrá tantos valores de exactitud de posicionamiento declarada como ejes lineales.
• f. En caso de que el eje de alguna máquina herramienta no especificada en los subartículos 2B201.a, 2B201.b o 2B201.c tenga una exactitud de posicionamiento declarada de 6 μm o mejor (inferior) para las máquinas de rectificado, y 8 μm o mejor (inferior) para máquinas para fresado y torneado, en ambos casos con arreglo a la norma ISO 230-2:1988 (12) , debe pedirse al fabricante que compruebe el nivel de la exactitud cada dieciocho meses.

• a. Máquinas herramienta para fresado que posean cualquiera de las características siguientes:
  • 1. Exactitud de posicionamiento con "todas las compensaciones disponibles", iguales o inferiores a (mejores que) 6 μm, de conformidad con la norma ISO 230-2:1988 (12) o las normas nacionales equivalentes en cualquiera de los ejes lineales
  • 2. Dos o más ejes de rotación de contorneado, o
  • 3. Cinco o más ejes que puedan coordinarse simultáneamente para el "control de contorneado"
    Nota: El subartículo 2B201.a no somete a control las máquinas para fresado que reúnan las características siguientes:
    • a. Desplazamiento en el eje × superior a 2 m, y
    • b. Exactitud de posicionamiento global en el eje × superior a (peor que) 30 μm.
• b. Máquinas herramienta para rectificado que reúnan cualquiera de las características siguientes:
  • 1. Exactitud de posicionamiento con "todas las compensaciones disponibles", iguales o inferiores a (mejores que) 4 μm, de conformidad con la norma ISO 230-2:1988 (12) o las normas nacionales equivalentes en cualquiera de los ejes lineales
  • 2. Dos o más ejes de rotación de contorneado, o
  • 3. Cinco o más ejes que puedan coordinarse simultáneamente para el "control de contorneado"
    Nota: El subartículo 2B201.b no somete a control las máquinas para rectificado que se indican a continuación:
    • a. Máquinas de rectificado cilíndrico externo, interno o externo-interno que posean todas las características siguientes:
      • 1. Limitarse a una capacidad máxima para piezas de 150 mm de diámetro exterior o longitud, y
      • 2. Ejes limitados a x, z y c
    • b. Rectificadores de coordenadas que no dispongan del eje z o del eje w, con una exactitud de posicionamiento global inferior a (mejor que) 4 μm, de conformidad con la norma ISO 230-2:1988 (12) o las normas nacionales equivalentes.
• c. Máquinas herramienta para torneado que tengan unas exactitudes de posicionamiento con "todas las compensaciones disponibles" mejores que (inferiores a) 6 μm, de conformidad con la norma ISO 230-2:1988 (12) en cualquiera de los ejes lineales (posicionamiento global) para máquinas capaces de mecanizar diámetros superiores a 35 mm.
  Nota: El subartículo 2B201.c no somete a control las máquinas de barra (Swissturn) que se limitan a trabajar las barras, si el diámetro máximo de las barras es igual o inferior a 42 mm y no es posible montar mandriles. Las máquinas pueden ser capaces de perforar y/o fresar piezas de un diámetro inferior a 42 mm.
  Nota 1: El artículo 2B201 no somete a control las máquinas herramienta para fines específicos limitadas a la fabricación de cualquiera de las siguientes piezas:
  • a. engranajes
  • b. cigüeñales o árboles de levas
  • c. herramientas o cuchillas
  • d. tornillos extrusores.

Nota 2: La máquina herramienta que pueda realizar al menos dos de las tres funciones de torneado, fresado y rectificado (por ejemplo, una máquina de torneado que también sea fresadora) tendrá que ser evaluada respecto de cada uno de los subartículos 2B201.a., .b. o .c. que le sean aplicables.

Nota 3: Los subartículos 2B201.a.3 y 2B201.b.3 incluyen las máquinas basadas en un diseño lineal paralelo cinemático (por ejemplo, los hexápodos) que tienen cinco o más ejes, ninguno de los cuales es un eje de rotación.

2B204

"Prensas isostáticas" distintas de las especificadas en los artículos 2B004 o 2B104 y equipos correspondientes, según se indica:

• a. "Prensas isostáticas" que reúnan las dos características siguientes:
  • 1. Ser capaces de desarrollar una presión de funcionamiento máxima de 69 MPa o superior, y
  • 2. Tener una cámara de diámetro interior superior a 152 mm
• b. Matrices, moldes o controles, diseñados especialmente para "prensas isostáticas" especificadas en el subartículo 2B204.a.

Nota técnica:

En el artículo 2B204, la dimensión de la cámara interior es la de la cámara en la que se alcanzan tanto la temperatura de funcionamiento como la presión de funcionamiento, excluidos los accesorios. Dicha dimensión será bien la del diámetro interior de la cámara de presión o bien la del diámetro interior de la cámara aislada del horno, y concretamente la menor de ambas, en función de cuál de las cámaras esté situada en el interior de la otra.

2B206

Máquinas, instrumentos o sistemas de control dimensional, distintos de los especificados en el artículo 2B006, según se indica:

• a. Máquinas de medida de coordenadas (CMM) controladas por ordenador o numéricamente que posean cualquiera de las características siguientes:
  • 1. Que tengan solo dos ejes y un error máximo tolerado de medida de la longitud a lo largo de cualquier eje (unidimensional), identificado como cualquier combinación E0x,MPE, E0y,MPE, o E0z,MPE, igual o inferior a (mejor que) (1,25 + L/1 000) μm (donde L es la longitud medida expresada en mm), en cualquier punto dentro del régimen de funcionamiento de la máquina (es decir, dentro de la longitud de los ejes), según la norma ISO 10360-2:2009, o
  • 2. Que tengan tres o más ejes y un error máximo tolerado tridimensional (volumétrico) de medida de la longitud (E0,EMT), igual o inferior a (mejor que) (1,7 + L/800) μm (donde L es la longitud medida expresada en mm), en cualquier punto dentro del régimen de funcionamiento de la máquina (es decir, dentro de la longitud de los ejes), según la norma ISO 10360-2:2009.
  
  Nota técnica:
  Se comparará, con el umbral de (1,7 + L/800) μm, el E0,EMT de la configuración más precisa de la máquina de medida de coordenadas según la especificación del fabricante con arreglo a la norma ISO 10360-2:2009 (p. ej., el mejor de los elementos siguientes: sonda, longitud de la aguja, parámetros de movimiento o entorno) y con todas las compensaciones disponibles.
• b. Sistemas de control simultáneo lineal y angular de semicascos que posean las dos características siguientes:
  • 1. "Incertidumbre de medida" en cualquier eje lineal igual o inferior a (mejor que) 3,5 μm en 5 mm, y
  • 2. "Desviación de posición angular" igual o inferior a 0,02°.
• c. Sistemas de medida de ‘desplazamiento lineal’ que reúnan todas las características siguientes:
  Nota técnica:
  A efectos del subartículo 2B206.c, un ‘desplazamiento lineal’ es el cambio de distancia entre la sonda de medición y el objeto medido.
  • 1. Que contengan un "láser", y
  • 2. Capaces de mantener durante 12 horas como mínimo, a una temperatura de ± 1 K (± 1 °C) en torno a una temperatura normalizada y una presión normalizada, todas las características siguientes:
    • a. Una "resolución", en toda la escala, igual a 0,1 μm o mejor, y
    • b. Con una "incertidumbre de medida" igual o mejor que (inferior a) (0,2 + L/2 000) μm (donde L es la longitud medida expresada en mm).
  
  Nota: El subartículo 2B206.c no somete a control los sistemas de medida con interferómetros, sin bucle de realimentación abierto o cerrado, que contengan un láser para medir los errores de movimiento del carro de las máquinas herramienta, de las máquinas de control dimensional o de equipos similares.
• d. Sistemas de transformador diferencial de variación lineal (LVDT) que tengan las dos características siguientes:
  Nota técnica:
  A efectos del subartículo 2B206.d, un ‘desplazamiento lineal’ es el cambio de distancia entre la sonda de medición y el objeto medido.
  • 1. Que presenten cualquiera de las características siguientes:
    • a. Una "linealidad" igual o inferior a (mejor que) un 0,1 % medida desde 0 hasta el régimen de funcionamiento completo, para los LVDT con un régimen de funcionamiento de hasta 5 mm, o
    • b. Una "linealidad" igual o inferior a (mejor que) un 0,1 % medida desde 0 hasta 5 mm, para los LVDT con un régimen de funcionamiento superior a 5 mm, y
  • 2. Una variación igual o inferior a (mejor que) un 0,1 % por día a la temperatura ambiente estándar de las salas de ensayo ± 1 K (± 1 °C).

Nota 1: Las máquinas herramienta que puedan utilizarse como máquinas de medida quedan sometidas a control si cumplen o sobrepasan los criterios especificados para la función de máquinas herramienta o para la función de máquinas de medida.

Nota 2: Toda máquina especificada en el artículo 2B206 queda sometida a control si sobrepasa el límite de control en cualquier punto de su régimen de funcionamiento.

Notas técnicas:

Todos los parámetros de valores de medida en el artículo 2B206 representan más/menos, es decir, no toda la banda.

2B207

"Robots", "efectores terminales" y unidades de control, distintos de los especificados en el artículo 2B007, según se indica:

• a. "Robots" o "efectores terminales" diseñados especialmente para cumplir las normas nacionales de seguridad aplicables a la manipulación de explosivos de gran potencia (por ejemplo, satisfacer las especificaciones del código eléctrico para explosivos de gran potencia)
• b. Unidades de control diseñadas especialmente para cualquiera de los "robots" o "efectores terminales" especificados en el subartículo 2B207.a.

2B209

Máquinas de conformación por estirado, máquinas de conformación por rotación, capaces de desempeñar funciones de conformación por estirado, distintas de las especificadas en los artículos 2B009 o 2B109, y mandriles, según se indica:

• a. Máquinas que posean todas las características siguientes:
  • 1. Tres o más rodillos (activos o de guía), y
  • 2. Que, de acuerdo con la especificación técnica del fabricante, puedan ser equipadas con unidades de "control numérico" o con control por ordenador
• b. Mandriles para la conformación de rotores diseñados para formar rotores cilíndricos de diámetro interior entre 75 mm y 400 mm.

Nota: El subartículo 2B209.a incluye las máquinas que tengan solo un rodillo único diseñado para deformar el metal más dos rodillos auxiliares que sirvan de apoyo al mandril, pero que no participen directamente en el proceso de deformación.

2B219

Máquinas de equilibrado multiplano de centrífugas, fijas o móviles, horizontales o verticales, según se indica:

• a. Máquinas de equilibrado de centrífugas diseñadas para equilibrar rotores flexibles, que tengan una longitud igual o superior a 600 mm y todas las características siguientes:
  • 1. Un diámetro nominal, o un diámetro máximo con oscilación, de más de 75 mm
  • 2. Capacidad para masas de entre 0,9 y 23 kg y
  • 3. Capacidad de equilibrar velocidades de revolución superiores a 5 000 r.p.m.
• b. Máquinas de equilibrado de centrífugas diseñadas para equilibrar componentes de rotor cilíndricos huecos y que reúnan todas las características siguientes:
  • 1. Diámetro nominal igual o superior a 75 mm
  • 2. Capacidad para masas de entre 0,9 y 23 kg
  • 3. Desequilibrio residual específico mínimo realizable igual o inferior a 10 g × mm/kg por plano, y
  • 4. Del tipo accionado por correa.

2B225

Manipuladores a distancia que puedan usarse para efectuar acciones a distancia en las operaciones de separación radioquímica o en celdas calientes que posean cualquiera de las características siguientes:

• a. Capacidad para atravesar una pared de celda caliente de 0,6 m o más (operación a través de la pared), o
• b. Capacidad para pasar por encima de una pared de celda caliente de 0,6 m o más de grosor (operación por encima de la pared).

Nota técnica:

Los manipuladores a distancia traducen las acciones de un operador humano a un brazo operativo y una sujeción terminal a distancia. Los manipuladores pueden ser del tipo ‘maestro/esclavo’ o estar accionados por palanca universal o teclado numérico.

2B226

Hornos de inducción en atmósfera controlada (al vacío o gas inerte), excepto los especificados en los artículos 9B001 y 3B001, y las fuentes de alimentación correspondientes, según se indica:

N.B. VÉANSE TAMBIÉN LOS ARTÍCULOS 3B001 y 9B001.

• a. Hornos que reúnan todas las características siguientes:
  • 1. Ser capaces de funcionar a más de 1 123 K (850 °C)
  • 2. Estar equipados con bobinas de inducción de 600 mm o menos de diámetro, y
  • 3. Estar diseñados para potencias de entrada de 5 kW o más
  
  Nota: El subartículo 2B226.a no somete a control los hornos diseñados para la transformación de obleas de semiconductores.
• b. Fuentes de alimentación diseñadas especialmente para los hornos especificados en el subartículo 2B226.a, con una potencia de salida de 5 kW o más.

2B227

Hornos metalúrgicos de fusión y de fundición, de vacío u otras formas de atmósfera controlada, y los equipos correspondientes, según se indica:

• a. Hornos de refusión de arco, hornos de fusión de arco y hornos de fundición y fusión de arco que presenten las dos características siguientes:
  • 1. Electrodos consumibles de capacidad comprendida entre 1 000 cm3 y 20 000 cm3, y
  • 2. Capacidad de funcionar a temperaturas de fusión superiores a 1 973 K (1 700 °C)
• b. Hornos de fusión de haz de electrones, hornos de atomización por plasma y hornos de fusión por plasma, que posean las dos características siguientes:
  • 1. Potencia igual o superior a 50 kW, y
  • 2. Capacidad de funcionar a temperaturas de fusión superiores a 1 473 K (1 200 °C)
• c. Control por ordenador y sistemas de supervisión configurados especialmente para cualquiera de los hornos especificados en los subartículos 2B227.a o 2B227.b
• d. Antorchas de plasma diseñadas especialmente para hornos especificados en el subartículo 2B227.b y que tengan las dos características siguientes:
  • 1. Poder funcionar a una potencia superior a 50 kW, y
  • 2. Capacidad de funcionar a temperaturas superiores a 1 473 K (1 200 °C)
• e. Cañones de haz de electrones especialmente diseñados para los hornos especificados en el sub artículo 2B227.b que funcionen a una potencia superior a 50 kW.

2B228

Equipos de fabricación o ensamblado de rotores, equipos de enderezamiento de rotores y mandriles y matrices para la conformación de fuelles, según se indica:

• a. Equipos de ensamblado de rotores para ensamblar secciones de tubos de rotor, pantallas y cofias de centrífugas gaseosas
  Nota: El subartículo 2B228.a incluye los mandriles de precisión, las abrazaderas y las máquinas de ajuste por contracción asociados.
• b. Equipos de enderezamiento de rotores para alinear las secciones de los tubos de los rotores de las centrífugas gaseosas a un eje común
  Nota técnica:
  En el subartículo 2B228.b, estos equipos consisten normalmente en probetas de medida de precisión conectadas con un ordenador que, subsiguientemente, controla la acción de, por ejemplo, arietes neumáticos utilizados para alinear las secciones del tubo del rotor.
• c. Mandriles para la conformación de fuelles y matrices para la producción de fuelles de forma convolutiva simple.

Nota técnica:

En el subartículo 2B228.c, los fuelles presentan todas las características siguientes:

• 1. Diámetro interior comprendido entre 75 mm y 400 mm
• 2. Longitud igual o superior a 12,7 mm,
• 3. Paso superior a 2 mm, y
• 4. Estar hechos con aleaciones de aluminio de gran tenacidad, acero martensítico envejecido o ‘materiales fibrosos o filamentosos’ de gran tenacidad.

2B230

Todos los tipos de ‘transductores de presión’ capaces de medir la presión absoluta y que se ajusten a todas las características siguientes:

• a. Elementos sensores de la presión fabricados o protegidos con aluminio, aleaciones de aluminio, óxido de aluminio (alúmina o zafiro), níquel, aleaciones de níquel con más del 60 % de níquel en peso o polímeros de hidrocarburos totalmente fluorados
• b. Juntas, en caso de existir, esenciales para sellar el elemento sensor de la presión, y en contacto directo con el medio que está siendo procesado, fabricadas o protegidas con aluminio, aleaciones de aluminio, óxido de aluminio (alúmina o zafiro), níquel, aleaciones de níquel con más del 60 % de níquel en peso o polímeros de hidrocarburos totalmente fluorados, y
• c. Que posean alguna de las características siguientes:
  • 1. Una escala total de menos de 13 kPa y una "exactitud" superior al 1 % de la escala total, o
  • 2. Una escala total de 13 kPa o más y una ‘exactitud’ superior a 130 Pa cuando se mide a 13 kPa.
  
  Notas técnicas:
  • 1. En el artículo 2B230, el ‘transductor de presión’ es un dispositivo que convierte una medida de presión en una señal.
  • 2. A efectos del artículo 2B230, la ‘exactitud’ incluye la falta de linealidad, la histéresis y la repetibilidad a temperatura ambiente.

2B231

Bombas de vacío que reúnan todas las características siguientes:

• a. Tamaño del orificio de entrada igual o superior a 380 mm
• b. Velocidad de bombeo igual o superior a 15 m3 por segundo, y
• c. Capacidad de producir un vacío final mejor que 13 mPa.

Notas técnicas:

• 1. La velocidad de bombeo se determina en el punto de medición con nitrógeno gaseoso o aire.
• 2. El vacío final se determina en la entrada de la bomba, con la entrada de la bomba bloqueada.

2B232

Sistemas de cañón de alta velocidad (propulsantes, de gas, de bobina, electromagnéticos, de tipo electrotérmico y otros sistemas avanzados), capaces de acelerar proyectiles a una velocidad de 1,5 km/s o más.

N.B. VÉASE ASIMISMO LA RELACIÓN DE MATERIAL DE DEFENSA.

2B233

Compresores de desplazamiento (scroll) herméticos de fuelle y bombas de vacío de desplazamiento (scroll) herméticas de fuelle que posean todas las características siguientes:

N.B. VÉASE TAMBIÉN EL SUBARTÍCULO 2B350.i.

• a. Capaces de una velocidad de flujo de volumen de admisión de 50 m3/h o superior
• b. Capaces de funcionar a relaciones de presión de 2:1 o superiores, y
• c. Que tengan todas las superficies que entran en contacto con el gas del proceso hechas de cualquiera de los siguientes materiales:
  • 1. Aluminio o aleación de aluminio
  • 2. Óxido de aluminio
  • 3. Acero inoxidable
  • 4. Níquel o aleaciones de níquel
  • 5. Malla de bronce, o
  • 6. Fluoropolímeros.

2B350

Instalaciones, equipos y componentes químicos de fabricación, según se indica:

• a. Cubas de reacción o reactores, con o sin agitadores, con un volumen interno total (geométrico) superior a 0,1 m3 (100 litros) e inferior a 20 m3 (20 000 litros), en las que todas las superficies que entran en contacto directo con el componente o componentes químicos contenidos, o que están siendo transformados, estén hechas de cualquiera de los siguientes materiales:
  N.B. En relación con los conjuntos de reparación prefabricados, véase el subartículo 2B350.k.
  • 1. ‘Aleaciones’ con más del 25 % de níquel y del 20 % de cromo, en peso
  • 2. Fluoropolímeros (polímeros o elastómeros con más del 35 % de flúor en peso)
  • 3. Vidrio (incluidos los recubrimientos vitrificados o esmaltados, o los forrados de vidrio)
  • 4. Níquel o ‘aleaciones’ con más del 40 % de níquel en peso
  • 5. Tántalo o ‘aleaciones’ de tántalo
  • 6. Titanio o ‘aleaciones’ de titanio
  • 7. Circonio o ‘aleaciones’ de circonio, o
  • 8. Niobio (columbio) o ‘aleaciones’ de niobio
• b. Agitadores concebidos para su uso en las cubas de reacción o los reactores especificados en el sub artículo 2B350.a., e impulsadores, paletas o ejes diseñados para esos agitadores, donde todas las superficies del agitador que entren en contacto directo con el componente o componentes químicos contenidos, o que estén siendo procesados, estén hechas de cualquiera de los siguientes materiales:
  • 1. ‘Aleaciones’ con más del 25 % de níquel y del 20 % de cromo, en peso
  • 2. Fluoropolímeros (polímeros o elastómeros con más del 35 % de flúor en peso)
  • 3. Vidrio (incluidos los recubrimientos vitrificados o esmaltados, o los forrados de vidrio)
  • 4. Níquel o ‘aleaciones’ con más del 40 % de níquel en peso
  • 5. Tántalo o ‘aleaciones’ de tántalo
  • 6. Titanio o ‘aleaciones’ de titanio
  • 7. Circonio o ‘aleaciones’ de circonio, o
  • 8. Niobio (columbio) o ‘aleaciones’ de niobio
• c. Tanques de almacenaje, contenedores o receptores con un volumen interno total (geométrico) superior a 0,1 m3 (100 litros), en los que todas las superficies que entren en contacto directo con el componente o componentes químicos contenidos, o que estén siendo transformados, estén hechas de cualquiera de los siguientes materiales:
  N.B. En relación con los conjuntos de reparación prefabricados, véase el subartículo 2B350.k.
  • 1. ‘Aleaciones’ con más del 25 % de níquel y del 20 % de cromo, en peso
  • 2. Fluoropolímeros (polímeros o elastómeros con más del 35 % de flúor en peso)
  • 3. Vidrio (incluidos los recubrimientos vitrificados o esmaltados, o los forrados de vidrio)
  • 4. Níquel o ‘aleaciones’ con más del 40 % de níquel en peso
  • 5. Tántalo o ‘aleaciones’ de tántalo
  • 6. Titanio o ‘aleaciones’ de titanio
  • 7. Circonio o ‘aleaciones’ de circonio, o
  • 8. Niobio (columbio) o ‘aleaciones’ de niobio
• d. Intercambiadores de calor o condensadores con una superficie de transferencia de calor de más de 0,15 m2 y menos de 20 m2; y tubos, placas, bobinas o bloques (núcleos) diseñados para esos intercambiadores de calor o condensadores, en los que todas las superficies que entran en contacto directo con el componente o componentes químicos que estén siendo transformados, estén hechas de cualquiera de los siguientes materiales:
  • 1. ‘Aleaciones’ con más del 25 % de níquel y del 20 % de cromo, en peso
  • 2. Fluoropolímeros (polímeros o elastómeros con más del 35 % de flúor en peso)
  • 3. Vidrio (incluidos los recubrimientos vitrificados o esmaltados, o los forrados de vidrio)
  • 4. Grafito o ‘grafito de carbono’
  • 5. Níquel o ‘aleaciones’ con más del 40 % de níquel en peso
  • 6. Tántalo o ‘aleaciones’ de tántalo
  • 7. Titanio o ‘aleaciones’ de titanio
  • 8. Circonio o ‘aleaciones’ de circonio
  • 9. Carburo de silicio
  • 10. Carburo de titanio, o
  • 11. Niobio (columbio) o ‘aleaciones’ de niobio
• e. Columnas de destilación o de absorción con un diámetro interior superior a 0,1 m; y distribuidores de líquido, distribuidores de vapor o colectores de líquido diseñados para esas columnas de destilación o de absorción, en las que todas las superficies que entren en contacto directo con el componente o componentes químicos que estén siendo transformados, estén hechas de cualquiera de los siguientes materiales:
  • 1. ‘Aleaciones’ con más del 25 % de níquel y del 20 % de cromo, en peso
  • 2. Fluoropolímeros (polímeros o elastómeros con más del 35 % de flúor en peso)
  • 3. Vidrio (incluidos los recubrimientos vitrificados o esmaltados, o los forrados de vidrio)
  • 4. Grafito o ‘grafito de carbono’
  • 5. Níquel o ‘aleaciones’ con más del 40 % de níquel en peso
  • 6. Tántalo o ‘aleaciones’ de tántalo
  • 7. Titanio o ‘aleaciones’ de titanio
  • 8. Circonio o ‘aleaciones’ de circonio, o
  • 9. Niobio (columbio) o ‘aleaciones’ de niobio
• f. Equipos de llenado, manejados por control remoto, en los que todas las superficies que entren en contacto directo con el componente o componentes químicos que estén siendo transformados estén hechas de cualquiera de los siguientes materiales:
  • 1. ‘Aleaciones’ con más del 25 % de níquel y del 20 % de cromo, en peso, o
  • 2. Níquel o ‘aleaciones’ con más del 40 % de níquel en peso
• g. Válvulas y componentes según se indica:
  • 1. Válvulas que posean las dos características siguientes:
    • a. ‘Tamaño nominal’ de más de DN 10 o NPS 3/8, y
    • b. Que todas las superficies que entren en contacto directo con el componente o componentes químicos que estén siendo elaborados, transformados o contenidos estén hechas con ‘materiales resistentes a la corrosión’
  • 2. Válvulas, distintas de las especificadas en el subartículo 2B350.g.1, que reúnan todas las características siguientes:
    • a. Un ‘tamaño nominal’ igual o superior a DN 25 o NPS 1 e igual o inferior a DN 100 o NPS 4,
    • b. Camisas (cuerpos de válvula) o forros de camisas preformados
    • c. Un elemento de cierre concebido para ser intercambiable, y
    • d. Que todas las superficies de la camisa (cuerpo de la válvula) o forro de camisas preformado que entren en contacto directo con el componente o componentes químicos que estén siendo elaborados, transformados o contenidos estén hechas con "materiales resistentes a la corrosión"
  • 3. Componentes concebidos para las válvulas especificadas en los subartículos 2B350.g.1 o 2B350.g.2, en los que todas las superficies que entren en contacto directo con el componente o componentes químicos que estén siendo elaborados, transformados o contenidos estén hechas con ‘materiales resistentes a la corrosión’, según se indica:
    • a. Camisas (cuerpos de válvula)
    • b. Forros de camisas preformados
  
  Notas técnicas:
  • 1. A efectos del subartículo 2B350.g, los ‘materiales resistentes a la corrosión’ son cualquiera de los siguientes materiales:
    • a. Níquel o aleaciones con más del 40 % de níquel en peso
    • b. ‘Aleaciones’ con más del 25 % de níquel y del 20 % de cromo, en peso
    • c. Fluoropolímeros (polímeros o elastómeros con más del 35 % de flúor en peso)
    • d. Vidrio o revestimiento de vidrio (incluidos los recubrimientos vitrificados o esmaltados)
    • e. Tántalo o aleaciones de tántalo
    • f. Titanio o aleaciones de titanio
    • g. Circonio o aleaciones de circonio,
    • h. Niobio (columbio) o aleaciones de niobio o
    • i. Materiales cerámicos, según se indica:
      • 1. Carburo de silicio de pureza superior o igual al 80 % en peso
      • 2. Óxido de aluminio (alúmina) de pureza superior o igual al 99,9 % en peso
      • 3. Óxido de circonio (circonia)
  • 2. El ‘tamaño nominal’ se define como el menor de entre los diámetros de entrada y de salida.
  • 3. Los tamaños nominales (DN) de las válvulas se ajustan a la norma internacional ISO 6708:1995. Los tamaños nominales de tuberías (NPS) se ajustan a las normas ASME B36.10 o B36.19 o a las normas nacionales equivalentes.
• h. Sistemas de tuberías multipared que incorporen un puerto de detección de fugas, en los que todas las superficies que entren en contacto directo con el componente o componentes químicos contenidos, o que estén siendo transformados, estén hechas de cualquiera de los siguientes materiales:
  • 1. ‘Aleaciones’ con más del 25 % de níquel y del 20 % de cromo, en peso
  • 2. Fluoropolímeros (polímeros o elastómeros con más del 35 % de flúor en peso)
  • 3. Vidrio (incluidos los recubrimientos vitrificados o esmaltados, o los forrados de vidrio)
  • 4. Grafito o ‘grafito de carbono’
  • 5. Níquel o ‘aleaciones’ con más del 40 % de níquel en peso
  • 6. Tántalo o ‘aleaciones’ de tántalo
  • 7. Titanio o ‘aleaciones’ de titanio
  • 8. Circonio o ‘aleaciones’ de circonio o
  • 9. Niobio (columbio) o ‘aleaciones’ de niobio
• i. Bombas de sellado múltiple y bombas sin precinto, con una tasa de flujo máxima especificada por el fabricante superior a 0,6 m3/hora, o bombas de vacío con una tasa de flujo máxima especificada por el fabricante superior a 5 m3/hora, bajo condiciones normales de temperatura (273 K [0 °C]) y presión (101,3 kPa) distintas de las especificadas en el artículo 2B233; y camisas (cuerpos de bomba), forros de camisas preformados, impulsadores, rotores o toberas de bombas de chorro diseñados para esas bombas, en los que todas las superficies que entren en contacto directo con el componente o componentes químicos que estén siendo transformados, estén hechas de cualquiera de los siguientes materiales:
  • 1. ‘Aleaciones’ con más del 25 % de níquel y del 20 % de cromo, en peso
  • 2. Cerámicos
  • 3. Ferrosilicio (aleaciones de hierro con una proporción importante de silicio)
  • 4. Fluoropolímeros (polímeros o elastómeros con más del 35 % de flúor en peso)
  • 5. Vidrio (incluidos los recubrimientos vitrificados o esmaltados, o los forrados de vidrio)
  • 6. Grafito o ‘grafito de carbono’
  • 7. Níquel o ‘aleaciones’ con más del 40 % de níquel en peso
  • 8. Tántalo o ‘aleaciones’ de tántalo
  • 9. Titanio o ‘aleaciones’ de titanio
  • 10. Circonio o ‘aleaciones’ de circonio, o
  • 11. Niobio (columbio) o ‘aleaciones’ de niobio
  
  Nota técnica:
  En el subartículo 2B350.i, el término precinto se refiere exclusivamente a los precintos que entren en contacto directo con el componente o componentes químicos que estén siendo transformados (o para los que hayan sido concebidos), y ofrezcan una función de sellado en la que un eje motor rotatorio o alternativo pase a través de un cuerpo de bomba.
• j. Incineradoras proyectadas para la destrucción de las sustancias químicas especificadas en el artículo 1C350, que tengan un sistema de aprovisionamiento de residuos diseñado especialmente, con un sistema de manipulación particular y con una temperatura media de la cámara de combustión superior a 1 273 K (1 000 °C), en las cuales, todas las superficies del sistema de aprovisionamiento de residuos que entren en contacto directo con los residuos estén hechas o revestidas con cualquiera de los siguientes materiales:
  • 1. ‘Aleaciones’ con más del 25 % de níquel y del 20 % de cromo, en peso
  • 2. Cerámicos o
  • 3. Níquel o ‘aleaciones’ con más del 40 % de níquel en peso
• k. Conjuntos de reparación prefabricados con superficies metálicas que entren en contacto directo con la o las sustancias químicas procesadas, fabricados con tántalo o aleaciones de tántalo, según se indica, y los componentes diseñados especialmente para ellos:
  • 1. Diseñados para ser fijados mecánicamente a las cubas de reacción o reactores con revestimiento de vidrio especificados en el subartículo 2B350.a, o
  • 2. Diseñados para ser fijados mecánicamente a los tanques de almacenaje, contenedores o receptores con revestimiento de vidrio especificados en el subartículo 2B350.c.
  
  Nota: A efectos del artículo 2B350, los materiales utilizados para juntas, embalajes, precintos, tornillos, arandelas u otros componentes que desempeñen una función de estanqueidad no determinan el estatus de control, siempre que dichos componentes estén concebidos para ser intercambiables.
  Notas técnicas:
  • 1. El ‘grafito de carbono’ es un compuesto de carbono amorfo y grafito, que contiene más del 8 % de grafito en peso.
  • 2. Para los materiales enumerados en las entradas anteriores, el término ‘aleación’, cuando no va acompañado de una indicación de concentraciones específicas de ningún elemento, designa aquellas aleaciones en las que el metal identificado está presente en mayor porcentaje en peso que ningún otro elemento.

2B351

Monitores y sistemas de supervisión de gases tóxicos y sus sistemas de detección específicos, distintos de los especificados en el artículo 1A004, según se indica a continuación; y detectores, dispositivos sensores y cartuchos desechables de sensores para ellos:

• a. Diseñados para funcionar continuamente y ser utilizables en la detección de agentes para la guerra química o de las sustancias químicas especificadas en el artículo 1C350, en concentraciones inferiores a 0,3 mg/m3, o
• b. Diseñados para la detección de la actividad inhibidora de la colinesterasa.

2B352

Equipos de fabricación y manipulación de materiales biológicos, según se indica:

• a. Instalaciones de confinamiento y equipos relacionados con ellas tal como se indica:
  • 1. Instalaciones completas de confinamiento que reúnan los criterios para los niveles de confinamiento P3 o P4 (BL3, BL4, L3 o L4) especificados en el Manual de Bioseguridad en el Laboratorio de la OMS (3.a edición, Ginebra, 2004)
  • 2. Equipos diseñados para elementos fijos en las instalaciones de confinamiento especificadas en el subartículo 2B352.a, según se indica:
    • a. Autoclaves de descontaminación intercomunicados de puerta doble
    • b. Duchas de descontaminación para personas que lleven un traje con equipo de respiración
    • c. Puertas de tránsito con juntas de estanqueidad mecánicas o hinchables
• b. Fermentadores y componentes según se indica:
  • 1. Fermentadores capaces de cultivar "microorganismos" o células vivas para la producción de virus o toxinas, sin propagación de aerosoles, que tengan un volumen interior total mínimo de 20 litros
  • 2. Componentes diseñados para los fermentadores especificados en el subartículo 2B352.b.1, según se indica:
    • a. Cámaras de cultivo concebidas para ser esterilizadas o desinfectadas in situ
    • b. Dispositivos de sujeción de las cámaras de cultivo
    • c. Unidades de control de procesos capaces de llevar un seguimiento y control simultáneo de dos o más parámetros del sistema de fermentación (por ejemplo, temperatura, pH, nutrientes, agitación, oxígeno disuelto, caudal de aire o control de espuma)
  
  Notas técnicas:
  • 1. A efectos del subartículo 2B352.b, los fermentadores incluyen los biorreactores, los biorreactores de un solo uso (desechables), los quimiostatos y los sistemas de flujo continuo.
  • 2. Los dispositivos de sujeción de las cámaras de cultivo incluyen las cámaras de cultivo de un solo uso con paredes rígidas.
• c. Separadores centrífugos, aptos para una separación continua sin propagación de aerosoles, que posean todas las características siguientes:
  • 1. Velocidad de flujo superior a 100 litros por hora
  • 2. Componentes de acero inoxidable pulido o titanio
  • 3. Una o varias juntas de estanqueidad dentro de la zona de confinamiento del vapor, y
  • 4. Capacidad de esterilización por vapor in situ estando cerrados
  
  Nota técnica:
  Los separadores centrífugos incluyen los decantadores.
• d. Equipos de filtración de flujo cruzado (tangencial) y sus componentes, según se indica:
  • 1. Equipos de filtración de flujo cruzado (tangencial) capaces de separar "microorganismos", virus, toxinas o cultivos de células, que reúnan todas las características siguientes:
    • a. Una superficie de filtración total igual o superior a 1 m2, y
    • b. Que posean cualquiera de las características siguientes:
      • 1. Que ofrezcan la posibilidad de esterilización o desinfección in situ, o
      • 2. Que utilicen componentes de filtración desechables o de un solo uso
        Nota técnica:
        A los efectos del subartículo 2B352.d.1.b, la esterilización se refiere a la eliminación de todos los microbios viables presentes en el equipo mediante el uso de agentes físicos (por ejemplo, vapor) o químicos. Por desinfección se designa la eliminación de la infectividad microbiana potencial en el equipo mediante el empleo de agentes químicos de efecto germicida. La desinfección y la esterilización se diferencian del saneamiento en que este último se refiere a los procedimientos de limpieza destinados a reducir el contenido microbiano en el equipo sin tener que llegar necesariamente a una eliminación total de la infectividad o viabilidad microbiana.
        Nota: El subartículo 2B352.d no somete a control los equipos de ósmosis inversa y de hemodiálisis, según las especificaciones del fabricante.
  • 2. Componentes de equipos de filtración de flujo cruzado (tangencial) (por ejemplo, módulos, elementos, carcasas, cartuchos, unidades o placas) con una superficie de filtración igual o superior a 0,2 m2 por componente, que estén diseñados para ser empleados en los equipos de filtración de flujo cruzado (tangencial) especificados en el subartículo 2B352.d
• e. Equipos de liofilización esterilizables por vapor o por gas, con una capacidad del condensador igual o superior a 10 kg de hielo en 24 horas e inferior a 1 000 kg de hielo en 24 horas
• f. Equipo protector y de confinamiento, según se indica:
  • 1. Trajes de protección, totales o parciales, o con capuchas dependientes de un suministro de aire externo unido al traje y que funcionen bajo una presión positiva
    Nota: El subartículo 2B352.f.1 no somete a control los trajes diseñados para usarse con un aparato de respiración contenido en el propio traje.
  • 2. Cámaras de contención biológica, aislantes o cámaras de seguridad biológica que reúnan todas las características siguientes en funcionamiento normal:
    • a. Espacio de trabajo completamente cerrado en el que el operador esté separado del trabajo por una barrera física
    • b. Capacidad de funcionar con presión negativa
    • c. Posibilidad de manipular productos con seguridad en el espacio de trabajo
    • d. Aire de entrada y salida del espacio de trabajo filtrado mediante un filtro HEPA
      Nota 1: El subartículo 2B352.f.2 incluye las cámaras de seguridad biológica de Clase III, tal como se describen en la última edición del Manual de Bioseguridad en el Laboratorio de la OMS o construidas con arreglo a normas, regulaciones u orientaciones nacionales.
      Nota 2: El subartículo 2B352.f.2. incluye cualquier aislante que reúna todas las características mencionadas anteriormente, con independencia de su uso previsto y su denominación.
      Nota 3: El subartículo 2B352.f.2 no incluye aislantes diseñados específicamente para técnicas de barrera en enfermería o para transportar pacientes con enfermedades contagiosas.
• g. Equipo de inhalación de aerosoles diseñados para ensayos de ataque de aerosoles con "microorganismos", virus o "toxinas", que reúnan las siguientes características:
  • 1. Cámaras de exposición de cuerpo entero con una capacidad igual o superior a 1 m3
  • 2. Dispositivo de exposición solo por la nariz mediante flujo de aerosol dirigido y con capacidad de exposición suficiente para cualquiera de los casos siguientes:
    • a. doce o más roedores, o
    • b. dos o más animales que no sean roedores
  • 3. Tubos cerrados de sujeción de animales diseñados para ser usados con dispositivos de exposición solo por la nariz mediante flujo de aerosol dirigido
• h. Equipos de secado por pulverización capaces de secar toxinas o "microorganismos" patógenos, que posean todas las características siguientes:
  • 1. Una capacidad de evaporación del agua ≥ 0,4 kg/hora y ≤ 400 kg/hora
  • 2. La capacidad de generar partículas de producto de un tamaño medio ≤ 10 μm con los equipos existentes o con una modificación mínima del secador por pulverización mediante unas toberas de atomización que permitan la generación del tamaño de partículas requerido, y
  • 3. Con posibilidad de esterilización o desinfección in situ
• i. Ensambladores y sintetizadores de ácido nucleico, parcial o enteramente automatizados y diseñados para generar ácidos nucleicos continuos de longitud superior a 1,5 kilobases con tasas de error inferiores al 5 % en un único desplazamiento.

2C Materiales

Ninguno.

2DProgramas informáticos

2D001

"Programas informáticos" distintos de los especificados en el artículo 2D002, según se indica:

• a. "Programas informáticos" especialmente diseñados o modificados para el "desarrollo" o la "producción" de los equipos especificados en los artículos 2A001 o 2B001 a 2B009
• b. "Programas informáticos" especialmente diseñados o modificados para la "utilización" de los equipos incluidos en el subartículo 2A001.c o los artículos 2B001 o 2B003 a 2B009.

Nota: El artículo 2D001 no somete a control los "programas informáticos" de programación de piezas que generen códigos de "control numérico" para mecanizar distintas piezas.

2D002

"Programas informáticos" destinados a dispositivos electrónicos, incluido el contenido en un dispositivo o en un sistema electrónico, que permitan a estos dispositivos o sistemas funcionar como una unidad de "control numérico" capaz de coordinar simultáneamente más de cuatro ejes para el "control de contorneado".

Nota 1: El artículo 2D002 no somete a control los "programas informáticos" especialmente diseñados o modificados para el funcionamiento de productos no especificados en la categoría 2.

Nota 2: El artículo 2D002 no somete a control los "programas informáticos" destinados a los productos especificados en el artículo 2B002. Para los "programas informáticos" destinados a los productos especificados en el artículo 2B002, véanse los artículos 2D001 y 2D003.

Nota 3: El artículo 2D002 no somete a control los "programas informáticos" que se exportan con (así como el mínimo necesario para el funcionamiento de) productos no especificados en la categoría 2.

2D003

"Programas informáticos" diseñados o modificados para el funcionamiento de los equipos especificados en el artículo 2B002, que convierten las funciones de eliminación de material, medición de las piezas de trabajo y diseño óptico en comandos de "control numérico" para conseguir la forma deseada para las piezas de trabajo.

2D101

"Programas informáticos" especialmente diseñados o modificados para la "utilización" de los equipos especificados en los artículos 2B104, 2B105, 2B109, 2B116, 2B117 o 2B119 a 2B122.

N.B. VÉASE TAMBIÉN EL ARTÍCULO 9D004.

2D201

"Programas informáticos" especialmente diseñados para la "utilización" del equipo especificado en los artículos 2B204, 2B206, 2B207, 2B209, 2B219 o 2B227.

2D202

"Programas informáticos" especialmente diseñados o modificados para el "desarrollo", la "producción" o la "utilización" de los equipos especificados en el artículo 2B201.

Nota: El artículo 2D202 no somete a control los "programas informáticos" de programación capaces de generar códigos de mando de "control numérico", pero que no permiten el uso directo de equipos para mecanizar distintas piezas.

2D351

"Programas informáticos", distintos de los especificados en el artículo 1D003, que han sido diseñados especialmente para la "utilización" de los equipos especificados en el artículo 2B351.

2E Tecnología

2E001

"Tecnología", de acuerdo con la Nota General de Tecnología, para el "desarrollo" del equipo o los "programas informáticos" especificados en las categorías 2A, 2B o 2D.

Nota: El artículo 2E001 incluye la "tecnología" para la integración de sistemas de sonda en máquinas de medida de coordenadas que se especifican en el subartículo 2B006.a.

2E002

"Tecnología", de acuerdo con la Nota General de Tecnología, para la "producción" de los equipos especificados en las categorías 2 A o 2 B.

2E003

Otras "tecnologías" según se indica:

• a. Sin uso
• b. "Tecnología" de los procesos industriales relativos al trabajo de los metales, según se indica:
  • 1. "Tecnología" de diseño de herramientas, moldes o montajes diseñados especialmente para los procedimientos siguientes:
    • a. "Conformación superplástica"
    • b. "Unión por difusión", o
    • c. ‘Prensado hidráulico por acción directa’
  • 2. Datos técnicos consistentes en métodos o parámetros de los procesos que se relacionan a continuación y que sirvan para controlar:
    • a. La "conformación superplástica" de las aleaciones de aluminio, las aleaciones de titanio o las "superaleaciones":
      • 1. Preparación de superficies
      • 2. Grado de deformación
      • 3. Temperatura
      • 4. Presión
    • b. La "unión por difusión" de las "superaleaciones" o las aleaciones de titanio:
      • 1. Preparación de superficies
      • 2. Temperatura
      • 3. Presión
    • c. El ‘prensado hidráulico por acción directa’ de las aleaciones de aluminio o las aleaciones de titanio:
      • 1. Presión
      • 2. Duración del ciclo
    • d. La ‘densificación isostática en caliente’ de las aleaciones de titanio, las aleaciones de aluminio o las "superaleaciones":
      • 1. Temperatura
      • 2. Presión
      • 3. Duración del ciclo
    
    Notas técnicas:
    • 1. ‘Prensado hidráulico por acción directa’: es un procedimiento de deformación mediante una vejiga flexible llena de líquido que se pone en contacto directo con la pieza que está previsto prensar.
    • 2. ‘Densificación isostática en caliente’: es un procedimiento en el que se somete a presión una pieza de fundición a temperatura superior a 375 K (102 °C) en un recinto cerrado, por diferentes medios (gas, líquido, partículas sólidas, etc.), para generar una fuerza de igual intensidad en todas las direcciones encaminada a reducir o eliminar los rechupes (cavidades) de la pieza de fundición.
• c. "Tecnología" encaminada al "desarrollo" o la "producción" de máquinas de conformación hidráulica por estirado y de moldes para ellas, a fin de fabricar estructuras de fuselajes de aeronaves
• d. Sin uso
• e. "Tecnología" para el "desarrollo" de "programas informáticos" de integración con vistas a la incorporación, en unidades de "control numérico", de sistemas expertos destinados a servir de soporte de decisiones de alto nivel en relación con operaciones a nivel de la producción
• f. "Tecnología" para la aplicación de los revestimientos inorgánicos por recubrimiento o los revestimientos inorgánicos por modificación de superficie (especificados en la columna 3 de la tabla siguiente) sobre sustratos no electrónicos (especificados en la columna 2 de dicha tabla) mediante los procedimientos que se especifican en la columna 1 de la tabla y se definen en la nota técnica.

Nota: La tabla y la nota técnica figuran tras el artículo 2E301.

N.B. Esta tabla debe entenderse en el sentido de que especifica la "tecnología" para un proceso de revestimiento específico únicamente cuando el revestimiento resultante (que figura en la columna 3) aparece en el apartado, colocado a la misma altura, del sustrato correspondiente (que figura en la columna 2). Por ejemplo, los datos técnicos del proceso de revestimiento mediante el depósito químico en fase de vapor (CVD) están incluidos para la aplicación de siliciuros a sustratos de los "materiales compuestos" (composites) carbono-carbono, cerámicos y de "matriz" metálica, pero no están incluidos para la aplicación de siliciuros a sustratos de ‘carburo de wolframio cementado’ (16) o de ‘carburo de silicio’ (18). En el segundo caso, el revestimiento resultante no aparece en la columna 3 en el apartado colocado a la altura del apartado de la columna 2 que se refiere al "carburo de wolframio cementado" (16) y al "carburo de silicio" (18).

2E101

"Tecnología" de acuerdo con la Nota General de Tecnología para la "utilización" de los equipos o "programas informáticos" especificados en los artículos 2B004, 2B009, 2B104, 2B109, 2B116, 2B119 a 2B122 o 2D101.

2E201

"Tecnología" de acuerdo con la Nota General de Tecnología para la "utilización" de los equipos o "programas informáticos" especificados en los artículos 2A225, 2A226, 2B001, 2B006, los subartículos 2B007.b y 2B007.c, y los artículos 2B008, 2B009, 2B201, 2B204, 2B206, 2B207, 2B209, 2B225 a 2B233, 2D201 o 2D202.

2E301

"Tecnología" de acuerdo con la Nota General de Tecnología para la "utilización" de productos especificados en los artículos 2B350 a 2B352.

Tabla

Métodos de depósito

TABLA - MÉTODOS DE DEPÓSITO - NOTAS

• 1. El ‘proceso de revestimiento’ se refiere tanto a la reparación y restauración del revestimiento como al revestimiento original.
• 2. La expresión ‘revestimiento de aluminuro aleado’ designa los revestimientos realizados en una o varias fases en los que uno o varios elementos se depositan antes o durante la aplicación del revestimiento de aluminuro, aun cuando estos elementos se depositen mediante otro proceso de revestimiento. No obstante, no comprende el uso múltiple de procesos de cementación en paquete en una sola fase para conseguir aluminuros aleados.
• 3. El concepto de ‘revestimiento de aluminuro modificado con metal noble’ hace referencia a todo revestimiento en varias fases en el que se depositen el metal o los metales nobles mediante algún otro proceso de revestimiento antes de la aplicación del revestimiento de aluminuro.
• 4. Las ‘mezclas de ellos’ designan los materiales infiltrados, las composiciones graduadas, los depósitos simultáneos y los depósitos de varias capas que se obtengan mediante uno o varios de los procesos de revestimiento especificados en esta tabla.
• 5. ‘McrAlX’ hace referencia a una aleación de revestimiento en la que M representa cobalto, hierro, níquel (o combinaciones de los mismos) y X representa hafnio, itrio, silicio o tántalo en cualquier cantidad u otras adiciones menores deliberadas de más de 0,01 % en peso, en proporciones y combinaciones diversas, excepto:
  • a. Los revestimientos de CoCrAlY que contengan menos del 22 % en peso de cromo, menos del 7 % en peso de aluminio y menos del 2 % en peso de itrio
  • b. Los revestimientos de CoCrAlY que contengan del 22 al 24 % en peso de cromo, del 10 al 12 % en peso de aluminio y del 0,5 al 0,7 % en peso de itrio, o
  • c. Los revestimientos de NiCrAlY que contengan del 21 al 23 % en peso de cromo, del 10 al 12 % en peso de aluminio y del 0,9 al 1,1 % en peso de itrio.
• 6. Las ‘aleaciones de aluminio’ designan las aleaciones que tengan una resistencia a la rotura por tracción igual o superior a 190 MPa medida a 293 K (20 °C).
• 7. El ‘acero resistente a la corrosión’ se refiere al acero de la serie AISI 300 (American Iron and Steel Institute) o que sea acorde con normas nacionales equivalentes.
• 8. Los ‘metales y aleaciones refractarios’ son los metales siguientes y sus aleaciones: niobio (columbio), molibdeno, wolframio y tántalo.
• 9. Los ‘materiales para ventanas de sensores’ son los siguientes: alúmina, silicio, germanio, sulfuro de zinc, seleniuro de zinc, arseniuro de galio, diamante, fosfuro de galio, zafiro y los haluros metálicos siguientes: materiales para ventanas de sensores de más de 40 mm de diámetro para el fluoruro de circonio y el fluoruro de hafnio.
• 10. La categoría 2 no incluye la "tecnología" para la cementación en paquete en una sola fase de superficies aerodinámicas.
• 11. ‘Polímeros’ según se indica: poliimida, poliéster, polisulfuro, policarbonatos y poliuretanos.
• 12. La ‘circonia modificada’ designa la que haya recibido adiciones de otros óxidos metálicos, como por ejemplo óxidos de calcio, de magnesio, de itrio, de hafnio, de tierras raras, etc., con el fin de estabilizar ciertas fases cristalográficas y composiciones de las mismas. No se someten a control los revestimientos destinados a servir de barrera térmica constituidos por circonia modificada con óxido de calcio o de magnesio mediante mezcla o fusión.
• 13. Las ‘aleaciones de titanio’ hacen referencia únicamente a las aleaciones de uso aeroespacial que tengan una resistencia a la rotura por tracción igual o superior a 900 MPa medida a 293 K (20 °C).
• 14. Los ‘vidrios de baja dilatación’ designan los que tengan un coeficiente de dilatación térmica igual o inferior a 1 × 10-7 K-1 medido a 293 K (20 °C).
• 15. Las ‘capas dieléctricas’ son revestimientos formados por varias capas de materiales aislantes en las que se utilizan las propiedades de interferencia de un conjunto de materiales con índices de refracción diferentes para reflejar, transmitir o absorber diferentes bandas de longitudes de onda. Las capas dieléctricas hacen referencia a más de cuatro capas dieléctricas o a capas de "materiales compuestos" (composites) dieléctrico-metal.
• 16. El ‘carburo de wolframio cementado’ no incluye los materiales para herramientas de corte y de conformación consistentes en carburo de wolframio/(cobalto, níquel), carburo de titanio/(cobalto, níquel), carburo de cromo/ cromo-níquel y carburo de cromo/níquel.
• 17. No estará sometida a control la "tecnología" para depositar carbono diamante en ninguno de los productos siguientes:
  controladores y cabezales de discos magnéticos, equipos para fabricación de productos desechables, válvulas para grifos, membranas acústicas para altavoces, repuestos de motores de automóvil, herramientas para corte, troqueles para perforar y embutir, equipos de ofimática, micrófonos o instrumental sanitario, o bien moldes para el vaciado o moldeado de plásticos, fabricados a partir de aleaciones que contienen menos de 5 % de berilio.
• 18. El ‘carburo de silicio’ no incluye los materiales para herramientas de corte y de conformación.
• 19. Los sustratos cerámicos a los que se refiere este punto no incluyen los materiales cerámicos con un contenido igual o superior al 5 % en peso de arcilla o cemento como constituyentes separados o combinados.

TABLA. MÉTODOS DE DEPÓSITO. NOTA TÉCNICA

Las definiciones de los procesos especificados en la columna 1 de la tabla son las siguientes:

• a. El depósito químico en fase de vapor (CVD) es un proceso de revestimiento por recubrimiento o de revestimiento por modificación de superficie en el que un metal, aleación, "material compuesto" (composite), material dieléctrico o material cerámico se deposita sobre un sustrato calentado. Los gases reactivos se reducen o combinan en las proximidades del sustrato, lo que origina el depósito del material elemental, de la aleación o del material compuesto sobre el sustrato. La energía necesaria para este proceso de descomposición o reacción química se obtiene del calor del sustrato, de un plasma de descarga luminiscente o de una irradiación "láser".
  N.B. 1: El CVD incluye los procesos siguientes: procesos de CVD de depósito fuera de paquete con flujo de gas dirigido, de CVD pulsante, de deposición nuclearia térmica controlada (CNTD) o procesos intensificados por plasma o asistidos por plasma.
  N.B. 2: Se entiende por paquete un sustrato sumergido en una mezcla de polvos.
  N.B. 3: El material gaseoso utilizado en el proceso fuera de paquete se produce empleando las mismas reacciones y parámetros básicos del proceso de cementación en paquetes, con la diferencia de que el sustrato que va a revestirse no está en contacto con la mezcla de polvos.
• b. El depósito en fase de vapor por método físico de evaporación térmica (TE-PVD) es un proceso de revestimiento por recubrimiento que se lleva a cabo en una cámara de vacío a una presión inferior a 0,1 Pa, en el que se utiliza una fuente de energía térmica para vaporizar el material de revestimiento. Este proceso origina la condensación o el depósito de los vapores producidos sobre sustratos situados convenientemente.
  La adición de gases a la cámara de vacío durante el proceso de revestimiento para sintetizar los revestimientos compuestos es una modificación normal del proceso.
  La utilización de haces de iones o de electrones, o bien de plasma, para activar o asistir el depósito del revestimiento es también una modificación normal de este método. Se pueden utilizar monitores para medir durante el proceso las características ópticas y el espesor de los revestimientos.
  Los procesos TE-PVD específicos son los siguientes:
  • 1. En el depósito en fase de vapor por método físico (PVD) mediante haz de electrones se utiliza un haz de electrones para calentar y vaporizar el material que constituye el revestimiento
  • 2. En el depósito en fase de vapor por método físico (PVD) mediante calentamiento por resistencia asistido por haz de iones se utilizan fuentes de calentamiento por resistencia eléctrica combinadas con haces de iones incidentes para producir un flujo controlado y uniforme de material de revestimiento vaporizado
  • 3. En la vaporización por "láser" se utilizan haces "láser" pulsados o en ondas continuas para vaporizar el material que constituye el revestimiento
  • 4. En el depósito por arco catódico, se utiliza un cátodo consumible del material que constituye el revestimiento y que emite una descarga de arco en la superficie por el contacto momentáneo de un disparador puesto a masa. El movimiento controlado del arco erosiona la superficie del cátodo creando un plasma fuertemente ionizado. El ánodo puede ser un cono fijado a la periferia del cátodo por medio de un aislante o a la cámara. La polarización del sustrato permite el depósito fuera del alcance visual.
    N.B. Esta definición no incluye el depósito por arco catódico aleatorio con sustratos no polarizados.
  • 5. El metalizado iónico es una modificación especial de un proceso general TE-PVD en el que se utiliza un plasma o una fuente de iones para ionizar el material que debe depositarse y se aplica una polarización negativa al sustrato para facilitar la operación consistente en extraer del plasma el material. La introducción de materiales reactivos, la evaporación de sólidos en el interior de la cámara de proceso y la utilización de monitores para medir durante el proceso las características ópticas y el espesor de los revestimientos son modificaciones normales del proceso.
• c. La cementación en paquete es un proceso de revestimiento por modificación de superficie o de revestimiento por recubrimiento en el que un sustrato se sumerge en una mezcla de polvos denominada paquete, formada por:
  • 1. Los polvos metálicos que han de depositarse (por lo general aluminio, cromo, silicio o combinaciones de ellos)
  • 2. Un activador (normalmente una sal haloidea), y
  • 3. Un polvo inerte, casi siempre alúmina.
  
  El sustrato y la mezcla de polvo se introducen en una retorta que se calienta a una temperatura comprendida entre 1 030 K (757 °C) y 1 375 K (1 102 °C) durante un tiempo suficiente para que se deposite el revestimiento.
• d. La pulverización de plasma es un proceso de revestimiento por recubrimiento en el que una pistola soplete de pulverización que produce y controla un plasma recibe los materiales de revestimiento en forma de polvo o de alambre, los funde y los proyecta hacia un sustrato en el que se forma así un revestimiento aglutinado integralmente. La pulverización de plasma puede ser una pulverización a baja presión o una pulverización a gran velocidad.
  N.B. 1: Se entiende por baja presión la inferior a la presión atmosférica ambiente.
  N.B. 2: Se entiende por gran velocidad una velocidad del gas a la salida de la tobera de más de 750 m/s calculada a 293 K (20 °C) a 0,1 MPa.
• e. El depósito de barbotina es un proceso de revestimiento por modificación de superficie o de revestimiento por recubrimiento en el que un polvo metálico o cerámico con un aglutinante orgánico se suspende en un líquido y se aplica a un sustrato por pulverización, inmersión o pintura; a continuación, se seca al aire o en horno, y se trata térmicamente para obtener el revestimiento deseado.
• f. La deposición catódica es un proceso de revestimiento por recubrimiento basado en un fenómeno de transferencia de energía cinética, en el que un campo eléctrico acelera iones positivos hacia la superficie de un blanco (material de revestimiento). La energía cinética desprendida por el choque de los iones es suficiente para que se liberen átomos de la superficie del blanco y se depositen sobre un sustrato situado convenientemente.
  N.B. 1: La tabla hace referencia únicamente a la deposición por triodo, magnetrón o reactiva, que se utiliza para aumentar la adhesión del revestimiento y la velocidad del depósito, y a la deposición catódica aumentada por radiofrecuencia (RF), que se emplea para permitir la vaporización de materiales de revestimiento no metálicos.
  N.B. 2: Se pueden utilizar haces de iones de baja energía (inferior a 5 keV) para activar la deposición.
• g. La implantación iónica es un proceso de revestimiento por modificación de superficie en el que el elemento que se pretende alear es ionizado, acelerado mediante un gradiente de potencial e implantado en la zona superficial del sustrato. La definición incluye procesos en los que la implantación iónica se realiza simultáneamente con el depósito en fase de vapor por método físico de haz de electrones o la deposición catódica.

PARTE V
Categoría 3

CATEGORÍA 3. ELECTRÓNICA

3A Sistemas, equipos y componentes

Nota 1: El régimen de control de los equipos y componentes descritos en los artículos 3A001 o 3A002, excepto los que se describen en los subartículos 3A001.a.3 a 3A001.a.10 o 3A001.a.12 a 3A001.a.14, que estén diseñados especialmente o tengan las mismas características funcionales que otros equipos, vendrá determinado por el régimen de control de los otros equipos.

Nota 2: El régimen de control de los circuitos integrados descritos en los subartículos 3A001.a.3 a 3A001.a.9 o 3A001.a.12 a 3A001.a.14, que estén programados o diseñados de manera inalterable para una función específica destinada a otros equipos, vendrá determinado por el régimen de control de los otros equipos.

N.B. Cuando el fabricante o el solicitante no puedan determinar el régimen de control de los otros equipos, el régimen de control de los circuitos integrados será el que determinen los subartículos 3A001.a.3 a 3A001.a.9 y 3A001.a.12 a 3A001.a.14.

Nota 3: El régimen de las obleas (terminadas o no) cuya función esté determinada se evaluará en función de los parámetros establecidos en los subartículos 3A001.a., 3A001.b., 3A001.d., 3A001.e.4., 3A001.g., 3A001.h. o 3A001.i.

3A001

Productos electrónicos, según se indica:

• a. Circuitos integrados de uso general, según se indica:
  Nota: Los circuitos integrados incluyen los tipos siguientes:
  • - "Circuitos integrados monolíticos"
  • - "Circuitos integrados híbridos"
  • - "Circuitos integrados multipastilla"
  • - "Circuitos integrados peliculares", incluidos los circuitos integrados silicio sobre zafiro
  • - "Circuitos integrados ópticos"
  • - "Circuitos integrados tridimensionales"
  • - "Circuitos integrados monolíticos de microondas" ("MMIC").
  • 1. Circuitos integrados diseñados o tasados como resistentes a la radiación para resistir cualquiera de las siguientes dosis:
    • a. Una dosis total igual o superior a 5 × 103 Gy (silicio)
    • b. Una tasa de dosis igual o superior a 5 × 106 Gy (silicio)/s, o
    • c. Una fluencia (flujo integrado) de neutrones (equivalente 1 MeV) de 5 × 1013 n/cm2 o superior sobre silicio, o su equivalente para otros materiales
    
    Nota: El subartículo 3A001.a.1.c no somete a control los semiconductores de aislador metálico (MIS).
  • 2. "Microcircuitos de microprocesador", ‘microcircuitos de microordenador’, microcircuitos de microcontrolador, circuitos integrados para almacenamiento fabricados en un semiconductor compuesto, convertidores analógico-digital, circuitos integrados que contienen convertidores analógico-digital y almacenan o procesan los datos digitalizados, convertidores digital-analógico, "circuitos integrados ópticos" o electroópticos diseñados para el "proceso de señales", dispositivos lógicos programables por el usuario, circuitos integrados para el usuario en los que la función es desconocida o en los que el estado de control del equipo en el que se vaya a usar el circuito integrado es desconocido, procesadores de transformada rápida de Fourier (FFT), memorias estáticas de acceso aleatorio (SRAM) o "memorias no volátiles", que presenten cualquiera de las características siguientes:
    • a. Preparados para operar a una temperatura ambiente superior a 398 K (125 °C)
    • b. Preparados para operar a una temperatura ambiente inferior a 218 K (- 55 °C), o
    • c. Preparados para operar en todo el intervalo de temperatura ambiente entre 218 K (- 55 °C) y 398 K (125 °C)
    
    Nota: El subartículo 3A001.a.2 no somete a control los circuitos integrados diseñados para aplicaciones civiles destinadas a automóviles o ferrocarriles.
    Nota técnica:
    Las ‘memorias no volátiles’ son memorias que retienen los datos durante un período de tiempo después de producirse un corte de energía.
  • 3. "Microcircuitos de microprocesador", "microcircuitos de microordenador" y microcircuitos de microcontrolador fabricados a partir de un semiconductor compuesto y que funcionen a una frecuencia de reloj superior a 40 MHz
    Nota: El subartículo 3A001.a.3 incluye los procesadores de señales digitales, los conjuntos de procesadores digitales y los coprocesadores digitales.
  • 4. Sin uso
  • 5. Circuitos integrados convertidores analógico-digital (ADC) y digital-analógico (DAC), según se indica:
    • a. Convertidores analógico-digital (ADC) que posean cualquiera de las características siguientes:
      N.B. VÉASE TAMBIÉN EL ARTÍCULO 3A101.
      • 1. Resolución igual o superior a 8 bits, pero inferior a 10 bits, con una "velocidad de muestras" superior a 1,3 gigamuestras por segundo (Giga Samples Per Second, GSPS)
      • 2. Resolución igual o superior a 10 bits, pero inferior a 12 bits, con una "velocidad de muestras" superior a 600 megamuestras por segundo (Mega Samples Per Second, MSPS)
      • 3. Resolución igual o superior a 12 bits, pero inferior a 14 bits, con una "velocidad de muestras" superior a 400 megamuestras por segundo (Mega Samples Per Second, MSPS)
      • 4. Resolución igual o superior a 14 bits, pero inferior a 16 bits, con una "velocidad de muestras" superior a 250 megamuestras por segundo (Mega Samples Per Second, MSPS), o
      • 5. Resolución igual o superior a 16 bits, con una "velocidad de muestras" superior a 65 megamuestras por segundo (Mega Samples Per Second, MSPS)
      
      N.B. Para los circuitos integrados que contienen convertidores analógico-digital y almacenan o procesan los datos digitalizados, véase el subartículo 3A001.a.14.
      Notas técnicas:
      • 1. Una resolución de n bits corresponde a una cuantificación de 2n niveles.
      • 2. La resolución del ADC es el número de bits de la salida digital que representa la entrada analógica medida. Para determinar la resolución del ADC no se usa el número efectivo de bits (ENOB).
      • 3. En el caso de los "ADC multicanal", las "velocidades de muestras" no se acumulan y la "velocidad de muestras" es la velocidad máxima de cualquier canal considerado individualmente.
      • 4. En el caso de los "ADC entrelazados" o de los "ADC multicanal" de los que se especifica que tienen un modo de operación entrelazado, se acumulan las "velocidades de muestras" y la "velocidad de muestras" es la velocidad total combinada máxima de todos los canales entrelazados.
    • b. Convertidores digital-analógico (DAC) que posean cualquiera de las características siguientes:
      • 1. Resolución igual o superior a 10 bits, pero inferior a 12 bits, con una ‘tasa de actualización ajustada’ superior a 3 500 megamuestras por segundo (Mega Samples Per Second, MSPS), o
      • 2. Resolución igual o superior a 12 bits y que presenten cualquiera de las características siguientes:
        • a. ‘Tasa de actualización ajustada’ superior a 1 250 megamuestras por segundo (Mega Samples Per Second, MSPS), pero no superior a 3 500 MSPS, y que presenten cualquiera de las características siguientes:
          • 1. Tiempo de estabilización inferior a 9 ns hasta llegar a un 0,024 %, o dentro de este porcentaje, de la escala completa a partir de un intervalo de escala completa, o
          • 2. ‘Rango dinámico libre de espurios’ (SFDR) superior a 68 dBc (portador) cuando se sintetiza una señal analógica de escala completa de 100 MHz, o la máxima frecuencia de señal analógica de escala completa especificada inferior a 100 MHz, o
        • b. ‘Tasa de actualización ajustada’ superior a 3 500 megamuestras por segundo (Mega Samples Per Second, MSPS)
      
      Notas técnicas:
      • 1. Por ‘rango dinámico libre de espurios’ (SFDR) se entiende el coeficiente entre el valor medio cuadrático de la frecuencia portadora (máximo componente de señal) en la entrada del DAC y el valor medio cuadrático del siguiente componente de ruido o distorsión armónica más potente en su salida.
      • 2. El SFDR se determina directamente a partir del cuadro de especificaciones o de los gráficos de caracterización de la relación entre SFDR y frecuencia.
      • 3. Se define que una señal es de escala completa cuando su amplitud es superior a -3 dBfs (escala completa).
      • 4. ‘Tasa de actualización ajustada’ de los DAC:
        • a. Para los DAC convencionales (sin interpolación), la ‘tasa de actualización ajustada’ es la velocidad con que la señal digital se convierte en señal analógica y el DAC cambia los valores analógicos de salida. Para los DAC en los que es posible soslayar el modo de interpolación (factor de interpolación igual a uno), debe considerarse que el DAC es un DAC convencional (sin interpolación).
        • b. Para los DAC con interpolación (DAC de muestreo sobredimensionado), se define la ‘tasa de actualización ajustada’ como la tasa de actualización del DAC dividida por el factor de interpolación menor. Para los DAC con interpolación, puede hacerse referencia a la ‘tasa de actualización ajustada’ con distintas expresiones, entre las que se cuentan:
          • - velocidad de datos de entrada
          • - velocidad de palabras de entrada
          • - velocidad de muestras de entrada
          • - velocidad máxima de bus de entrada total
          • - velocidad máxima de reloj de DAC para entrada de reloj de DAC.
  • 6. Circuitos integrados electroópticos o "circuitos integrados ópticos", diseñados para el "proceso de señales" y que posean todas las características siguientes:
    • a. Uno o más diodos "láser" internos
    • b. Uno o más elementos fotodetectores internos, y
    • c. Guiaondas ópticos
  • 7. Dispositivos lógicos programables por el usuario que posean cualquiera de las características siguientes:
    • a. Un número máximo de entradas/salidas digitales de terminación única superior a 700, o
    • b. Una ‘velocidad pico unidireccional agregada de transcepción de datos de serie’ de 500 Gb/s o superior
    
    Nota: El subartículo 3A001.a.7 incluye:
    • - Dispositivos Lógicos Programables Complejos (Complex Programmables Logic Devices, CPLD)
    • - Matrices de Puertas Programables in situ (Field Programmable Gate Arrays, FPGA)
    • - Matrices Lógicas Programables in situ (Field Programmable Logic Arrays, FPLA)
    • - Interconexiones Programables in situ (Field Programmable Interconnects, FPIC).
    
    N.B. Para los circuitos integrados que tienen dispositivos lógicos programables por el usuario que están combinados con un convertidor analógico-digital, véase el subartículo 3A001.a.14.
    Notas técnicas:
    • 1. El número máximo de entradas/salidas digitales del subartículo 3A001.a.7.a se denomina también número máximo de entradas/salidas de usuario o número máximo de entradas/salidas disponible, con independencia de que el circuito integrado esté encapsulado o sin encapsular.
    • 2. ‘Velocidad pico unidireccional agregada de transcepción de datos de serie’ es el producto de la máxima velocidad pico unidireccional de transcepción de datos de serie multiplicada por el número de transceptores de la FPGA.
  • 8. Sin uso
  • 9. Circuitos integrados para redes neuronales
  • 10. Circuitos integrados para el usuario de los que la función es desconocida o en los que el estado de control del equipo en el que se vaya a usar el circuito integrado es desconocido para el fabricante y que posean cualquiera de las características siguientes:
    • a. Más de 1 500 terminales
    • b. Un "retardo por propagación en la puerta básica" típico inferior a 0,02 ns, o
    • c. Una frecuencia de funcionamiento superior a 3 GHz
  • 11. Circuitos integrados digitales distintos de los que se describen en los subartículos 3A001.a.3 a 3A001.a.10 o 3A001.a.12, fabricados a partir de un semiconductor compuesto cualquiera y que presenten cualquiera de las características siguientes:
    • a. Un número de puertas equivalente superior a 3 000 (puertas de 2 entradas), o
    • b. Una frecuencia de conmutación superior a 1,2 GHz
  • 12. Procesadores de transformada rápida de Fourier (FFT) que tengan un tiempo de ejecución tasado para una FFT compleja de N puntos de menos de (N log2 N)/20 480 ms, siendo N el número de puntos
    Nota técnica:
    Si N es igual a 1 024 puntos, la fórmula que aparece en el subartículo 3A001.a.12 arroja un tiempo de ejecución de 500 μs.
  • 13. Circuitos integrados de sintetizador digital directo (DDS) que reúnan cualquiera de las características siguientes:
    • a. Un convertidor digital-analógico (DAC) con una frecuencia de reloj de 3,5 GHz o superior y una resolución DAC igual o superior a 10 bits, pero inferior a 12 bits, o
    • b. Una frecuencia de reloj de 1,25 GHz o superior y una resolución DAC igual o superior a 12 bits
    
    Nota técnica:
    La frecuencia de reloj del DAC podrá especificarse como la frecuencia de reloj maestro o la frecuencia de entrada del reloj.
  • 14. Circuitos integrados que realizan todas las operaciones siguientes o se pueden programar para realizarlas:
    • a. Conversiones analógico-digital que reúnan cualquiera de las características siguientes:
      • 1. Resolución igual o superior a 8 bits, pero inferior a 10 bits, con una "velocidad de muestras" superior a 1,3 gigamuestras por segundo (Giga Samples Per Second, GSPS)
      • 2. Resolución igual o superior a 10 bits, pero inferior a 12 bits, con una "velocidad de muestras" superior a 1,0 gigamuestras por segundo (Giga Samples Per Second, GSPS)
      • 3. Resolución igual o superior a 12 bits, pero inferior a 14 bits, con una "velocidad de muestras" superior a 1,0 gigamuestras por segundo (Giga Samples Per Second, GSPS)
      • 4. Resolución igual o superior a 14 bits, pero inferior a 16 bits, con una "velocidad de muestras" superior a 400 megamuestras por segundo (Mega Samples Per Second, MSPS), o
      • 5. Resolución igual o superior a 16 bits, con una "velocidad de muestras" superior a 180 megamuestras por segundo (Mega Samples Per Second, MSPS), y
    • b. Cualquiera de las operaciones siguientes:
      • 1. Almacenamiento de datos digitalizados, o
      • 2. Proceso de datos digitalizados
    
    N.B. 1. Para los circuitos integrados con convertidores analógico-digital véase el subartículo 3A001.a.5.a.
    N.B. 2. Para los dispositivos lógicos programables por el usuario véase el subartículo 3A001.a.7.
    Notas técnicas:
    • 1. Una resolución de n bits corresponde a una cuantificación de 2n niveles.
    • 2. La resolución del ADC es el número de bits de la salida digital del ADC que representa la entrada analógica medida. Para determinar la resolución del ADC no se usa el número efectivo de bits (ENOB).
    • 3. En el caso de los circuitos integrados con "ADC multicanal" no entrelazados, las "velocidades de muestras" no se acumulan y la "velocidad de muestras" es la velocidad máxima de cualquier canal considerado individualmente.
    • 4. En el caso de los circuitos integrados con "ADC entrelazados" o con "ADC multicanal" de los que se especifica que tienen un modo de operación entrelazado, se acumulan las "velocidades de muestras" y la "velocidad de muestras" es la velocidad total combinada máxima de todos los canales entrelazados.
• b. Productos de microondas o de ondas milimétricas, según se indica:
  Nota técnica:
  A efectos del subartículo 3A001.b, en las hojas de datos del producto podrá también hacerse referencia al parámetro de la potencia de pico de salida en estado de saturación como potencia de salida, potencia de salida en estado de saturación, potencia de salida máxima, potencia de pico de salida o potencia pico de la envolvente a la salida.
  • 1. "Dispositivos electrónicos de vacío" y cátodos, según se indica:
    Nota 1: El subartículo 3A001.b.1 no somete a control los "dispositivos electrónicos de vacío" diseñados o tasados para funcionar en cualquier banda de frecuencia y que cumplan todo lo siguiente:
    • a. No superar los 31,8 GHz, y
    • b. Estar "asignados por la UIT" para servicios de radiocomunicación, pero no para la radiodeterminación.
    
    Nota 2: El subartículo 3A001.b.1 no somete a control los "dispositivos electrónicos de vacío" no "calificados para uso espacial" que se ajusten a todo lo siguiente:
    • a. Una potencia de salida media igual o menor a 50 W, y
    • b. Estar diseñados o tasados para operar en cualquier banda de frecuencia y que cumplan todo lo siguiente:
      • 1. Superar los 31,8 GHz, pero sin estar por encima de los 43,5 GHz, y
      • 2. Estar "asignados por la UIT" para servicios de radiocomunicación, pero no para radiodeterminación.
    • a. "Dispositivos electrónicos de vacío" de ondas progresivas, de impulsos o continuas, según se indica:
      • 1. Dispositivos que funcionen en frecuencias superiores a 31,8 GHz
      • 2. Dispositivos dotados de un calefactor de cátodo con un tiempo de subida hasta la potencia de radiofrecuencia nominal inferior a 3 segundos
      • 3. Dispositivos de cavidades acopladas, o los derivados de ellos, con un "ancho de banda fraccional" superior al 7 % o una potencia de pico que exceda los 2,5 kW
      • 4. Dispositivos basados en circuitos en hélice, de guiaondas plegados o de guiaondas de serpentina, o los derivados de ellos, que posean cualquiera de las características siguientes:
        • a. Un "ancho de banda instantáneo" superior a una octava, y un producto de la potencia media (expresada en kW) por la frecuencia (expresada en GHz) superior a 0,5
        • b. Un "ancho de banda instantáneo" igual o inferior a una octava, y un producto de la potencia media (expresada en kW) por la frecuencia (expresada en GHz) superior a 1
        • c. Ser "calificados para uso espacial", o
        • d. Tener un cañón de electrones con reja
      • 5. Dispositivos con un "ancho de banda fraccional" igual o superior al 10 %, y que reúnan cualquiera de los elementos siguientes:
        • a. Un haz anular de electrones
        • b. Un haz de electrones no axisimétrico, o
        • c. Haces múltiples de electrones
    • b. "Dispositivos electrónicos de vacío" amplificadores de campos cruzados con ganancia superior a 17 dB
    • c. Cátodos termiónicos diseñados para "dispositivos electrónicos de vacío" que produzcan una densidad de corriente de emisiones en las condiciones de funcionamiento nominales superior a 5 A/cm2 o una densidad de corriente (no continua) de impulsos en las condiciones de funcionamiento nominales superior a 10 A/cm2
    • d. "Dispositivos electrónicos de vacío" con capacidad para funcionar en un ‘modo dual’
    
    Nota técnica:
    ‘Modo dual’ significa que la corriente de haz del "dispositivo electrónico de vacío" puede cambiarse de manera intencional entre la onda continua y el funcionamiento pulsado utilizando una reja y se produce una potencia de pico de salida de impulsos superior a la potencia de salida de la onda continua.
  • 2. Amplificadores de "circuitos integrados monolíticos de microondas" ("MMIC") que reúnan cualquiera de las características siguientes:
    N.B. Para los amplificadores de "MMIC" que tienen un convertidor de fase integrado véase el sub artículo 3A001.b.12.
    • a. Tasados para operar a frecuencias superiores a 2,7 GHz e inferiores o iguales a 6,8 GHz, con un "ancho de banda fraccional" superior al 15 %, y que posean cualquiera de las características siguientes:
      • 1. Una potencia de pico de salida en estado de saturación superior a 75 W (48,75 dBm) en cualquier frecuencia superior a 2,7 GHz e inferior o igual a 2,9 GHz
      • 2. Una potencia de pico de salida en estado de saturación superior a 55 W (47,4 dBm) en cualquier frecuencia superior a 2,9 GHz e inferior o igual a 3,2 GHz
      • 3. Una potencia de pico de salida en estado de saturación superior a 40 W (46 dBm) en cualquier frecuencia superior a 3,2 GHz e inferior o igual a 3,7 GHz, o
      • 4. Una potencia de pico de salida en estado de saturación superior a 20 W (43 dBm) en cualquier frecuencia superior a 3,7 GHz e inferior o igual a 6,8 GHz
    • b. Tasados para operar a frecuencias superiores a 6,8 GHz e inferiores o iguales a 16 GHz, con un "ancho de banda fraccional" superior al 10 %, y que posean cualquiera de las características siguientes:
      • 1. Una potencia de pico de salida en estado de saturación superior a 10 W (40 dBm) en cualquier frecuencia superior a 6,8 GHz e inferior o igual a 8,5 GHz, o
      • 2. Una potencia de pico de salida en estado de saturación superior a 5 W (37 dBm) en cualquier frecuencia superior a 8,5 GHz e inferior o igual a 16 GHz
    • c. Tasados para operar a una potencia de pico de salida en estado de saturación superior a 3 W (34,77 dBm) en cualquier frecuencia superior a 16 GHz e inferior o igual a 31,8 GHz y con un "ancho de banda fraccional" superior al 10 %
    • d. Tasados para operar a una potencia de pico de salida en estado de saturación superior a 0,1 nW (- 70 dBm) en cualquier frecuencia superior a 31,8 GHz e inferior o igual a 37 GHz
    • e. Tasados para operar a una potencia de pico de salida en estado de saturación superior a 1 W (30 dBm) en cualquier frecuencia superior a 37 GHz e inferior o igual a 43,5 GHz y con un "ancho de banda fraccional" superior al 10 %
    • f. Tasados para operar a una potencia de pico de salida en estado de saturación superior a 31,62 mW (15 dBm) en cualquier frecuencia superior a 43,5 GHz e inferior o igual a 75 GHz y con un "ancho de banda fraccional" superior al 10 %
    • g. Tasados para operar a una potencia de pico de salida en estado de saturación superior a 10 mW (10 dBm) en cualquier frecuencia superior a 75 GHz e inferior o igual a 90 GHz y con un "ancho de banda fraccional" superior al 5 %, o
    • h. Tasados para operar a una potencia de pico de salida en estado de saturación superior a 0,1 nW (- 70 dBm) en cualquier frecuencia superior a 90 GHz
    
    Nota 1: Sin uso
    Nota 2: El régimen de control de los "MMIC" cuya frecuencia tasada de funcionamiento incluya frecuencias recogidas en más de una gama de frecuencias, con arreglo a las definiciones de los sub artículos 3A001.b.2.a a 3A001.b.2.h, vendrá determinado por el umbral de control correspondiente al umbral inferior de la potencia de pico de salida en estado de saturación.
    Nota 3: Las notas 1 y 2 en la categoría 3A implican que el subartículo 3A001.b.2 no somete a control los "MMIC" que hayan sido diseñados especialmente para otras aplicaciones, por ejemplo, las telecomunicaciones, el radar o el automóvil.
  • 3. Transistores discretos de microondas que posean cualquiera de las características siguientes:
    • a. Tasados para operar a frecuencias superiores a 2,7 GHz e inferiores o iguales a 6,8 GHz, y que posean cualquiera de las características siguientes:
      • 1. Una potencia de pico de salida en estado de saturación superior a 400 W (56 dBm) en cualquier frecuencia superior a 2,7 GHz e inferior o igual a 2,9 GHz
      • 2. Una potencia de pico de salida en estado de saturación superior a 205 W (53,12 dBm) en cualquier frecuencia superior a 2,9 GHz e inferior o igual a 3,2 GHz
      • 3. Una potencia de pico de salida en estado de saturación superior a 115 W (50,61 dBm) en cualquier frecuencia superior a 3,2 GHz e inferior o igual a 3,7 GHz, o
      • 4. Una potencia de pico de salida en estado de saturación superior a 60 W (47,78 dBm) en cualquier frecuencia superior a 3,7 GHz e inferior o igual a 6,8 GHz
    • b. Tasados para operar a frecuencias superiores a 6,8 GHz e inferiores o iguales a 31,8 GHz, y que posean cualquiera de las características siguientes:
      • 1. Una potencia de pico de salida en estado de saturación superior a 50 W (47 dBm) en cualquier frecuencia superior a 6,8 GHz e inferior o igual a 8,5 GHz
      • 2. Una potencia de pico de salida en estado de saturación superior a 15 W (41,76 dBm) en cualquier frecuencia superior a 8,5 GHz e inferior o igual a 12 GHz
      • 3. Una potencia de pico de salida en estado de saturación superior a 40 W (46 dBm) en cualquier frecuencia superior a 12 GHz e inferior o igual a 16 GHz, o
      • 4. Una potencia de pico de salida en estado de saturación superior a 7 W (38,45 dBm) en cualquier frecuencia superior a 16 GHz e inferior o igual a 31,8 GHz
    • c. Tasados para operar a una potencia de pico de salida en estado de saturación superior a 0,5 W (27 dBm) en cualquier frecuencia superior a 31,8 GHz e inferior o igual a 37 GHz
    • d. Tasados para operar a una potencia de pico de salida en estado de saturación superior a 1 W (30 dBm) en cualquier frecuencia superior a 37 GHz e inferior o igual a 43,5 GHz
    • e. Tasados para operar a una potencia de pico de salida en estado de saturación superior a 0,1 nW (- 70 dBm) en cualquier frecuencia superior a 43,5 GHz o
    • f. Distintos de los especificados en los subartículos 3A001.b.3.a. a 3A001.b.3.e y tasados para operar a una potencia de pico de salida en estado de saturación superior a 5 W (37,0 dBm) en todas las frecuencias superiores a 8,5 GHz e inferiores o iguales a 31,8 GHz
    
    Nota 1: El régimen de control de un transistor de los especificados en los subartículos 3A001.b.3.a. a 3A001.b.3.e cuya frecuencia tasada de funcionamiento incluya frecuencias recogidas en más de una gama de frecuencias, con arreglo a las definiciones de los subartículos 3A001.b.3.a a 3A001.b.3.e, vendrá determinado por el umbral de control correspondiente al umbral inferior de la potencia de pico de salida en estado de saturación.
    Nota 2: El subartículo 3A001.b.3 incluye los dados sueltos, los dados montados en portadores o los dados montados en envases. Algunos transistores discretos pueden denominarse también amplificadores de potencia, pero el estatus de los transistores discretos está determinado por el subartículo 3A001.b.3.
  • 4. Amplificadores de microondas de estado sólido y conjuntos/módulos que contengan amplificadores de microondas de estado sólido, que sean cualquiera de los siguientes:
    • a. Tasados para operar a frecuencias superiores a 2,7 GHz e inferiores o iguales a 6,8 GHz, con un "ancho de banda fraccional" superior al 15 %, y que posean cualquiera de las características siguientes:
      • 1. Una potencia de pico de salida en estado de saturación superior a 500 W (57 dBm) en cualquier frecuencia superior a 2,7 GHz e inferior o igual a 2,9 GHz
      • 2. Una potencia de pico de salida en estado de saturación superior a 270 W (54,3 dBm) en cualquier frecuencia superior a 2,9 GHz e inferior o igual a 3,2 GHz
      • 3. Una potencia de pico de salida en estado de saturación superior a 200 W (53 dBm) en cualquier frecuencia superior a 3,2 GHz e inferior o igual a 3,7 GHz, o
      • 4. Una potencia de pico de salida en estado de saturación superior a 90 W (49,54 dBm) en cualquier frecuencia superior a 3,7 GHz e inferior o igual a 6,8 GHz
    • b. Tasados para operar a frecuencias superiores a 6,8 GHz e inferiores o iguales a 31,8 GHz, con un "ancho de banda fraccional" superior al 10 %, y que posean cualquiera de las características siguientes:
      • 1. Una potencia de pico de salida en estado de saturación superior a 70 W (48,54 dBm) en cualquier frecuencia superior a 6,8 GHz e inferior o igual a 8,5 GHz
      • 2. Una potencia de pico de salida en estado de saturación superior a 50 W (47 dBm) en cualquier frecuencia superior a 8,5 GHz e inferior o igual a 12 GHz
      • 3. Una potencia de pico de salida en estado de saturación superior a 30 W (44,77 dBm) en cualquier frecuencia superior a 12 GHz e inferior o igual a 16 GHz, o
      • 4. Una potencia de pico de salida en estado de saturación superior a 20 W (43 dBm) en cualquier frecuencia superior a 16 GHz e inferior o igual a 31,8 GHz
    • c. Tasados para operar a una potencia de pico de salida en estado de saturación superior a 0,5 W (27 dBm) en cualquier frecuencia superior a 31,8 GHz e inferior o igual a 37 GHz
    • d. Tasados para operar a una potencia de pico de salida en estado de saturación superior a 2 W (33 dBm) en cualquier frecuencia superior a 37 GHz e inferior o igual a 43,5 GHz y con un "ancho de banda fraccional" superior al 10 %
    • e. Tasados para operar a frecuencias superiores a 43,5 GHz y que posean alguna de las características siguientes:
      • 1. Una potencia de pico de salida en estado de saturación superior a 0,2 W (23 dBm) en cualquier frecuencia superior a 43,5 GHz e inferior o igual a 75 GHz y con un "ancho de banda fraccional" superior al 10 %
      • 2. Una potencia de pico de salida en estado de saturación superior a 20 mW (13 dBm) en cualquier frecuencia superior a 75 GHz e inferior o igual a 90 GHz y con un "ancho de banda fraccional" superior al 5 %, o
      • 3. Una potencia de pico de salida en estado de saturación superior a 0,1 nW (- 70 dBm) en cualquier frecuencia superior a 90 GHz, o
    • f. Sin uso
    
    N.B. 1. Para amplificadores de "MMIC", véase el subartículo 3A001.b.2.
    N.B. 2. Para ‘módulos de transmisión/recepción’ y ‘módulos de transmisión’, véase el subartículo 3A001.b.12.
    N.B. 3. Para los convertidores y mezcladores armónicos diseñados para ampliar el régimen de funcionamiento o la gama de frecuencias de los analizadores de señales, generadores de señales, analizadores de redes o receptores de prueba de microondas, véase el subartículo 3A001.b.7.
    Nota 1: Sin uso
    Nota 2: El régimen de control de un producto cuya frecuencia tasada de funcionamiento incluya frecuencias recogidas en más de una gama de frecuencias, con arreglo a las definiciones de los subartículos 3A001.b.4.a a 3A001.b.4.e, vendrá determinado por el umbral de control correspondiente al umbral inferior de la potencia de pico de salida en estado de saturación.
  • 5. Filtros pasabanda o filtros supresores de banda sintonizables electrónica o magnéticamente, dotados de más de 5 resonadores sintonizables capaces de sintonizar en una banda de frecuencias de 1,5:1 (fmáx./fmín.) en menos de 10 μs que posean cualquiera de las características siguientes:
    • a. Banda de paso de más de 0,5 % de la frecuencia central, o
    • b. Banda de atenuación infinita de menos de 0,5 % de la frecuencia central
  • 6. Sin uso
  • 7. Convertidores y mezcladores armónicos que sean cualquiera de los siguientes:
    • a. Diseñados para extender la gama de frecuencia de los "analizadores de señales" más allá de 90 GHz
    • b. Diseñados para extender el régimen de funcionamiento de los generadores de señales según se indica:
      • 1. Más allá de 90 GHz
      • 2. Hasta una potencia de salida superior a 100 mW (20 dBm) en cualquier punto de la gama de frecuencia que exceda los 43,5 GHz, pero sin sobrepasar los 90 GHz
    • c. Diseñados para extender el régimen de funcionamiento de los analizadores de redes según se indica:
      • 1. Más allá de 110 GHz
      • 2. Hasta una potencia de salida superior a 31,62 mW (15 dBm) en cualquier punto de la gama de frecuencia que exceda los 43,5 GHz, pero sin sobrepasar los 90 GHz
      • 3. Hasta una potencia de salida superior a 1 mW (0 dBm) en cualquier punto de la gama de frecuencia que exceda los 90 GHz, pero sin sobrepasar los 110 GHz, o
    • d. Diseñados para extender la gama de frecuencia de los receptores de prueba de microondas más allá de 110 GHz
  • 8. Amplificadores de potencia de microondas que contengan los "dispositivos electrónicos de vacío" especificados en el subartículo 3A001.b.1 y que presenten todas las características siguientes:
    • a. Frecuencias de funcionamiento superiores a 3 GHz
    • b. Un coeficiente de potencia de salida media por masa superior a 80 W/kg, y
    • c. Un volumen menor que 400 cm3
    
    Nota: El subartículo 3A001.b.8 no somete a control los equipos diseñados o tasados para funcionar en bandas de frecuencia que estén "asignados por la UIT" para servicios de radiocomunicación, pero no para radiodeterminación.
  • 9. Módulos de alimentación de microondas (MPM) consistentes en, al menos, un "dispositivo electrónico de vacío" de ondas progresivas, un "circuito integrado monolítico de microondas" ("MMIC") y un acondicionador electrónico integrado de potencia, y que posean todas las características siguientes:
    • a. Un ‘tiempo de activación’ que vaya de apagado a plenamente operativo en menos de 10 segundos
    • b. Un volumen inferior a la potencia nominal máxima en vatios multiplicado por 10 cm3/W, y
    • c. Un "ancho de banda instantáneo" mayor que 1 octava (fmáx. > 2fmín.) y cualquiera de las siguientes características:
      • 1. Para frecuencias iguales o inferiores a 18 GHz, una potencia de salida de radiofrecuencia superior a 100 W, o
      • 2. Una frecuencia superior a 18 GHz
      
      Notas técnicas:
      • 1. Para calcular el volumen en el subartículo 3A001.b.9.b, se proporciona el siguiente ejemplo: para una potencia nominal máxima de 20 W, el volumen sería: 20 W × 10 cm3/W = 200 cm3.
      • 2. El ‘tiempo de activación’ del subartículo 3A001.b.9.a se refiere al tiempo que tarda en pasar de totalmente apagado a plenamente operativo, es decir, incluye el tiempo de calentamiento del MPM.
  • 10. Osciladores, o conjuntos de osciladores, especificados para funcionar con un ruido de fase en banda lateral única (SSB), expresado en dBc/Hz, inferior a (mejor que) - (126 + 20log10F - 20log10f) en cualquier punto de la gama de 10 Hz ≤ F ≤ 10 kHz
    Nota técnica:
    En el subartículo 3A001.b.10, F es el desfase con respecto a la frecuencia de funcionamiento en Hz y f es la frecuencia de funcionamiento en MHz.
  • 11. "Conjuntos electrónicos" de ‘sintetizadores de frecuencias’ cuyo "tiempo de conmutación de frecuencia" esté especificado por cualquiera de los parámetros siguientes:
    • a. Inferior a 143 picosegundos
    • b. Inferior a 100 μs para todo cambio de frecuencia que exceda de 2,2 GHz dentro de la gama de frecuencias sintetizadas superior a 4,8 GHz, pero sin sobrepasar los 31,8 GHz,
    • c. Sin uso
    • d. Inferior a 500 μs para todo cambio de frecuencia que exceda de 550 MHz dentro de la gama de frecuencias sintetizadas superior a 31,8 GHz, pero sin sobrepasar los 37 GHz,
    • e. Inferior a 100 μs para todo cambio de frecuencia que exceda de 2,2 GHz dentro de la gama de frecuencias sintetizadas superior a 37 GHz, pero sin sobrepasar los 90 GHz, o
    • f. Sin uso
    • g. Inferior a 1 ms dentro de la gama de frecuencias sintetizadas superior a 90 GHz
    
    Nota técnica:
    ‘Sintetizador de frecuencia’: es cualquier tipo de generador de frecuencias, con independencia de la técnica utilizada, que proporcione múltiples frecuencias de salida, simultánea o alternativamente, en una o más salidas, controladas por, derivadas de o gobernadas por un número inferior de frecuencias patrón (o maestras).
    N.B. Para los "analizadores de señales", los generadores de señales, los analizadores de redes y los receptores de prueba de microondas de uso general, véanse los subartículos 3A002.c, 3A002.d, 3A002.e y 3A002.f, respectivamente.
  • 12. ‘Módulos de transmisión/recepción’, ‘MMIC de transmisión/recepción’, ‘módulos de transmisión’ y ‘MMIC de transmisión’, tasados para funcionar a frecuencias superiores a 2,7 GHz y que presenten todas las características siguientes:
    • a. Una potencia de pico de salida en estado de saturación (en vatios), Psat, mayor que 505,62 dividido por el cuadrado de la frecuencia máxima de funcionamiento (en GHz) [Psat > 505,62 W*GHz2/fGHz 2] para cualquier canal
    • b. Un "ancho de banda fraccional" mayor o igual que el 5 % para cualquier canal
    • c. Cualquier lado planar con longitud d (en cm) igual o inferior a 15 dividido por la frecuencia mínima de funcionamiento en GHz [d ≤ 15 cm*GHz*N/fGHz], siendo N el número de canales de transmisión o de transmisión/recepción, y
    • d. Un convertidor de fase variable electrónicamente por canal
    
    Notas técnicas:
    • 1. Un ‘módulo de transmisión/recepción’: es un "conjunto electrónico" multifuncional que proporciona amplitud bidireccional y control de fase para la transmisión y la recepción de señales.
    • 2. Un ‘módulo de transmisión’: es un "conjunto electrónico" que proporciona amplitud y control de fase para la transmisión de señales.
    • 3. Un ‘MMIC de transmisión/recepción’: es un "MMIC" multifuncional que proporciona amplitud bidireccional y control de fase para la transmisión y la recepción de señales.
    • 4. Un ‘MMIC de transmisión’: es un "MMIC" que proporciona amplitud y control de fase para la transmisión de señales.
    • 5. El valor 2,7 GHz debe utilizarse como frecuencia mínima de funcionamiento (fGHz) en la fórmula del subartículo 3A001.b.12.c para módulos de transmisión/recepción o de transmisión con un régimen tasado de funcionamiento que descienda hasta 2,7 GHz y por debajo [d ≤ 15 cm*GHz*N/2,7 GHz].
    • 6. El subartículo 3A001.b.12 se aplica a los ‘módulos de transmisión/recepción’ o a los ‘módulos de transmisión’ con o sin disipador de calor. El valor de d en el subartículo 3A001.b.12. no incluye ninguna porción del ‘módulo de transmisión/recepción’ o del ‘módulo de transmisión’ que funcione como un disipador de calor.
    • 7. Los ‘módulos de transmisión/recepción’ o los ‘módulos de transmisión’, o los ‘MMIC de transmisión/recepción’ o los ‘MMIC de transmisión’ pueden o no tener N elementos de antena radiantes integrados, siendo N el número de canales de transmisión o de transmisión/recepción.
• c. Dispositivos de ondas acústicas según se indica y componentes diseñados especialmente para ellos:
  • 1. Dispositivos de ondas acústicas de superficie y de ondas acústicas rasantes (poco profundas) y que posean cualquiera de las características siguientes:
    • a. Frecuencia portadora superior a 6 GHz
    • b. Frecuencia portadora superior a 1 GHz, pero sin sobrepasar los 6 GHz, y que presenten cualquiera de las características siguientes:
      • 1. ‘Rechazo de lóbulos laterales’ superior a 65 dB
      • 2. Producto del retardo máximo (expresado en μs) por el ancho de banda (expresado en MHz) superior a 100
      • 3. Ancho de banda superior a 250 MHz, o
      • 4. Retardo de dispersión superior a 10 μs, o
    • c. Frecuencia portadora igual o inferior a 1 GHz y que posea cualquiera de las características siguientes:
      • 1. Producto del retardo máximo (expresado en μs) por el ancho de banda (expresado en MHz) superior a 100
      • 2. Retardo de dispersión superior a 10 μs, o
      • 3. ‘Rechazo de lóbulos laterales’ superior a 65 dB y ancho de banda superior a 100 MHz
    
    Nota técnica:
    El ‘rechazo de lóbulos laterales’ es el valor máximo de rechazo especificado en la ficha técnica.
  • 2. Dispositivos de ondas acústicas de volumen que permitan el procesado directo de señales a frecuencias superiores a 6 GHz
  • 3. Dispositivos optoacústicos de "proceso de señales" en los que se utilice una interacción entre ondas acústicas (de volumen o de superficie) y ondas luminosas que permita el procesado directo de señales o de imágenes, incluidos el análisis espectral, la correlación o la convolución
  
  Nota: El subartículo 3A001.c no somete a control los dispositivos de ondas acústicas que están limitados a una sola función de filtrado paso banda, paso bajo, paso alto o supresor de banda, o a una función de resonancia.
• d. Dispositivos y circuitos electrónicos que contengan componentes fabricados a partir de materiales "superconductores", diseñados especialmente para funcionar a temperaturas inferiores a la "temperatura crítica" de al menos uno de los constituyentes "superconductores", y que posean cualquiera de las características siguientes:
  • 1. Conmutación de corriente para circuitos digitales utilizando puertas "superconductoras" con un producto del tiempo de retardo por puerta (expresado en segundos) por la disipación de energía por puerta (expresada en vatios) inferior a 10-14 J, o
  • 2. Selección de frecuencia a todas las frecuencias utilizando circuitos resonantes con valores de Q superiores a 10 000
• e. Dispositivos de alta energía según se indica:
  • 1. ‘Células’, según se indica:
    • a. ‘Células primarias’ con alguna de las siguientes características a 20 °C:
      • 1. ‘Densidad de energía’ superior a 550 Wh/kg y ‘densidad de potencia continua’ superior a 50 W/kg, o
      • 2. ‘Densidad de energía’ superior a 50 Wh/kg y ‘densidad de potencia continua’ superior a 350 W/kg, o
    • b. ‘Células secundarias’ que tengan una ‘densidad de energía’ superior a 350 Wh/kg a 20 °C
      Notas técnicas:
      • 1. A efectos del subartículo 3A001.e.1, la ‘densidad de energía’ (Wh/kg) se calcula a partir de la tensión nominal multiplicada por la capacidad nominal en amperios-horas (Ah) dividida por la masa expresada en kilogramos. Si no figura la capacidad nominal, la densidad de energía se calcula a partir de la tensión nominal al cuadrado y luego multiplicada por la duración de la descarga, expresada en horas, dividida por la intensidad de la descarga expresada en ohmios y la masa en kilogramos.
      • 2. A efectos del subartículo 3A001.e.1, una ‘célula’ se define como un dispositivo electromecánico con electrodos positivos y negativos, un electrolito, y constituye una fuente de energía eléctrica. Es el elemento básico que compone una batería.
      • 3. A efectos del subartículo 3A001.e.1.a, una ‘célula primaria’ es una ‘célula’ que no se ha diseñado para ser cargada por otra fuente.
      • 4. A efectos del subartículo 3A001.e.1.b, una ‘célula secundaria’ es una ‘célula’ diseñada para ser cargada por una fuente eléctrica externa.
      • 5. A efectos del subartículo 3A001.e.1.a, la ‘densidad de potencia continua’ (Wh/kg) se calcula a partir de la tensión nominal multiplicada por la corriente de descarga continua máxima especificada expresada en amperios (A) dividida por la masa expresada en kilogramos. La ‘densidad de potencia continua’ también se conoce como potencia específica.
    
    Nota: El subartículo 3A001.e.1 no somete a control las baterías, incluidas las de célula única.
  • 2. Condensadores de alta capacidad de almacenamiento de energía según se indica:
    N.B. VÉANSE TAMBIÉN EL SUBARTÍCULO 3A201.a y la Relación de Material de Defensa.
    • a. Condensadores con una frecuencia de repetición inferior a 10 Hz (condensadores monopulsos) y que reúnan todas las características siguientes:
      • 1. Tensión nominal igual o superior a 5 kV
      • 2. Densidad de energía igual o superior a 250 J/kg, y
      • 3. Energía total igual o superior a 25 kJ
    • b. Condensadores con una frecuencia de repetición igual o superior a 10 Hz (condensadores de descargas sucesivas) y que reúnan todas las características siguientes:
      • 1. Tensión nominal igual o superior a 5 kV
      • 2. Densidad de energía igual o superior a 50 J/kg
      • 3. Energía total igual o superior a 100 J, y
      • 4. Vida útil igual o superior a 10 000 ciclos de carga/descarga
  • 3. Electroimanes o solenoides "superconductores", diseñados especialmente para un tiempo de carga o descarga completa inferior a un segundo y que reúnan todas las características siguientes:
    N.B. VÉASE TAMBIÉN EL SUBARTÍCULO 3A201.b.
    Nota: El subartículo 3A001.e.3 no somete a control los electroimanes o solenoides "superconductores" diseñados especialmente para los equipos médicos de formación de imágenes por resonancia magnética (MRI).
    • a. Energía suministrada durante la descarga superior a 10 kJ en el primer segundo
    • b. Diámetro interior de las bobinas portadoras de corriente superior a 250 mm, y
    • c. Estar previstos para una inducción magnética superior a 8 T o una "densidad de corriente global" en las bobinas superior a 300 A/mm2
  • 4. Células fotovoltaicas, conjuntos de recubrimientos de vidrio para interconexiones de células (CIC), paneles solares y generadores fotoeléctricos que sean "calificados para uso espacial" y que tengan una eficiencia media mínima superior al 20 % a una temperatura de funcionamiento de 301 K (28 °C) bajo una iluminación simulada ‘AM0’ con una irradiación de 1 367 vatios por metro cuadrado (W/m2)
  
  Nota técnica:
  ‘AM0’ o ‘masa de aire cero’ se refiere a la irradiación espectral de luz solar en la atmósfera más exterior de la Tierra, cuando la distancia entre esta y el sol es de una unidad astronómica (AU).
• f. Codificadores de posición absoluta del tipo de entrada rotativa que tengan una "exactitud" inferior o igual a (mejor que) 1,0 segundos de arco, y anillos, discos o escalas de codificador diseñados especialmente para ello
• g. Dispositivos tiristor y ‘módulos tiristor’ de conmutación de potencia pulsada de estado sólido que utilicen métodos de conmutación controlados eléctricamente, ópticamente o por radiación de electrones y que presenten alguna de las características siguientes:
  • 1. Una velocidad máxima de crecimiento de la corriente de activación (di/dt) superior a 30 000 A/μs, y una tensión en estado bloqueado superior a 1 100 V, o
  • 2. Una velocidad máxima de crecimiento de la corriente de activación (di/dt) superior a 2 000 A/microsegundo y que reúnan todas las características siguientes:
    • a. Una tensión nominal máxima en estado bloqueado igual o superior a 3 000 V, y
    • b. Una corriente máxima (sobreintensidad) igual o superior a 3 000 A
  
  Nota 1: El subartículo 3A001.g incluye los productos siguientes:
  • - Rectificadores de silicio controlados (SCR)
  • - Tiristores de activación eléctrica (ETT)
  • - Tiristores de activación lumínica (LTT)
  • - Tiristores conmutados por puerta integrada (IGCT)
  • - Tiristores desactivables por puerta (GTO)
  • - Tiristores controlados por transistor MOS (MCT)
  • - Solidtrons.
  
  Nota 2: El subartículo 3A001.g no somete a control los mecanismos tiristor y ‘módulos tiristor’ que se hayan incorporado a equipos diseñados para aplicaciones en líneas férreas civiles o "aeronaves civiles".
  Nota técnica:
  A efectos del subartículo 3A001.g, un ‘módulo tiristor’ contiene uno o más mecanismos tiristor.
• h. Conmutadores, diodos o ‘módulos’ de semiconductores de potencia de estado sólido, que reúnan todas las características siguientes:
  • 1. Tasados para una temperatura máxima de funcionamiento en el empalme superior a 488 K (215 °C)
  • 2. Tensión de pico repetitiva con el elemento desactivador (tensión de bloqueo) superior a 300 V, y
  • 3. Corriente continua superior a 1 A
  
  Nota 1: En el subartículo 3A001.h, la tensión de pico repetitiva con el elemento desactivador incluye la tensión del drenaje a la fuente, la tensión del colector al emisor, la tensión inversa de pico repetitiva y la tensión de pico repetitiva de bloqueo con el elemento desactivador.
  Nota 2: El subartículo 3A001.h incluye lo siguiente:
  • - Transistores de efecto campo de unión (JFET)
  • - Transistores verticales de efecto campo de unión (VJFET)
  • - Transistores de efecto campo de unión con semiconductor de óxido metálico (MOSFET)
  • - Transistores de doble difusión de efecto campo de unión con semiconductor de óxido metálico (DMOSFET)
  • - Transistores bipolares de puerta aislada (IGBT)
  • - Transistores de alta movilidad de electrones (HEMT)
  • - Transistores de unión bipolar (BJT)
  • - Tiristores y rectificadores de silicio controlados (SCR)
  • - Tiristores desactivables por puerta (GTO)
  • - Tiristores desactivables por emisor (ETO)
  • - Diodos PiN
  • - Diodos Schottky.
  
  Nota 3: El subartículo 3A001.h no somete a control los conmutadores, diodos o ‘módulos’ incorporados a equipos que se hayan diseñado para aplicaciones de automóviles civiles, ferrocarriles civiles o "aeronaves civiles".
  Nota técnica:
  A efectos del subartículo 3A001.h, un ‘módulo’ contiene uno o más conmutadores o diodos de semiconductores de potencia de estado sólido.
• i. Moduladores electroópticos de intensidad, amplitud o fase, diseñados para señales análogas y con cualquiera de las características siguientes:
  • 1. Frecuencia máxima de funcionamiento superior a 10 GHz pero inferior a 20 GHz, pérdida óptica por inserción igual o inferior a 3 dB y con cualquiera de las características siguientes:
    • a. ‘Tensión de media onda’ (‘Vπ’) inferior a 2,7 V medida a una frecuencia igual o inferior a 1 GHz, o
    • b. ‘Vπ’ inferior a 4 V medida a una frecuencia superior a 1 GHz, o
  • 2. Frecuencia máxima de funcionamiento igual o superior a 20 GHz, pérdida óptica por inserción igual o inferior a 3 dB y con cualquiera de las características siguientes:
    • a. ‘Vπ’ inferior a 3,3 V medida a una frecuencia igual o inferior a 1 GHz, o
    • b. ‘Vπ’ inferior a 5 V medida a una frecuencia superior a 1 GHz.
  
  Nota: El subartículo 3A001.i incluye los moduladores electroópticos que tienen conectores ópticos de entrada y salida (por ejemplo, latiguillos de fibra óptica).
  Nota técnica:
  A los efectos del subartículo 3A001.i, la ‘tensión de media onda’ (‘Vπ’) es la tensión aplicada necesaria para hacer un cambio de fase de 180 grados en la longitud de onda de la luz que se propaga a través del modulador óptico.

3A002

"Conjuntos electrónicos", módulos y equipos de uso general, según se indica:

• a. Equipos de grabación y osciloscopios, según se indica:
  • 1. Sin uso
  • 2. Sin uso
  • 3. Sin uso
  • 4. Sin uso
  • 5. Sin uso
  • 6. Grabadores de datos digitales que reúnan todas las características siguientes:
    • a. Un ‘tránsito continuo’ sostenido superior a 6,4 Gbits/s en disco o unidad de memoria de estado sólido, y
    • b. "Proceso de señales" de los datos de señales de radiofrecuencia mientras se está grabando
    
    Notas técnicas:
    • 1. Para los grabadores con arquitectura de bus paralelo, la tasa de ‘tránsito continuo’ es la tasa más alta de palabras multiplicada por el número de bits por palabra.
    • 2. ‘Tránsito continuo’ es la tasa de datos más rápida que puede grabar el instrumento en disco o unidad de memoria de estado sólido sin pérdida de ninguna información, manteniendo la velocidad de entrada de datos digitales o la tasa de conversión del digitalizador.
  • 7. Osciloscopios en tiempo real con una media cuadrática (rms) vertical de tensión de ruido inferior al 2 % de la escala total en la escala vertical que proporciona el valor más bajo de ruido para cualquier entrada de 3 dB de ancho de banda de 60 GHz o más por canal
  
  Nota: El subartículo 3A002.a.7 no somete a control los osciloscopios de muestreo de tiempo equivalente.
• b. Sin uso
• c. "Analizadores de señales" de radiofrecuencia, según se indica:
  • 1. "Analizadores de señales" con un ancho de banda (RBW) a 3 dB superior a 40 MHz en cualquier punto dentro de la gama de frecuencias superiores a 31,8 GHz pero sin sobrepasar los 37 GHz
  • 2. "Analizadores de señales" con un nivel de ruido medio visualizado (DANL) inferior (mejor) a -150 dBm/Hz en cualquier punto dentro de la gama de frecuencias superiores a 43,5 GHz pero sin sobrepasar los 90 GHz
  • 3. "Analizadores de señales" con una frecuencia superior a 90 GHz
  • 4. "Analizadores de señales" que reúnan todas las características siguientes:
    • a. ‘Ancho de banda en tiempo real’ superior a 170 MHz, y
    • b. Que posean cualquiera de las características siguientes:
      • 1. Un 100 % de probabilidad de detección con una reducción de la amplitud completa inferior a 3 dB, debido a las lagunas o efectos ventana de las señales y con una duración de 15 μs o menos, o
      • 2. Una función de ‘activador de la máscara de frecuencia’ con un 100 % de probabilidad de activación (captura) de señales y una duración de 15 μs o menos
  
  Notas técnicas:
  • 1. ‘Ancho de banda en tiempo real’: es la gama de frecuencia más ancha para la que el analizador puede transformar totalmente y de forma continua datos del dominio temporal en resultados de frecuencia, utilizando una transformada de Fourier u otra transformada temporal discreta que procese cada punto temporal entrante, sin una reducción de la amplitud medida de más de 3 dB por debajo de la amplitud real de la señal provocada por lagunas o efectos ventana y que, al mismo tiempo, envíe o muestre los datos transformados.
  • 2. La probabilidad de detección contemplada en el subartículo 3A002.c.4.b.1 se conoce asimismo como probabilidad de interceptación o probabilidad de captura.
  • 3. A los efectos del subartículo 3A002.c.4.b.1, la duración de un 100 % de probabilidad de detección es equivalente a la duración de señal mínima necesaria para el nivel especificado de incertidumbre de medida.
  • 4. ‘Activador de la máscara de frecuencia’: es un mecanismo mediante el cual la función de activación puede seleccionar una gama de frecuencias que se activará como un subconjunto del ancho de banda adquirido a la vez que se ignoran otras señales que también puedan estar presentes en el mismo ancho de banda de adquisición. Un ‘activador de la máscara de frecuencia’ puede contener más de una serie de límites independientes.
    Nota: El subartículo 3A002.c.4 no somete a control los "analizadores de señales" que utilicen únicamente filtros de ancho de banda de porcentaje constante (también llamados filtros de octavas o filtros de octavas parciales).
  • 5. Sin uso
• d. Generadores de señales que reúnan cualquiera de las características siguientes:
  • 1. Estar especificados para generar señales moduladas por impulsos que reúnan todas las características siguientes, en cualquier punto de la gama de frecuencia superior a 31,8 GHz pero sin sobrepasar los 37 GHz:
    • a. ‘Duración del impulso’ inferior a 25 ns, y
    • b. Relación de encendido/apagado igual o superior a 65 dB
  • 2. Potencia de salida superior a 100 mW (20 dBm) en cualquier punto de la gama de frecuencia superior a 43,5 GHz, pero sin sobrepasar los 90 GHz
  • 3. "Tiempo de conmutación de frecuencia" especificado por alguna de las características siguientes:
    • a. Sin uso
    • b. Inferior a 100 μs para todo cambio de frecuencia que exceda de 2,2 GHz dentro de la gama de frecuencias superior a 4,8 GHz, pero sin sobrepasar los 31,8 GHz,
    • c. Sin uso
    • d. Inferior a 500 μs para todo cambio de frecuencia que exceda de 550 MHz dentro de la gama de frecuencias superior a 31,8 GHz, pero sin sobrepasar los 37 GHz, o
    • e. Inferior a 100 μs para todo cambio de frecuencia que exceda de 2,2 GHz dentro de la gama de frecuencias superior a 37 GHz, pero sin sobrepasar los 90 GHz,
    • f. Sin uso
  • 4. Un ruido de fase en banda lateral única (SSB), medido en dBc/Hz, y que se haya especificado con cualquiera de las características siguientes:
    • a. Inferior a (mejor que) - (126 + 20log10F - 20log10f) en cualquier punto de la gama de 10 Hz ≤ F ≤ 10 kHz en cualquier punto de la gama de frecuencia superior a 3,2 GHz, pero no superior a 90 GHz, o
    • b. Inferior a (mejor que) - (206 - 20log10f) en cualquier punto de la gama de 10 kHz < F ≤ 100 kHz en cualquier punto de la gama de frecuencia superior a 3,2 GHz, pero no superior a 90 GHz,
    
    Nota técnica:
    En el subartículo 3A002.d.4, F es el desfase con respecto a la frecuencia de funcionamiento en Hz y f es la frecuencia de funcionamiento en MHz.
  • 5. Un ‘ancho de banda de modulación de RF’ de señales digitales de banda de base, especificado por cualquiera de las características siguientes:
    • a. Superior a 2,2 GHz en cualquier punto de la gama de frecuencia superior a 4,8 GHz, pero no superior a 31,8 GHz
    • b. Superior a 550 MHz en cualquier punto de la gama de frecuencia superior a 31,8 GHz, pero no superior a 37 GHz, o
    • c. Superior a 2,2 GHz en cualquier punto de la gama de frecuencia superior a 37 GHz, pero no superior a 90 GHz, o
    
    Nota técnica:
    ‘Ancho de banda de modulación de RF’ es el ancho de banda de radiofrecuencia (RF) ocupado por una señal de banda de base codificada digitalmente modulada en una señal de RF. También se denomina ancho de banda de información o ancho de banda de modulación vectorial. La modulación digital I/Q es el método técnico para producir una señal de salida de RF de modulación vectorial, y dicha señal de salida se especifica normalmente con un ‘ancho de banda de modulación de RF’.
  • 6. Frecuencia sintetizada máxima superior a 90 GHz.
  
  Nota 1: A los efectos del subartículo 3A002.d, los generadores de señales de frecuencia sintetizada incluyen los generadores de función y de forma de onda arbitraria.
  Nota 2: El subartículo 3A002.d no somete a control los equipos en los que la frecuencia de salida se produce mediante la adición o la sustracción de dos o más frecuencias obtenidas mediante osciladores de cristal, o por una adición o sustracción seguida por una multiplicación del resultado.
  Notas técnicas:
  • 1. La frecuencia máxima sintetizada de un generador de función u onda arbitraria se calcula dividiendo la velocidad de muestreo, en muestras/segundo, por un factor de 2,5.
  • 2. A los efectos del subartículo 3A002.d.1.a, la ‘duración del impulso’ se define como el intervalo de tiempo comprendido entre el punto situado en el borde principal, que corresponde al 50 % de la amplitud del impulso, hasta el punto del flanco posterior, que corresponde al 50 % de la amplitud del impulso.
• e. Analizadores de redes con cualquiera de las características siguientes:
  • 1. Potencia de salida superior a 31,62 mW (15 dBm) en cualquier punto de la gama de frecuencia superior a 43,5 GHz, pero sin sobrepasar los 90 GHz
  • 2. Potencia de salida superior a 1 mW (0 dBm) en cualquier punto de la gama de frecuencia superior a 90 GHz, pero sin sobrepasar los 110 GHz
  • 3. ‘Funcionalidad de medición del vector no lineal’ con una frecuencia superior a 50 GHz, pero sin sobrepasar los 110 GHz, o
    Nota técnica:
    La ‘funcionalidad de medición del vector no lineal’ es la capacidad de un instrumento de analizar los resultados del ensayo en relación con los dispositivos accionados en el dominio de la señal amplia o la gama de distorsión no lineal.
  • 4. Frecuencia máxima de funcionamiento superior a 110 GHz,
• f. Receptores de prueba de microondas que reúnan todas las características siguientes:
  • 1. Frecuencia máxima de funcionamiento superior a 110 GHz, y
  • 2. Capacidad para medir simultáneamente la amplitud y la fase
• g. Patrones de frecuencia atómicos que sean cualquiera de los siguientes:
  • 1. "Calificados para uso espacial",
  • 2. Que no sean patrones de rubidio y tengan una estabilidad a largo plazo inferior a (mejor que) 1 × 10-11/mes, o
  • 3. No "calificados para uso espacial" y que posean todas las características siguientes:
    • a. Que sea un patrón de rubidio
    • b. Estabilidad a largo plazo inferior a (mejor que) 1 × 10-11/mes, y
    • c. Consumo de potencia total inferior a 1 W
• h. "Conjuntos electrónicos", módulos o equipos, especificados para realizar todas las operaciones siguientes:
  • 1. Conversiones analógico-digital que reúnan cualquiera de las características siguientes:
    • a. Resolución igual o superior a 8 bits, pero inferior a 10 bits, con una "velocidad de muestras" superior a 1,3 gigamuestras por segundo (Giga Samples Per Second, GSPS)
    • b. Resolución igual o superior a 10 bits, pero inferior a 12 bits, con una "velocidad de muestras" superior a 1,0 gigamuestras por segundo (Giga Samples Per Second, GSPS)
    • c. Resolución igual o superior a 12 bits, pero inferior a 14 bits, con una "velocidad de muestras" superior a 1,0 gigamuestras por segundo (Giga Samples Per Second, GSPS)
    • d. Resolución igual o superior a 14 bits, pero inferior a 16 bits, con una "velocidad de muestras" superior a 400 megamuestras por segundo (Mega Samples Per Second, MSPS), o
    • e. Resolución igual o superior a 16 bits, con una "velocidad de muestras" superior a 180 megamuestras por segundo (Mega Samples Per Second, MSPS), y
  • 2. Cualquiera de las características siguientes:
    • a. Salida de datos digitalizados,
    • b. Almacenamiento de datos digitalizados, o
    • c. Procesamiento de datos digitalizados.
  
  N.B. Los grabadores de datos digitales, los osciloscopios, los "analizadores de señales", los generadores de señales, los analizadores de redes y los receptores de prueba de microondas están especificados en los sub artículos 3A002.a.6, 3A002.a.7, 3A002.c, 3A002.d, 3A002.e y 3A002.f, respectivamente.
  Notas técnicas:
  • 1. Una resolución de n bits corresponde a una cuantificación de 2n niveles.
  • 2. La resolución del ADC es el número de bits de la salida digital del ADC que representa la entrada analógica medida. Para determinar la resolución del ADC no se usa el número efectivo de bits (ENOB).
  • 3. En el caso de los "conjuntos electrónicos", módulos o equipos multicanal no entrelazados, las "velocidades de muestras" no se acumulan y la "velocidad de muestras" es la velocidad máxima de cualquier canal considerado individualmente.
  • 4. En el caso de los canales entrelazados de "conjuntos electrónicos", módulos o equipos multicanal, se acumulan las "velocidades de muestras" y la "velocidad de muestras" es la velocidad total combinada máxima de todos los canales entrelazados.

Nota: El subartículo 3A002.h incluye tarjetas ADC, digitalizadores de formas de onda, tarjetas de adquisición de datos, tableros de adquisición de señales y grabadores de transitorios.

3A003

Sistemas de control térmico mediante enfriamiento por pulverización (spray cooling) que utilicen equipos de tratamiento y reacondicionamiento del fluido en circuito cerrado, en el interior de una cámara estanca en la que se pulveriza un fluido dieléctrico sobre los componentes electrónicos mediante boquillas aspersoras diseñadas especialmente con el fin de mantener dichos componentes electrónicos dentro de su gama de temperaturas de funcionamiento, así como los componentes que han sido proyectados específicamente para ellos.

3A101

Equipos, dispositivos y componentes electrónicos, distintos de los especificados en el artículo 3A001, según se indica:

• a. Convertidores analógico-digital que puedan utilizarse en "misiles", diseñados para las especificaciones militares destinadas a equipos robustos (ruggedized)
• b. Aceleradores capaces de suministrar radiaciones electromagnéticas producidas por radiación de frenado (Bremsstrahlung) a partir de electrones acelerados de 2 MeV o más, y sistemas que contengan dichos aceleradores.

Nota: El subartículo 3A101.b no incluye los equipos diseñados especialmente para uso médico.

3A102

‘Baterías térmicas’ diseñadas o modificadas para ‘misiles’.

Notas técnicas:

• 1. En el artículo 3A102, las ‘baterías térmicas’ son baterías desechables que contienen una sal inorgánica sólida no conductora como electrolito. Dichas baterías incorporan un material pirolítico que, al encenderse, funde el electrolito y activa la batería.
• 2. En el artículo 3A102, los ‘misiles’ hacen referencia a los sistemas completos de cohetes y sistemas de vehículos aéreos no tripulados con un alcance superior a 300 km.

3A201

Componentes electrónicos, distintos de los especificados en el artículo 3A001, según se indica:

• a. Condensadores que posean cualquiera de los siguientes conjuntos de características:
  • 1.
    • a. Tensión nominal superior a 1,4 kV
    • b. Almacenamiento de energía superior a 10 J
    • c. Capacitancia superior a 0,5 μF, e
    • d. Inductancia en serie inferior a 50 nH, o
  • 2.
    • a. Tensión nominal superior a 750 V
    • b. Capacitancia superior a 0,25 μF, e
    • c. Inductancia en serie inferior a 10 nH
• b. Electroimanes solenoidales superconductores que presenten todas las características siguientes:
  • 1. Capacidad de crear campos magnéticos de más de 2 T
  • 2. Relación de longitud a diámetro interior superior a 2
  • 3. Diámetro interior superior a 300 mm, y
  • 4. Campo magnético con un grado de uniformidad superior al 1 % en el 50 %, centrado, del volumen interior
  
  Nota: El subartículo 3A201.b no somete a control los imanes diseñados especialmente para -y exportados como- ‘piezas de’ sistemas médicos de formación de imágenes por resonancia magnética nuclear (NMR). La expresión ‘como piezas de’ no significa necesariamente que se trate de una pieza física incluida en la misma expedición. Se permiten expediciones por separado, de orígenes distintos, siempre que los documentos de exportación correspondientes especifiquen claramente que los envíos se despachan como ‘piezas de’ los sistemas de formación de imágenes.
• c. Generadores de rayos X de descarga por destello o aceleradores por impulso de electrones que posean alguno de los siguientes conjuntos de características:
  • 1.
    • a. Pico de energía de electrones, del acelerador, igual o superior a 500 keV pero inferior a 25 MeV, y
    • b. "Factor de mérito" (K) igual o superior a 0,25, o
  • 2.
    • a. Pico de energía de electrones, del acelerador, igual o superior a 25 MeV, y
    • b. "Pico de potencia" superior a 50 MW.
  
  Nota: El subartículo 3A201.c no somete a control los aceleradores que sean componentes de dispositivos diseñados para fines distintos de la radiación por haz electrónico o rayos X (microscopia electrónica, por ejemplo) ni aquellos diseñados para fines médicos.
  Notas técnicas:
  • 1. El "factor de mérito" (K) se define como:
    K = 1,7 × 10nV2,65Q
    (donde V es el pico de energía de electrones en millones de electronvoltios).
    Si la duración del impulso del haz del acelerador es igual o inferior a 1 μs, Q es la carga acelerada total en culombios. Si la duración del impulso del haz del acelerador es superior a 1 μs, Q es la carga acelerada máxima en 1 μs.
    Q es igual a la integral de i respecto a t, durante un 1 μs o a lo largo de la duración del impulso del haz si esta es menor (Q = ∫ idt), siendo i la corriente del haz en amperios y t el tiempo en segundos.
  • 2. ‘Pico de potencia’ = (pico de potencial en voltios) × (pico de corriente del haz en amperios).
  • 3. En las máquinas basadas en cavidades aceleradoras para microondas, la duración del impulso del haz es el valor inferior de los dos siguientes: 1 microsegundo o la duración del paquete agrupado del haz resultante de un impulso del modulador de microondas.
  • 4. En las máquinas basadas en cavidades aceleradoras para microondas, el pico de corriente del haz es la corriente media en la duración de un paquete agrupado del haz.

3A225

Convertidores de frecuencia o generadores, distintos de los especificados en el subartículo 0B001.b.13 que puedan utilizarse como mando del motor de frecuencia variable o fija y que reúnan todas las características siguientes:

N.B.1. Los "programas informáticos" diseñados especialmente para aumentar el rendimiento de un convertidor de frecuencia o generador, o liberar su potencial de rendimiento, a fin de cumplir las características del artículo 3A225 están especificados en el artículo 3D225.

N.B.2. La "tecnología" en forma de códigos o claves para aumentar el rendimiento de un convertidor de frecuencia o generador, o liberar su potencial de rendimiento, a fin de cumplir las características del artículo 3A225 está especificada en el artículo 3E225.

• a. Salida multifase que suministra una potencia igual o superior a 40 VA
• b. Funcionamiento a una frecuencia de 600 Hz o más, y
• c. Control de frecuencia mejor que (inferior a) 0,2 %.

Nota: El artículo 3A225 no somete a control los convertidores de frecuencia o generadores que tengan restricciones de equipos informáticos, de "programas informáticos" o de "tecnología" que limiten el rendimiento a menos de lo especificado anteriormente, siempre que cumplan cualquiera de las características siguientes:

• 1. Deben devolverse a su fabricante original para que haga las mejoras o las libere de las restricciones
• 2. Requieren los "programas informáticos" especificados en el artículo 3D225 para mejorar el rendimiento, o liberar su potencial de rendimiento, a fin de ajustarse a las características del artículo 3A225, o
• 3. Requieren la "tecnología" en forma de códigos o claves especificada en el artículo 3E225 para mejorar el rendimiento, o liberar su potencial de rendimiento, a fin de ajustarse a las características del artículo 3A225.

Notas técnicas:

• 1. Los convertidores de frecuencia especificados en el artículo 3A225 también son conocidos como cambiadores o inversores.
• 2. Los convertidores de frecuencia especificados en el artículo 3A225 podrán comercializarse como generadores, equipo electrónico de ensayo, fuentes de alimentación de corriente alterna, mandos de motor de velocidad variable, mandos de velocidad variable, mandos de frecuencia variable, mandos de frecuencia regulable o mandos de velocidad regulable.

3A226

Fuentes de corriente continua de gran potencia, distintas de las especificadas en el subartículo 0B001.j.6 que posean las dos características siguientes:

• a. Capacidad de producir de modo continuo, a lo largo de 8 horas, 100 V o más con una corriente de salida de 500 A o más, y
• b. Estabilidad de la corriente o de la tensión mejor que el 0,1 % a lo largo de 8 horas.

3A227

Fuentes de corriente continua de alta tensión, distintas de las especificadas en el subartículo 0B001.j.5, que reúnan las dos características siguientes:

• a. Capacidad de producir de modo continuo, a lo largo de 8 horas, 20 kV o más con una corriente de salida de 1 amperio o más, y
• b. Estabilidad de la corriente o de la tensión mejor que el 0,1 % a lo largo de 8 horas.

3A228

Dispositivos de conmutación, según se indica:

• a. Tubos de cátodo frío, llenos de gas o no, de funcionamiento similar a los descargadores de chispas, que reúnan todas las características siguientes:
  • 1. Tener tres o más electrodos
  • 2. Tensión nominal de pico en el ánodo igual o superior a 2,5 kV
  • 3. Intensidad nominal de corriente de pico en el ánodo igual o superior a 100 A, y
  • 4. Tiempo de retardo de ánodo igual o inferior a 10 μs.
  
  Nota: El artículo 3A228.a incluye los tubos de gas krytron y los tubos sprytron de vacío.
• b. Descargadores de chispas con disparo que reúnan las dos características siguientes:
  • 1. Tiempo de retardo de ánodo igual o inferior a 15 μs, y
  • 2. Tasados para una intensidad de corriente nominal de pico igual o superior a 500 A
• c. Módulos o conjuntos con una función de conmutación rápida, distintos de los especificados en los subartículos 3A001.g o 3A001.h, que reúnan todas las características siguientes:
  • 1. Tensión nominal de pico en el ánodo superior a 2 kV
  • 2. Intensidad nominal de corriente de pico en el ánodo igual o superior a 500 A, y
  • 3. Tiempo de conexión igual o inferior a 1 μs.

3A229

Generadores de impulsos de corriente elevada según se indica:

N.B. VÉASE ASIMISMO LA RELACIÓN DE MATERIAL DE DEFENSA.

• a. Conjuntos de ignición de detonador (sistemas iniciadores, firesets), incluidos los conjuntos de ignición activados ópticamente y activados por explosivos de carga electrónica, distintos de los especificados en el subartículo 1A007.a, que hayan sido diseñados para accionar los detonadores controlados de forma múltiple que se incluyen en el subartículo 1A007.b
• b. Generadores modulares de impulsos eléctricos (impulsadores) que reúnan todas las características siguientes:
  • 1. Diseñados para uso portátil, móvil o en condiciones severas (ruggedized)
  • 2. Capacidad para suministrar su energía en menos de 15 μs en cargas inferiores a 40 ohmios
  • 3. Salida superior a 100 A
  • 4. Ninguna dimensión superior a 30 cm
  • 5. Peso inferior a 30 kg y
  • 6. Especificados para utilizarse en una amplia gama de temperaturas de 223 K (- 50 °C) a 373 K (100 °C) o especificados como adecuados para aplicaciones aeroespaciales
  
  Nota: El subartículo 3A229.b incluye los excitadores de lámparas de destello de xenón.
• c. Unidades de microignición que reúnan todas las características siguientes:
  • 1. Ninguna dimensión superior a 35 mm
  • 2. Tensión nominal igual o superior a 1 kV, y
  • 3. Capacitancia igual o superior a 100 nF.

3A230

Generadores de impulsos de gran velocidad, y ‘cabezas de impulso’ para los mismos, que reúnan todas las características siguientes:

• a. Tensión de salida superior a 6 V sobre una carga resistiva de menos de 55 ohmios, y
• b. ‘Tiempo de transición de impulsos’ inferior a 500 ps.

Notas técnicas:

• 1. En el artículo 3A230, el ‘tiempo de transición de impulso’ se define como el intervalo de tiempo comprendido entre el 10 % y el 90 % de la amplitud de la tensión.
• 2. Las ‘cabezas de impulso’ son redes generadoras de impulsos concebidas para admitir una función de salto de tensión y darle una gran variedad de formas de impulsos, que pueden incluir tipos rectangulares, triangulares, a intervalos, a impulsos, exponenciales o monociclo. Las "cabezas de impulso" pueden ser parte integrante del generador de impulsos, pueden ser un módulo enchufable al dispositivo o pueden ser un dispositivo de conexión externa.

3A231

Sistemas generadores de neutrones, incluidos los tubos, que posean las dos características siguientes:

• a. Estar diseñados para funcionar sin sistema de vacío externo, y
• b. Que posean cualquiera de las características siguientes:
  • 1. Aceleración electrostática para inducir una reacción nuclear tritio-deuterio, o
  • 2. Aceleración electrostática para inducir una reacción nuclear deuterio-deuterio y capacidad de ofrecer una potencia de 3 × 109 neutrones/s o más.

3A232

Sistemas de iniciación multipunto, distintos de los especificados en el artículo 1A007, según se indica:

N.B. VÉASE ASIMISMO LA RELACIÓN DE MATERIAL DE DEFENSA.

N.B. Véase el subartículo 1A007.b para los detonadores.

• a. Sin uso
• b. Montajes que empleen detonadores únicos o múltiples diseñados para iniciar casi simultáneamente una superficie explosiva de área superior a 5 000 mm2 a partir de una sola señal de detonación, con un tiempo de iniciación distribuido por la superficie de menos de 2,5 μs.

Nota : El artículo 3A232 no somete a control los detonadores que empleen solamente explosivos primarios, como azida de plomo.

3A233

Espectrómetros de masas, distintos de los especificados en el subartículo 0B002.g, capaces de medir iones de 230 u o mayores, y que tengan una resolución mejor que 2 partes por 230, según se indica, así como las fuentes de iones para ellos:

• a. Espectrómetros de masas de plasma acoplados inductivamente (ICP/MS)
• b. Espectrómetros de masas de descarga luminosa (GDMS)
• c. Espectrómetros de masas de ionización térmica (TIMS)
• d. Espectrómetros de masas de bombardeo electrónico que presenten las dos características siguientes:
  • 1. Un sistema de admisión de haz molecular que inyecte un haz colimado de moléculas de analito en una región de la fuente de iones donde las moléculas son ionizadas por un haz de electrones, y
  • 2. Una o más ‘trampas frías’ que puedan enfriarse a una temperatura de 193 K (- 80 °C)
• e. Sin uso
• f. Espectrómetros de masas equipados con una fuente de iones de microfluoración diseñada para actínidos o fluoruros de actínidos.
  Notas técnicas:
  • 1. Los espectrómetros de masas de bombardeo electrónico del subartículo 3A233.d también se conocen como espectrómetros de masas de impacto de electrones o espectrómetros de masas de ionización de electrones.
  • 2. En el subartículo 3A233.d.2, una ‘trampa fría’ es un dispositivo que atrapa moléculas de gas condensándolas o congelándolas en superficies frías. A efectos del subartículo 3A233.d.2, una bomba de vacío criogénica gaseosa de helio de circuito cerrado no es una "trampa fría".

3A234

Microbandas para proporcionar una trayectoria de baja inductancia a los detonadores, con las siguientes características:

• a. Tensión nominal superior a 2 kV e
• b Inductancia inferior a 20 nH.

3B Equipos de ensayo, inspección y producción

3B001

Equipos para la fabricación de dispositivos o de materiales semiconductores, según se indica, y componentes y accesorios diseñados especialmente para ellos:

N.B. VÉASE TAMBIÉN EL ARTÍCULO 2B226.

• a. Equipos diseñados para el crecimiento epitaxial según se indica:
  • 1. Equipos diseñados o modificados para producir una capa de cualquier material distinto al silicio con espesor uniforme, de una variación inferior a ± 2,5 % sobre una distancia igual o superior a 75 mm
    Nota: El subartículo 3B001.a.1 incluye los equipos de epitaxia a capas atómicas (ALE).
  • 2. Reactores de deposición de vapores químicos organometálicos (MOCVD) concebidos para el crecimiento epitaxial de semiconductores compuestos de material que tengan dos o más de los elementos siguientes: aluminio, galio, indio, arsénico, fósforo, antimonio o nitrógeno
  • 3. Equipos de crecimiento epitaxial de haz molecular que utilicen fuentes sólidas o gaseosas
• b. Equipos diseñados para la implantación iónica y que posean cualquiera de las características siguientes:
  • 1. Sin uso
  • 2. Estar diseñados y optimizados para funcionar a una energía de haz igual o superior a 20 keV y una corriente de haz igual o superior a 10 mA para la implantación de deuterio hidrógeno o helio
  • 3. Capacidad de escritura directa
  • 4. Una energía del haz igual o superior a 65 keV y una corriente del haz igual o superior a 45 mA para la implantación, a alta energía, de oxígeno en un "sustrato" de material semiconductor calentado, o
  • 5. Estar diseñados y optimizados para funcionar a una energía de haz igual o superior a 20 keV y una corriente de haz igual o superior a 10 mA para la implantación de silicio en un "sustrato" de material semiconductor calentado a 600 °C o más
• c. Sin uso
• d. Sin uso
• e. Sistemas centrales de manipulación de obleas para la carga automática de cámaras múltiples que reúnan todas las características siguientes:
  • 1. Interfaces para la entrada y salida de obleas, a los que hayan de conectarse más de dos ‘herramientas de proceso de semiconductores’ funcionalmente diferentes especificadas en los sub artículos 3B001.a.1, 3B001.a.2, 3B001.a.3 o 3B001.b, y
  • 2. Diseñados para formar un sistema integrado en un ambiente bajo vacío para el ‘tratamiento secuencial múltiple de las obleas’.
  
  Nota: El subartículo 3B001.e no somete a control los sistemas robotizados automáticos de manipulación de obleas diseñadas especialmente para el tratamiento paralelo de obleas.
  Notas técnicas:
  • 1. A los efectos del subartículo 3B001.e, las ‘herramientas de proceso de semiconductores’ designan herramientas modulares que efectúan procesos físicos funcionalmente diferentes como el depósito, la implantación o el tratamiento térmico para la producción de semiconductores.
  • 2. A los efectos del subartículo 3B001.e, el ‘tratamiento secuencial múltiple de las obleas’ designa la capacidad para procesar cada oblea en diversas ‘herramientas de proceso de semiconductores’, por ejemplo transfiriendo cada oblea de una primera herramienta a una segunda y a una tercera con los sistemas centrales de manipulación de obleas destinados a la carga automática de cámaras múltiples.
• f. Equipos de litografía según se indica:
  • 1. Equipos de alineación y exposición, por paso y repetición (paso directo en la oblea) o por paso y exploración (explorador), para el proceso de obleas utilizando métodos fotoópticos o de rayos X y que posean cualquiera de las características siguientes:
    • a. Longitud de onda de la fuente luminosa inferior a 193 nm, o
    • b. Capacidad de producir un patrón cuyo ‘tamaño de la característica resoluble mínima’ (MRF) sea igual o inferior a 45 nm
    
    Nota técnica:
    El ‘tamaño de la característica resoluble mínima’ (MRF) se calcula mediante la siguiente fórmula:

    

    
    siendo el factor K = 0,35.
  • 2. Equipos de impresión litográfica que puedan producir características de 45 nm de base o menos
    Nota: El subartículo 3B001.f.2 incluye:
    • - Instrumentos de impresión por microcontacto
    • - Instrumentos de troquelado en caliente
    • - Instrumentos de nanoimpresión litográfica
    • - Instrumentos de impresión litográfica S-FIL (step and flash).
  • 3. Equipos diseñados especialmente para la fabricación de máscaras, que reúnan todas las características siguientes:
    • a. Un haz de electrones, un haz de iones o un haz "láser", enfocado y desviable, y
    • b. Que posean cualquiera de las características siguientes:
      • 1. Un tamaño de anchura de altura media (FWHM) del haz en el impacto (spot) inferior a 65 nm y una colocación de imagen inferior a 17 nm (media + 3 sigma), o
      • 2. Sin uso
      • 3. Un error de recubrimiento de la segunda capa inferior a 23 nm (media + 3 sigma) de la máscara
  • 4. Equipos diseñados para el proceso de dispositivos, utilizando métodos de escritura directa, que reúnan todas las características siguientes:
    • a. Un haz de electrones enfocado y desviable, y
    • b. Que posean cualquiera de las características siguientes:
      • 1. Un tamaño mínimo del haz inferior o igual a 15 nm, o
      • 2. Un error de recubrimiento inferior a 27 nm (media + 3 sigma)
• g. Máscaras y retículas, diseñadas para circuitos integrados especificados en el artículo 3A001
• h. Máscaras multicapas con una capa de cambio de fase no especificadas en el subartículo 3B001.g y concebidas para ser utilizadas por equipos de litografía con una longitud de onda de la fuente luminosa inferior a 245 nm;
  Nota: El subartículo 3B001.h no somete a control las máscaras multicapas con una capa de cambio de fase diseñadas para la fabricación de dispositivos de memoria no especificados en el artículo 3A001.
  N.B. Para las máscaras y retículas, diseñadas especialmente para sensores ópticos, véase el artículo 6B002.
• i. Plantillas para impresión litográfica diseñadas para los circuitos integrados que se especifican en el artículo 3A001
• j. "Sustratos en bruto" de máscaras con estructura de reflector multicapas que consten de molibdeno y silicio y reúnan todas las características siguientes:
  • 1. Diseñados especialmente para litografía ‘ultravioleta extrema’ ("EUV"), y
  • 2. Que cumplan la norma SEMI P37.

Nota técnica:

La radiación ‘ultravioleta extrema’ (‘EUV’) hace referencia a longitudes de onda del espectro electromagnético superiores a 5 nm e inferiores a 124 nm.

3B002

Equipos de ensayo diseñados especialmente para el ensayo de dispositivos semiconductores terminados o no terminados, según se indica, y componentes y accesorios de los mismos diseñados especialmente:

• a. Para el ensayo de los parámetros S de los productos especificados en el subartículo 3A001.b.3
• b. Sin uso
• c. Para el ensayo de los productos especificados en el subartículo 3A001.b.2.

3C Materiales

3C001

Materiales hetero-epitaxiales consistentes en un "sustrato" con capas múltiples apiladas obtenidas por crecimiento epitaxial de cualquiera de los siguientes productos:

• a. Silicio (Si)
• b. Germanio (Ge)
• c. Carburo de silicio (SiC), o
• d. "Compuestos III/V" de galio o indio.

Nota: El subartículo 3C001.d no somete a control los "sustratos" con una o más capas epitaxiales de tipo P de GaN, InGaN, AlGaN, InAlN, InAlGaN, GaP, GaAs, AlGaAs, InP, InGaP, AlInP o InGaAlP, independiente de la secuencia de los elementos, salvo si la capa epitaxial de tipo P está entre capas de tipo N.

3C002

Materiales de protección, según se indica, y "sustratos" revestidos con los materiales de protección siguientes:

• a. Materiales de protección concebidos para litografía en semiconductores, según se indica:
  • 1. Materiales de protección positivos ajustados (optimizados) para su utilización a longitudes de onda inferiores a 193 nm pero iguales o superiores a 15 nm
  • 2. Materiales de protección ajustados (optimizados) para su utilización a longitudes de onda inferiores a 15 nm pero superiores a 1 nm
• b. Todos los materiales de protección destinados a su utilización con haces de electrones o haces iónicos, y que tengan una sensibilidad de 0,01 microculombios/mm2 o mejor
• c. Sin uso
• d. Todos los materiales de protección optimizados para tecnologías de formación de imágenes de superficie
• e. Todos los materiales de protección diseñados u optimizados para ser utilizados en los equipos de impresión litográfica especificados en el subartículo 3B001.f.2 que utilicen un procedimiento térmico o fotocurable.

3C003

Compuestos organo-inorgánicos según se indica:

• a. Compuestos organometálicos de aluminio, de galio o de indio, con una pureza (del metal) superior al 99,999 %
• b. Compuestos organoarsénicos, organoantimónicos y organofosfóricos, con una pureza (del elemento inorgánico) superior a 99,999 %.

Nota: El artículo 3C003 solo somete a control los compuestos cuyo componente metálico, parcialmente metálico o no metálico esté directamente enlazado al carbono en la parte orgánica de la molécula.

3C004

Hidruros de fósforo, de arsénico o de antimonio con una pureza superior al 99,999 %, incluso diluidos en gases inertes o en hidrógeno.

Nota: El artículo 3C004 no somete a control los hidruros que contienen el 20 % molar o más de gases inertes o de hidrógeno.

3C005

Materiales de alta resistividad, según se indica:

• a. "Sustratos" semiconductores de carburo de silicio (SiC), nitruro de galio (GaN), nitruro de aluminio (AlN) o nitruro de galio-aluminio (AlGaN), o lingotes, compuestos sintéticos (boules) u otras preformas de dichos materiales, con resistividades superiores a 10 000 ohm-cm a 20 °C
• b. "Sustratos" policristalinos o "sustratos" de cerámica policristalina, con resistividades superiores a 10 000 ohm-cm a 20 °C y que tengan al menos una capa monocristalina no epitaxial de silicio (Si), carburo de silicio (SiC), nitruro de galio (GaN), nitruro de aluminio (AlN) o nitruro de galio-aluminio (AlGaN) en la superficie del "sustrato".

3C006

Materiales no especificados en el artículo 3C001 y que consten de un "sustrato" especificado en el artículo 3C005 con al menos una capa epitaxial de carburo de silicio, nitruro de galio, nitruro de aluminio o nitruro de galio-aluminio.

3D Programas informáticos

3D001

"Programas informáticos" diseñados especialmente para el "desarrollo" o la "producción" de los equipos especificados en los subartículos 3A001.b a 3A002.h o en la categoría 3B.

3D002

"Programas informáticos" diseñados especialmente para la "utilización" de los equipos especificados en los subartículos 3B001.a a 3B001.f o en los artículos 3B002 o 3A225.

3D003

"Programas informáticos" de ‘litografía computacional’ diseñados especialmente para el "desarrollo" de patrones en máscaras o retículas de litografía EUV.

Nota técnica:

La ‘litografía computacional’ consiste en utilizar la modelización informática para predecir, corregir, optimizar y verificar el rendimiento de imagen del proceso litográfico en una serie de patrones, procesos y condiciones del sistema.

3D004

"Programas informáticos" diseñados especialmente para el "desarrollo" de los equipos especificados en el artículo 3A003.

3D005

"Programas informáticos" diseñados especialmente para restablecer el funcionamiento normal de un microordenador, "microcircuito de microprocesador" o "microcircuito de microordenador" dentro de 1 ms tras una perturbación por impulso electromagnético (EMP) o descarga electrostática (ESD), sin pérdida de continuidad del funcionamiento.

3D101

"Programas informáticos" especialmente diseñados o modificados para la "utilización" de los equipos especificados en el subartículo 3A101.b.

3D225

"Programas informáticos" diseñados especialmente para aumentar el rendimiento de un convertidor de frecuencia o generador, o liberar su potencial de rendimiento, a fin de cumplir las características del artículo 3A225.

3E Tecnología

3E001

"Tecnología", de acuerdo con la Nota General de Tecnología, para el "desarrollo" o la "producción" de equipos o materiales especificados en las categorías 3A, 3B o 3C.

Nota 1: El artículo 3E001 no somete a control la "tecnología" para equipos o componentes especificados en el artículo 3A003.

Nota 2: El artículo 3E001 no somete a control la "tecnología" para los circuitos integrados especificados en los subartículos 3A001.a.3 a 3A001.a.12 que reúnan todas las características siguientes:

• a. que empleen "tecnología" igual o superior a 0,130 μm, y
• b. que incorporen estructuras multicapa de no más de tres capas metálicas.

Nota 3: El artículo 3E001 no somete a control los ‘kits de diseño de procesos’ (‘PDK’) salvo si incluyen bibliotecas que implementen funciones o tecnologías para los productos especificados en el artículo 3A001.

Nota técnica:

Un ‘kit de diseño de procesos’ (‘PDK’) es una herramienta de programas informáticos proporcionada por un fabricante de semiconductores para garantizar que se tengan en cuenta las prácticas y normas de diseño necesarias para producir con éxito un diseño específico de circuito integrado en un proceso específico de semiconductores, respetando las limitaciones tecnológicas y de fabricación (cada proceso de fabricación de semiconductores tiene su propio ‘PDK’).

3E002

"Tecnología" de acuerdo con la Nota General de Tecnología, distinta de la especificada en el artículo 3E001, para el "desarrollo" o la "producción" de un núcleo de "microcircuito de microprocesador", "microcircuito de microordenador" o microcircuito de microcontrolador que tenga una unidad aritmética lógica con una capacidad de acceso paralelo de 32 bits o superior y que presente cualquiera de los rasgos o características siguientes:

• a. Una ‘unidad de procesador vectorial’ diseñada para realizar más de dos cálculos sobre vectores en coma flotante (matrices unidimensionales de 32 bits o más) simultáneamente
  Nota técnica:
  Una ‘unidad de procesador vectorial’ es un procesador con instrucciones incorporadas que realiza simultáneamente cálculos múltiples sobre vectores en coma flotante (matrices unidimensionales de 32 bits o más), con al menos una unidad vectorial aritmética lógica y registros vectoriales de al menos 32 elementos cada uno.
• b. Diseñada para realizar más de cuatro operaciones en coma flotante de 64 bits o más, por ciclo, o
• c. Concebida para obtener más de ocho resultados de adiciones y multiplicaciones en coma fija de 16 bits por ciclo (p. ej., manipulación digital de información analógica previamente convertida en formato digital, también conocido como "proceso de señales").
  Notas técnicas:
  • 1. A los efectos de los subartículos 3E002.a y 3E002.b, la coma flotante se define con arreglo a la norma IEEE-754.
  • 2. A los efectos del subartículo 3E002.c, la coma fija se refiere a un número real compuesto de un componente entero y de un número fijo de decimales, y que no incluye formatos compuestos únicamente por enteros.
  
  Nota 1: El artículo 3E002 no somete a control la "tecnología" de extensiones multimedia.
  Nota 2: El artículo 3E002 no somete a control la "tecnología" para núcleos de microprocesadores que posean todas las características siguientes:
  • a. que empleen "tecnología" igual o superior a 0,130 μm, y
  • b. que incorporen estructuras multicapa con cinco o menos capas metálicas.

Nota 3: El artículo 3E002 incluye la "tecnología" para el "desarrollo" o la "producción" de procesadores de señales digitales y procesadores de matrices digitales.

3E003

Otras "tecnologías" para el "desarrollo" o la "producción" de lo siguiente:

• a. Dispositivos microelectrónicos de vacío
• b. Dispositivos electrónicos semiconductores de estructura heterogénea tales como los transistores de alta movilidad de electrones (HEMT), los transistores bipolares de heterounión (HBT) y los dispositivos de pozo cuántico o de superredes
  Nota: El subartículo 3E003.b no somete a control la "tecnología" para los transistores de alta movilidad de electrones (HEMT) que funcionen a frecuencias inferiores a 31,8 GHz ni los transistores bipolares de heterounión (HBT) que funcionen a frecuencias inferiores a 31,8 GHz.
• c. Dispositivos electrónicos "superconductores"
• d. Sustratos o películas de diamante para componentes electrónicos
• e. Sustratos de silicio sobre aislante (SOI) para circuitos integrados en los cuales el aislante es dióxido de silicio
• f. Sustratos de carburo de silicio para componentes electrónicos
• g. "Dispositivos electrónicos de vacío" que funcionen a frecuencias de 31,8 GHz o más.

3E004

La "tecnología""requerida" para cortar en láminas, esmerilar y pulir obleas de silicio de 300 mm de diámetro con el fin de conseguir una planitud ‘SFQR’ (‘Site Front least sQuares Range’) inferior o igual a 20 nm en cualquier zona de 26 mm × 8 mm de la superficie de la oblea y excluyendo un borde de 2 mm o menos.

Nota técnica:

A efectos del artículo 3E004, ‘SFQR’ es el rango entre la máxima y mínima desviación del plano de referencia frontal, calculado mediante el método de mínimos cuadrados partiendo de todos los datos de la superficie frontal dentro de unos límites.

3E101

"Tecnología" de acuerdo con la Nota General de Tecnología para la "utilización" de los equipos o los "programas informáticos" especificados en los subartículos 3A001.a.1 o 2 y los artículos 3A101, 3A102 o 3D101.

3E102

"Tecnología" de acuerdo con la Nota General de Tecnología para el "desarrollo" de los "programas informáticos" especificados en el artículo 3D101.

3E201

"Tecnología" de acuerdo con la Nota General de Tecnología, para la "utilización" de los equipos especificados en los subartículos 3A001.e.2, 3A001.e.3 o 3A001.g, o en los artículos 3A201 y 3A225 a 3A234.

3E225

"Tecnología" en forma de códigos o claves para aumentar el rendimiento de un convertidor de frecuencia o generador, o liberar su potencial de rendimiento, a fin de ajustarse a las características del artículo 3A225.

PARTE VI
Categoría 4

CATEGORÍA 4. ORDENADORES

Nota 1: Los ordenadores, el equipo conexo y los "programas informáticos" que realicen funciones de telecomunicaciones o de "redes de área local" deberán evaluarse también con arreglo a las características de rendimiento definidas en la categoría 5, primera parte (Telecomunicaciones).

Nota 2: Las unidades de control que interconectan directamente los buses o canales de las unidades centrales de proceso, de la ‘memoria principal’ o de controladores de discos no se consideran equipos de telecomunicaciones conforme a la categoría 5, primera parte (Telecomunicaciones).

N.B. Para lo relacionado con el régimen de control de los "programas informáticos" diseñados especialmente para la conmutación de paquetes, véase el artículo 5D001.

Nota técnica:

‘Memoria principal’ es la memoria primaria de datos o instrucciones para acceso rápido desde la unidad central de procesamiento. Consta de la memoria interna de un "ordenador digital" y de cualquier ampliación jerárquica de la misma, como la memoria caché o unas ampliaciones de memoria de acceso no secuencial.

4A Sistemas, equipos y componentes

4A001

Ordenadores electrónicos y equipo conexo, que posean cualquiera de las características siguientes, y los "conjuntos electrónicos" y componentes diseñados especialmente para ellos:

N.B. VÉASE TAMBIÉN EL ARTÍCULO 4A101.

• a. Diseñados especialmente para tener cualquiera de las características siguientes:
  • 1. Proyectados para funcionar a una temperatura ambiente inferior a 228 K (- 45 °C) o superior a 358 K (85 °C), o
    Nota: El subartículo 4A001.a.1 no somete a control los ordenadores diseñados especialmente para aplicaciones civiles en automóviles, ferrocarriles o “aeronaves civiles”.
  • 2. Resistentes a las radiaciones a un nivel que supere cualquiera de las especificaciones siguientes:
    • a. Dosis total 5 × 103 Gy (silicio)
    • b. Modificación de la tasa de dosis 5 × 106 Gy (silicio)/s, o
    • c. Modificación por fenómeno único 1 × 10-8 errores/bit/día.
  
  Nota: El subartículo 4A001.a.2 no somete a control los ordenadores diseñados especialmente para aplicaciones en "aeronaves civiles".
• b. Sin uso

4A003

"Ordenadores digitales", "conjuntos electrónicos" y equipo conexo para ellos, según se indica, y los componentes diseñados especialmente para ellos:

Nota 1: El artículo 4A003 incluye lo siguiente:

• - Los ‘procesadores vectoriales’
• - Los conjuntos de procesadores
• - Los procesadores de señales digitales
• - Los procesadores lógicos
• - Los equipos diseñados para el "resaltado de imagen"

Nota 2: El régimen de control de los "ordenadores digitales" y el equipo conexo descritos en el artículo 4A003 viene determinado por el régimen de control de los otros equipos o sistemas, siempre que:

• a. Los "ordenadores digitales" o equipo conexo sean esenciales para el funcionamiento de los otros equipos o sistemas
• b. Los "ordenadores digitales" o el equipo conexo no sean un "elemento principal" de los otros equipos o sistemas, y
  N.B.1. El régimen de control de los equipos de "proceso de señales" o de "resaltado de imagen" diseñados especialmente para otros equipos que posean funciones limitadas a las necesarias para los otros equipos viene determinada por la inclusión en el control de los otros equipos aunque se sobrepase el criterio de "elemento principal".
  N.B.2. En lo que se refiere al régimen de control de los "ordenadores digitales" o equipo conexo para equipos de telecomunicaciones, véase la categoría 5, primera parte (Telecomunicaciones).
• c. La "tecnología" relativa a los "ordenadores digitales" y el equipo conexo se rija por la categoría 4E.
  • a. Sin uso
  • b. "Ordenadores digitales" que tengan un "rendimiento máximo ajustado" ("APP") superior a 29 TeraFLOPS ponderados (WT)
  • c. "Conjuntos electrónicos" especialmente diseñados o modificados para mejorar las prestaciones mediante agrupación de procesadores, de forma que el "rendimiento máximo ajustado" del conjunto exceda el límite especificado en el subartículo 4A003.b
  
  Nota 1: El subartículo 4A003.c solo somete a control los "conjuntos electrónicos" y las interconexiones programables que no sobrepasen el límite especificado en el subartículo 4A003.b, cuando se expidan como "conjuntos electrónicos" no integrados.
  Nota 2: El subartículo 4A003.c no somete a control los "conjuntos electrónicos" diseñados especialmente para un producto o una familia de productos cuya configuración máxima no sobrepase el límite especificado en el subartículo 4A003.b.
• d. Sin uso
• e. Sin uso
• f. Sin uso
• g. Equipos diseñados especialmente para agregar el rendimiento de varios "ordenadores digitales" proporcionando interconexiones externas que permitan comunicaciones con tasas unidireccionales de datos superiores a 2,0 gigaoctetos/s por enlace.

Nota: El subartículo 4A003.g no somete a control los equipos de interconexión interna (por ejemplo backplanes, buses), los equipos pasivos de interconexión, los "controladores de acceso a la red" o los "controladores de canal de comunicaciones".

4A004

Ordenadores según se indica y equipo conexo, "conjuntos electrónicos" y componentes, diseñados especialmente para ellos:

• a. ‘Ordenadores de conjunto sistólico’
• b. ‘Ordenadores neuronales’
• c. ‘Ordenadores ópticos’.

Notas técnicas:

• 1. Los ‘ordenadores de conjunto sistólico’ son ordenadores en los que el usuario puede controlar el flujo y la modificación de los datos dinámicamente a nivel de puerta lógica.
• 2. Los ‘ordenadores neuronales’ son dispositivos de cómputo diseñados o modificados para imitar el comportamiento de una neurona o de un grupo de neuronas, es decir, que se distinguen por su capacidad a nivel de equipo informático de modular los pesos y los números de las interconexiones de múltiples componentes de cómputo basándose en datos anteriores.
• 3. Los ‘ordenadores ópticos’ son ordenadores diseñados o modificados con objeto de utilizar la luz para representar los datos y cuyos elementos lógicos de cómputo se basan en dispositivos ópticos acoplados directamente.

4A005

Sistemas, equipos, y componentes para ellos, especialmente diseñados o modificados para la generación, el manejo mediante comandos y el control o la emisión de "programas informáticos de intrusión".

4A101

Ordenadores analógicos, "ordenadores digitales" o analizadores diferenciales digitales, distintos de los especificados en el subartículo 4A001.a.1, para uso en condiciones severas (ruggedized) y diseñados o modificados para emplearlos en las lanzaderas espaciales especificadas en el artículo 9A004 o en los cohetes de sondeo especificados en el artículo 9A104.

4A102

Ordenadores híbridos diseñados especialmente para la modelización, la simulación o la integración de diseño de las lanzaderas espaciales especificadas en el artículo 9A004 o de los cohetes de sondeo especificados en el artículo 9A104.

Nota: Este control solo se aplica si el equipo se suministra con los "programas informáticos" especificados en los artículos 7D103 o 9D103.

4B Equipos de ensayo, inspección y producción

Ninguno.

4C Materiales

Ninguno.

4D Programas informáticos (software)

Nota: El régimen de control de los "programas informáticos" para los equipos descritos en otras categorías se contempla en la categoría respectiva.

4D001

"Programas informáticos" según se indica:

• a. "Programas informáticos" especialmente diseñados o modificados para el "desarrollo" o la "producción" de los equipos o los "programas informáticos" especificados en los artículos 4A001 a 4A004 o en la categoría 4D
• b. "Programas informáticos" distintos de los especificados en el subartículo 4D001.a, especialmente diseñados o modificados para el "desarrollo" o la "producción" de equipos según se indica:
  • 1. "Ordenadores digitales" que tengan un "rendimiento máximo ajustado" ("APP") superior a 15 TeraFLOPS ponderados (WT)
  • 2. "Conjuntos electrónicos" especialmente diseñados o modificados para mejorar el rendimiento mediante la agregación de procesadores de tal modo que el "rendimiento máximo ajustado" ("APP") del agregado supera el límite del subartículo 4D001.b.1

4D002

Sin uso

4D003

Sin uso

4D004

"Programas informáticos" especialmente diseñados o modificados para la generación, el manejo mediante comandos y el control o la emisión de "programas informáticos de intrusión".

Nota: El artículo 4D004 no somete a control los "programas informáticos" especialmente diseñados para proporcionar actualizaciones o mejoras de "programas informáticos", y limitados a ello, que reúnan todas las características siguientes:

• a. La actualización o la mejora únicamente funciona con la autorización del propietario o el administrador del sistema que la recibe, y
• b. Después de la actualización o la mejora, los "programas informáticos" actualizados o mejorados no son ninguno de los siguientes:
  • 1. "Programas informáticos" especificados en el artículo 4D004, o
  • 2. "programas informáticos de intrusión".

4E Tecnología

4E001

• a. "Tecnología", de acuerdo con la Nota General de Tecnología, para el "desarrollo", la "producción" o la "utilización" de los equipos o los "programas informáticos" especificados en las categorías 4A o 4D
• b. "Tecnología", de acuerdo con la Nota General de Tecnología, distinta de la especificada en el sub artículo 4E001.a, para el "desarrollo" o la "producción" de equipos según se indica:
  • 1. "Ordenadores digitales" que tengan un "rendimiento máximo ajustado" ("APP") superior a 15 TeraFLOPS ponderados (WT)
  • 2. "Conjuntos electrónicos" especialmente diseñados o modificados para mejorar el rendimiento mediante la agregación de procesadores de tal modo que el "rendimiento máximo ajustado" ("APP") del agregado supera el límite del subartículo 4E001.b.1
• c. "Tecnología" para el "desarrollo" de "programas informáticos de intrusión".
  Nota 1: Los subartículos 4E001.a y 4E001.c no someten a control la "divulgación de vulnerabilidades" o la "respuesta a incidentes cibernéticos".
  Nota 2: La nota 1 no recorta el derecho de la autoridad competente del Estado miembro de la UE en el que esté establecido el exportador a verificar el cumplimiento de los subartículos 4E001.a y 4E001.c.
  NOTA TÉCNICA SOBRE EL "RENDIMIENTO MÁXIMO AJUSTADO" ("APP")
  El valor "APP" es un valor máximo ajustado en el que los "ordenadores digitales" realizan sumas y multiplicaciones en coma flotante de 64 bits o más.
  El valor "APP" se expresa en TeraFLOPS ponderados (WT), en unidades de 1012 operaciones ajustadas en coma flotante por segundo.
  Abreviaturas utilizadas en la presente nota técnica
  n número de procesadores del "ordenador digital"
  i número de procesador (i, … n)
  ti duración del ciclo del procesador (ti = 1/Fi)
  Fi frecuencia del procesador
  Ri valor máximo de cálculo en coma flotante
  Wi coeficiente de adaptación de arquitectura
  Esquema del método de cálculo "APP"
  • 1. Para cada procesador i, determinar el número máximo de operaciones en coma flotante (FPO) de 64 bits o más (FPOi), realizado por ciclo de cada procesador en el "ordenador digital".
    Nota: Para determinar el FPO, solamente se incluyen las operaciones (sumas o multiplicaciones) con coma flotante de 64 bits o más. Todas las operaciones con coma flotante deben expresarse en operaciones por ciclo de procesador; las operaciones que requieran ciclos múltiples pueden expresarse en resultados fraccionarios por ciclo. Para los procesadores que no puedan realizar cálculos con operandos en coma flotante de 64 bits o más, la tasa de cálculo efectiva R es cero.
  • 2. Calcular el índice R en coma flotante para cada procesador Ri = FPOi/ti.
  • 3. Calcular "APP" como "APP" = W1 × R1 + W2 × R2 + … + Wn × Rn
  • 4. Para los ‘procesadores vectoriales’, Wi = 0,9. Para los ‘procesadores no vectoriales’, Wi = 0,3.
  
  Nota 1: Para los procesadores que realizan operaciones compuestas en un ciclo, como sumas y multiplicaciones, se cuenta cada operación.
  Nota 2: Para un procesador segmentado (en pipeline), la tasa de cálculo efectiva R es la etapa más rápida del proceso, una vez que se haya llenado la pipeline, o del proceso sin segmentar.
  Nota 3: La tasa de cálculo R de cada procesador debe calcularse en el valor máximo teóricamente posible antes de que se derive el "APP" de la combinación. Se considera que existen operaciones simultáneas cuando el fabricante del ordenador asegura en un manual o en un folleto del ordenador la existencia de un funcionamiento o de una ejecución en modo concurrente, paralelo o simultáneo.
  Nota 4: Al calcular el "APP" no se incluyen los procesadores limitados a funciones de entrada-salida y periféricas (por ejemplo, unidad de discos, comunicación y presentación visual).
  Nota 5: No se calcularán los valores "APP" para combinaciones de procesadores (inter)conectados por "redes de área local", redes de área amplia, dispositivos de entrada/salida con conexiones compartidas, controladores de entrada/salida y cualquier interconexión de comunicaciones implementada mediante "programas informáticos".
  Nota 6: Los valores "APP" deberán calcularse para las combinaciones de procesadores que contengan procesadores diseñados especialmente para aumentar el rendimiento mediante agregación, funcionamiento simultáneo y memoria compartida.
  Notas técnicas:
  • 1. Agregar todos los procesadores y los aceleradores que funcionen simultáneamente y situados en el mismo dado.
  • 2. Las combinaciones de procesadores comparten memoria cuando cualquier procesador puede acceder a cualquier posición de memoria en el sistema mediante la transmisión por equipos informáticos de líneas caché o palabras de memoria, sin la intervención de ningún mecanismo de programa informático, lo que puede lograrse utilizando los "conjuntos electrónicos" especificados en el subartículo 4A003.c.

Nota 7: Se entiende por ‘procesador vectorial’ un procesador con instrucciones incorporadas que realice simultáneamente cálculos múltiples sobre vectores en coma flotante (órdenes unidimensionales de 64 bits o más), y disponga al menos de 2 unidades funcionales vectoriales y al menos de 8 registros vectoriales de al menos 64 elementos cada uno.

PARTE VII
Categoría 5

CATEGORÍA 5. TELECOMUNICACIONES Y "SEGURIDAD DE LA INFORMACIÓN"

Primera parte. TELECOMUNICACIONES

Nota 1: La categoría 5, primera parte, define el régimen de control de los componentes, equipos de "producción" y de prueba y los "programas informáticos" para los mismos, diseñados especialmente para equipos o sistemas de telecomunicaciones.

N.B. Para los "láseres" diseñados especialmente para equipos o sistemas de telecomunicaciones, véase el artículo 6A005.

Nota 2: Los "ordenadores digitales", el equipo conexo o los "programas informáticos", cuando sean esenciales para el funcionamiento y el soporte de los equipos de telecomunicaciones descritos en esta categoría, se considerarán componentes diseñados especialmente siempre que sean los modelos estándar suministrados normalmente por el fabricante. Esto incluye los sistemas informáticos de explotación, administración, mantenimiento, ingeniería o facturación.

5A1 Sistemas, equipos y componentes

5A001

Sistemas, equipos, componentes y accesorios de telecomunicaciones según se indica:

• a. Cualquier tipo de equipo de telecomunicaciones que posea cualquiera de las características, funciones o elementos siguientes:
  • 1. Diseñado especialmente para resistir los efectos electrónicos transitorios o los efectos de impulso electromagnético, ambos consecutivos a una explosión nuclear
  • 2. Endurecido especialmente para resistir la radiación gamma, neutrónica o iónica
  • 3. Diseñado especialmente para funcionar por debajo de 218 K (- 55 °C), o
  • 4. Diseñado especialmente para funcionar por encima de 397 K (124 °C)
  
  Nota 1: Los subartículos 5A001.a.3 y 5A001.a.4 únicamente someten a control los equipos electrónicos.
  Nota 2: Los subartículos 5A001.a.2, 5A001.a.3 y 5A001.a.4 no someten a control los equipos diseñados o modificados para su uso a bordo de satélites.
• b. Sistemas y equipos de telecomunicaciones y los componentes y accesorios diseñados especialmente para ellos que posean cualquiera de las características, funciones o elementos siguientes:
  • 1. Sistemas de comunicaciones subacuáticos libres que presenten cualquiera de las características siguientes:
    • a. Frecuencia portadora acústica fuera de la gama de 20 kHz a 60 kHz
    • b. Que utilicen una frecuencia portadora electromagnética inferior a 30 kHz
    • c. Que utilicen técnicas electrónicas de orientación del haz, o
    • d. Que utilicen "láseres" o diodos emisores de luz (LED) con una longitud de onda de salida superior a 400 nm e inferior a 700 nm, en una "red de área local"
  • 2. Equipos de radio que funcionen en la banda de 1,5 a 87,5 MHz y reúnan todas las características siguientes:
    • a. Predicción y selección automáticas de frecuencias y de "tasas de transferencia digital totales" por canal para optimizar la transmisión, y
    • b. Que contengan una configuración de amplificador de potencia lineal con capacidad para soportar simultáneamente señales múltiples a una potencia de salida igual o superior a 1 kW en la gama de frecuencia igual o superior a 1,5 MHz pero inferior a 30 MHz, o igual o superior a 250 W en la gama de frecuencia igual o superior a 30 MHz pero no superior a 87,5 MHz, sobre un "ancho de banda instantáneo" de una octava o más con un contenido de armónicos de salida y de distorsión mejor que - 80 dB
  • 3. Equipos de radio que utilicen técnicas de "espectro ensanchado", incluyendo el "salto de frecuencia", no especificados en el subartículo 5A001.b.4, y que posean cualquiera de las características siguientes:
    • a. Códigos de ensanchamiento programables por el usuario, o
    • b. Un ancho de banda de transmisión total igual o superior a 100 veces el ancho de banda de cualquiera de los canales de información y superior a 50 kHz
    
    Nota: El subartículo 5A001.b.3.b no somete a control los equipos de radio diseñados especialmente para su uso con cualquiera de los elementos siguientes:
    • a. Sistemas de radiocomunicaciones civiles por telefonía móvil, o
    • b. Estaciones terrestres de telecomunicación comercial civil por satélite fijas o móviles.
    
    Nota: El subartículo 5A001.b.3 no somete a control los equipos que estén diseñados para funcionar con una potencia de salida igual o menor a 1 W.
  • 4. Equipos de radio que utilicen técnicas de modulación ultraancha con códigos de canalización, de embrollo o códigos de identificación de red, programables por el usuario, que posean alguna de las características siguientes:
    • a. Ancho de banda superior a 500 MHz, o
    • b. "Ancho de banda fraccional" de 20 % o más
  • 5. Receptores de radio controlados digitalmente que reúnan todas las características siguientes:
    • a. Más de 1 000 canales
    • b. Un ‘tiempo de conmutación de frecuencias’ inferior a 1 ms
    • c. Búsqueda o exploración automática en una parte del espectro electromagnético, e
    • d. Identificación de las señales recibidas o del tipo de transmisor, o
    
    Nota: El subartículo 5A001.b.5 no somete a control los equipos de radio diseñados especialmente para su uso en sistemas de radiocomunicaciones civiles por telefonía móvil.
    Nota técnica:
    ‘Tiempo de conmutación de frecuencias’ es el tiempo (es decir, el retardo) al cambiar de una frecuencia de recepción a otra, para llegar a la frecuencia de recepción final especificada o a un intervalo de ± 0,05 % de la misma. Los productos con un intervalo de frecuencias especificado de menos de ± 0,05 % en torno a su frecuencia central se definen como incapaces de efectuar una conmutación de frecuencias.
  • 6. Que utilicen funciones de "proceso de señales" digital para proporcionar una salida de "codificación de la voz" a tasas inferiores a 700 bit/s
    Notas técnicas:
    • 1. Para la "codificación de la voz" de ritmo variable, el subartículo 5A001.b.6 se aplica a la salida de ‘codificación de la voz’ del discurso continuo.
    • 2. A efectos del subartículo 5A001.b.6, la ‘codificación de la voz’ se define como la técnica consistente en tomar muestras de voz humana y convertirlas en señales digitales, teniendo en cuenta las características específicas del habla.
• c. Fibras ópticas de más de 500 m de longitud, con capacidad de soportar un ‘ensayo de resistencia’ a la tracción igual o superior a 2 × 109 N/m2 según las especificaciones del fabricante
  N.B. Para los cables umbilicales subacuáticos, véase el subartículo 8A002.a.3.
  Nota técnica:
  "Ensayos de resistencia": ensayos de producción en línea o fuera de línea selectivos que aplican dinámicamente un esfuerzo por tracción prescrito a una fibra de 0,5 a 3 m de longitud, a una velocidad de arrastre de 2 a 5 m/s, mientras pasa entre cabrestantes de 150 mm de diámetro aproximadamente. La temperatura ambiente y nominal es de 293 K (20 °C) y la humedad relativa nominal, del 40 %. Pueden utilizarse normas nacionales equivalentes para realizar los ensayos de resistencia.
• d. ‘Antenas orientables electrónicamente mediante ajuste de fases’, según se indica:
  • 1. Tasadas para operar a frecuencias superiores a 31,8 GHz pero inferiores o iguales a 57 GHz y con una potencia radiada efectiva (p.r.e.) igual o superior a +20 dBm [22,15 dBm de potencia isótropa radiada equivalente (p.i.r.e.)]
  • 2. Tasadas para operar a frecuencias superiores a 57 GHz pero inferiores o iguales a 66 GHz y con una p.r.e. igual o superior a +24 dBm (26,15 dBm de p.i.r.e.)
  • 3. Tasadas para operar a frecuencias superiores a 66 GHz pero inferiores o iguales a 90 GHz y con una p.r.e. igual o superior a +20 dBm (22,15 dBm de p.i.r.e.)
  • 4. Tasadas para operar a frecuencias superiores a 90 GHz
  
  Nota 1: El subartículo 5A001.d no somete a control las ‘antenas orientables electrónicamente mediante ajuste de fases’ para sistemas de aterrizaje con instrumentos que satisfagan las normas de la Organización de Aviación Civil Internacional (OACI) que se refieren a los sistemas de microondas para aterrizajes (MLS).
  Nota 2: El subartículo 5A001.d no somete a control las antenas diseñadas especialmente para cualquiera de las funciones siguientes:
  • a. Sistemas de radiocomunicaciones civiles por telefonía móvil o WLAN
  • b. IEEE 802.15 o HDMI inalámbrica, o
  • c. Estaciones terrestres de telecomunicación comercial civil por satélite fijas o móviles.
  
  Nota técnica:
  A los efectos del subartículo 5A001.d, una ‘antena orientable electrónicamente mediante ajuste de fases’ es una antena que forma un haz mediante acoplamiento de fase (es decir, en la que la dirección del haz es controlada por los coeficientes de excitación complejos de los elementos radiantes) y la dirección de dicho haz puede ser modificada (tanto en emisión como en recepción) en azimut, en elevación o en ambos, mediante la aplicación de una señal eléctrica.
• e. Equipos radiogoniométricos que funcionen a frecuencias mayores de 30 MHz y que cumplan todo lo siguiente, así como los componentes diseñados especialmente para ellos:
  • 1. Un "ancho de banda instantáneo" igual o superior a 10 MHz, y
  • 2. Capacidad de encontrar una línea de marcación (LOB) con radio transmisores no cooperativos con una señal de duración inferior a 1 ms
• f. Equipos de interferencia o interceptación de telecomunicaciones móviles y sus aparatos de control, según se indica, y componentes diseñados especialmente para ellos:
  • 1. Equipos de interceptación diseñados para la extracción de voz o datos, transmitidos a través de la interfaz aérea
  • 2. Equipos de interceptación no especificados en el subartículo 5A001.f.1, diseñados para la extracción de identificadores de abonado o del dispositivo del cliente (por ejemplo, IMSI, TIMSI o IMEI), la señalización, u otros metadatos transmitidos a través de la interfaz aérea
  • 3. Equipos de interferencia especialmente diseñados o modificados para interferir de forma deliberada y selectiva, denegar, inhibir, degradar o engañar servicios de telecomunicación móvil y realizar cualquiera de las funciones siguientes:
    • a. Simular las funciones de un equipo de Redes de Acceso Radioeléctrico (RAN)
    • b. Detectar y explotar características específicas del protocolo de telecomunicaciones móviles utilizado (por ejemplo, GSM) o
    • c. Explotar características específicas del protocolo de telecomunicaciones móviles utilizado (por ejemplo, GSM)
  • 4. Equipos de seguimiento de RF diseñados o modificados para identificar el funcionamiento de los productos especificados en los subartículos 5A001.f.1, 5A001.f.2 o 5A001.f.3
    Nota: Los subartículos 5A001.f.1 y 5A001.f.2 no someten a control ninguno de los equipos siguientes:
    • a. Equipos diseñados especialmente para la interceptación de radiocomunicaciones móviles privadas (PMR) analógicas, IEEE 802.11 RLAN
    • b. Equipos diseñados para los operadores de redes de telecomunicaciones móviles, o
    • c. Equipos diseñados para el "desarrollo" o la "producción" de los equipos o sistemas de telecomunicaciones móviles.
  
  N.B. 1: VÉASE ASIMISMO LA RELACIÓN DE MATERIAL DE DEFENSA.
  N.B. 2: Para los receptores de radio, véase el subartículo 5A001.b.5.
• g. Sistemas o equipos de localización coherente pasiva (PCL), diseñados especialmente para detectar y rastrear objetos en movimiento midiendo reflexiones de emisiones de radiofrecuencia del entorno, suministradas por transmisores que no sean radares
  Nota técnica:
  Los transmisores que no sean radares pueden incluir estaciones de base comerciales de radio, televisión o telecomunicaciones por telefonía móvil.
  Nota: El subartículo 5A001.g no somete a control ninguno de los equipos y sistemas siguientes:
  • a. Equipos radioastronómicos, o
  • b. Sistemas o equipos que requieran una transmisión de radio desde el objetivo.
• h. Material contra artefactos explosivos improvisados (IED) y equipo conexo, según se indica:
  • 1. Equipos de transmisión por radiofrecuencia (RF), no especificados en el subartículo 5A001.f, diseñados o modificados para activar prematuramente o impedir la puesta en marcha de dispositivos explosivos improvisados (IED)
  • 2. Equipos que utilicen técnicas destinadas a permitir las radiocomunicaciones en los mismos canales de frecuencia en los que transmite el equipo coubicado que se especifica en el subartículo 5A001.h.1
  
  N.B. VÉASE ASIMISMO LA RELACIÓN DE MATERIAL DE DEFENSA.
• i. Sin uso
• j. Sistemas o equipos de vigilancia de las comunicaciones en red a través del Protocolo de Internet (IP), y componentes diseñados especialmente para ellos, que posean todas las características siguientes:
  • 1. Que realicen todas las siguientes funciones en red a través del Protocolo de Internet (IP) de clase portadora (por ejemplo, el eje troncal IP de grado nacional):
    • a. Análisis en la capa de aplicación (p. ej., capa 7 del modelo de interconexión de sistemas abiertos, ISO/IEC 7498-1)
    • b. Extracción de contenido de la aplicación y metadatos seleccionados (por ejemplo, voz, vídeo, mensajes, ficheros adjuntos), e
    • c. Indexación de los datos extraídos, y
  • 2. Diseñados especialmente para realizar cualquiera de las funciones siguientes:
    • a. Ejecución de búsquedas sobre la base de "selectores rígidos", y
    • b. Cartografía de la red relacional de una persona o de un grupo de personas.
    
    Nota: El subartículo 5A001.j no somete a control los equipos y sistemas diseñados especialmente para cualquiera de las funciones siguientes:
    • a. Fines de comercialización
    • b. Calidad del servicio, o
    • c. Calidad de la experiencia.

5A101

Equipos de telemedida y telecontrol, incluidos los equipos de tierra diseñados o modificados para ‘misiles’.

Nota técnica:

En el artículo 5A101, ‘los misiles’ son sistemas completos de cohetes y sistemas de vehículos aéreos no tripulados con un alcance superior a 300 km.

Nota: El artículo 5A101 no somete a control:

• a. Los equipos diseñados o modificados para aeronaves tripuladas o satélites
• b. Los equipos con base en tierra diseñados o modificados para aplicaciones terrestres o marítimas
• c. Los equipos diseñados para servicios de GNSS comerciales, civiles o de ‘seguridad de la vida humana’ (p. ej. integridad de los datos, seguridad de vuelo).

5B1 Equipos de ensayo, inspección y producción

5B001

Equipos de telecomunicaciones de ensayo, inspección y producción, componentes y accesorios, según se indica:

• a. Equipos y componentes o accesorios diseñados especialmente para estos, diseñados especialmente para el "desarrollo" o la "producción" de los equipos, funciones o elementos especificados en el artículo 5A001
  Nota: El subartículo 5B001.a no somete a control el equipo de caracterización de la fibra óptica.
• b. Equipos y componentes diseñados especialmente o accesorios para los mismos, concebidos expresamente para el "desarrollo" de cualquiera de los siguientes equipos de telecomunicaciones, de transmisión o de conmutación:
  • 1. Sin uso
  • 2. Equipos que utilicen un "láser" y posean cualquiera de las características siguientes:
    • a. Una longitud de onda de transmisión superior a 1 750 nm, o
    • b. Sin uso
    • c. Sin uso
    • d. Que utilicen técnicas analógicas y tengan un ancho de banda superior a 2,5 GHz o
    
    Nota: El subartículo 5B001.b.2.d no somete a control los equipos diseñados especialmente para el "desarrollo" de sistemas de televisión comerciales.
  • 3. Sin uso
  • 4. Equipos de radio que utilicen técnicas de modulación de amplitud en cuadratura (QAM) por encima del nivel 1 024
  • 5. Sin uso

5C1 Materiales

Ninguno.

5D1 Programas informáticos (software)

5D001

"Programas informáticos" según se indica:

• a. "Programas informáticos" especialmente diseñados o modificados para el "desarrollo", la "producción" o la "utilización" de los equipos, funciones o elementos especificados en el artículo 5A001
• b. Sin uso
• c. "Programas informáticos" especialmente diseñados o modificados para proporcionar características, funciones o elementos de los equipos especificados en los artículos 5A001 o 5B001
• d. "Programas informáticos" especialmente diseñados o modificados para el "desarrollo" de cualquiera de los siguientes equipos de telecomunicaciones, de transmisión o de conmutación:
  • 1. Sin uso
  • 2. Equipos que utilicen un "láser" y posean cualquiera de las características siguientes:
    • a. Una longitud de onda de transmisión superior a 1 750 nm, o
    • b. Que utilicen técnicas analógicas y tengan un ancho de banda superior a 2,5 GHz o
    
    Nota: El subartículo 5D001.d.2.b no somete a control los "programas informáticos" especialmente diseñados o modificados para el "desarrollo" de sistemas de televisión comerciales.
  • 3. Sin uso
  • 4. Equipos de radio que utilicen técnicas de modulación de amplitud en cuadratura (QAM) por encima del nivel 1 024.
• e. "Programas informáticos", aparte de los especificados en los subartículos 5D001.a o 5D001.c, especialmente diseñados o modificados para el seguimiento o análisis por la policía, que proporcionen todo lo siguiente:
  • 1. Ejecución de búsquedas, sobre la base de "selectores rígidos", del contenido de las comunicaciones o de sus metadatos adquiridos de un proveedor de servicios de comunicaciones utilizando una ‘interfaz de traspaso’y
  • 2. Cartografía de la red relacional o seguimiento del movimiento de personas concretas sobre la base de los resultados de búsquedas en el contenido de las comunicaciones o los metadatos o las búsquedas tal y como se describen en el subartículo 5D001.e.1.
    Notas técnicas:
    • 1. A efectos del subartículo 5D001.e, una ‘interfaz de traspaso’ es una interfaz física y lógica, diseñada para ser utilizada por las autoridades policiales autorizadas, mediante la cual se solicitan medidas de intercepción concretas a un proveedor de servicios de comunicaciones y se transmiten los resultados de intercepción desde este proveedor a la autoridad que los ha solicitado. La ‘interfaz de traspaso’ se implementa como parte de sistemas o equipos (por ejemplo, dispositivos de mediación) que reciben y validan la solicitud de intercepción, y entregan a la autoridad que la solicitó únicamente los resultados de la intercepción que cumplen con la solicitud validada.
    • 2. Las ‘interfaces de traspaso’ podrán especificarse mediante normas internacionales (incluidas, entre otras, TSI TS 101 331, ETSI TS 101 671, 3GPP TS 33.108) o equivalentes nacionales.
  
  Nota: El subartículo 5D001.e no somete a control los "programas informáticos" diseñados especialmente para cualquiera de las funciones siguientes:
  • a. Facturación,
  • b. Calidad del servicio,
  • c. Calidad de la experiencia,
  • d. Dispositivos de mediación, o
  • e. Pagos móviles o uso bancario.

5D101

"Programas informáticos" especialmente diseñados o modificados para la "utilización" de los equipos especificados en el artículo 5A101.

5E1 Tecnología

5E001

"Tecnología", según se indica:

• a. "Tecnología", de acuerdo con la Nota General de Tecnología, para el "desarrollo", la "producción" o "utilización" (excepto la explotación) de los equipos, funciones o elementos especificados en el artículo 5A001 o los "programas informáticos" especificados en el subartículo 5D001.a o 5D001.e
• b. "Tecnología" específica según se indica:
  • 1. "Tecnología""necesaria" para el "desarrollo" o la "producción" de equipos de telecomunicaciones diseñados especialmente para su empleo a bordo de satélites
  • 2. "Tecnología" para el "desarrollo" o la "utilización" de técnicas de comunicación por "láser" que permitan la adquisición y el seguimiento automático de señales y el mantenimiento de comunicaciones a través de medios exoatmosféricos o subacuáticos
  • 3. "Tecnología" para el "desarrollo" de equipos receptores de estaciones base digitales de radio y telefonía móvil cuyas capacidades de recepción que permiten el funcionamiento multibanda, multiplex, multimodo, algoritmo de multicodificación o de protocolo múltiple puedan modificarse mediante cambios en los "programas informáticos"
  • 4. "Tecnología" para el "desarrollo" de técnicas de "espectro ensanchado", incluyendo el "salto de frecuencia"
  
  Nota: El subartículo 5E001.b.4 no somete a control la "tecnología" para el "desarrollo" de los sistemas siguientes:
  • a. Sistemas de radiocomunicaciones civiles por telefonía móvil, o
  • b. Estaciones terrestres de telecomunicación comercial civil por satélite fijas o móviles.
• c. "Tecnología", de acuerdo con la Nota General de Tecnología, para el "desarrollo" o la "producción" de cualquiera de los siguientes equipos:
  • 1. Sin uso
  • 2. Equipos que utilicen un "láser" y posean cualquiera de las características siguientes:
    • a. Una longitud de onda de transmisión superior a 1 750 nm, o
    • b. Sin uso
    • c. Sin uso
    • d. Que utilicen técnicas de multiplexado por división de longitudes de portadores ópticos a intervalos inferiores a 100 GHz, o
    • e. Que utilicen técnicas analógicas y tengan un ancho de banda superior a 2,5 GHz
    
    Nota: El subartículo 5E001.c.2.e no somete a control la "tecnología" de sistemas de televisión comerciales.
    N.B. En lo que respecta a la "tecnología" para el "desarrollo" o la "producción" de equipos, distintos de los equipos de telecomunicaciones que utilicen un láser, véase la categoría 6E.
  • 3. Equipos que utilicen la "conmutación óptica" y que tengan un tiempo de conmutación inferior a 1 ms
  • 4. Equipos de radio que utilicen cualquiera de las técnicas siguientes:
    • a. Técnicas de modulación de amplitud en cuadratura (QAM) por encima del nivel 1 024
    • b. Que funcionen a una frecuencia de entrada o salida superior a 31,8 GHz, o
      Nota: El subartículo 5E001.c.4.b no somete a control la "tecnología" para equipos diseñados o modificados con vistas a funcionar en una banda de frecuencias que esté "asignada por la UIT" para servicios de radiocomunicación, pero no para radiodeterminación.
    • c. Que funcionen en la banda de 1,5 MHz a 87,5 MHz e incorporen técnicas adaptativas que permitan una supresión de más de 15 dB de una señal de interferencia, o
  • 5. Sin uso
  • 6. Equipos móviles que reúnan todas las características siguientes:
    • a. Que funcionen en una longitud de onda óptica superior o igual a 200 nm e inferior o igual a 400 nm, y
    • b. Que funcionen como "redes de área local"
• d. "Tecnología", de acuerdo con la Nota General de Tecnología, para el "desarrollo" o la "producción" de amplificadores de "circuitos integrados monolíticos de microondas" ("MMIC"), diseñados especialmente para telecomunicaciones y que posean cualquiera de las características siguientes:
  Nota técnica:
  A efectos del subartículo 5E001.d, en las hojas de datos de producto podrá también hacerse referencia al parámetro de la potencia de pico de salida en estado de saturación como potencia de salida, potencia de salida en estado de saturación, potencia de salida máxima, potencia de pico de salida o potencia pico de la envolvente a la salida.
  • 1. Tasados para operar a frecuencias superiores a 2,7 GHz e inferiores o iguales a 6,8 GHz, con un "ancho de banda fraccional" superior al 15 %, y que posean cualquiera de las características siguientes:
    • a. Una potencia de pico de salida en estado de saturación superior a 75 W (48,75 dBm) en cualquier frecuencia superior a 2,7 GHz e inferior o igual a 2,9 GHz
    • b. Una potencia de pico de salida en estado de saturación superior a 55 W (47,4 dBm) en cualquier frecuencia superior a 2,9 GHz e inferior o igual a 3,2 GHz
    • c. Una potencia de pico de salida en estado de saturación superior a 40 W (46 dBm) en cualquier frecuencia superior a 3,2 GHz e inferior o igual a 3,7 GHz, o
    • d. Una potencia de pico de salida en estado de saturación superior a 20 W (43 dBm) en cualquier frecuencia superior a 3,7 GHz e inferior o igual a 6,8 GHz
  • 2. Tasados para operar a frecuencias superiores a 6,8 GHz e inferiores o iguales a 16 GHz, con un "ancho de banda fraccional" superior al 10 %, y que posean cualquiera de las características siguientes:
    • a. Una potencia de pico de salida en estado de saturación superior a 10 W (40 dBm) en cualquier frecuencia superior a 6,8 GHz e inferior o igual a 8,5 GHz, o
    • b. Una potencia de pico de salida en estado de saturación superior a 5 W (37 dBm) en cualquier frecuencia superior a 8,5 GHz e inferior o igual a 16 GHz
  • 3. Tasados para operar a una potencia de pico de salida en estado de saturación superior a 3 W (34,77 dBm) en cualquier frecuencia superior a 16 GHz e inferior o igual a 31,8 GHz y con un "ancho de banda fraccional" superior al 10 %
  • 4. Tasados para operar a una potencia de pico de salida en estado de saturación superior a 0,1 nW (- 70 dBm) en cualquier frecuencia superior a 31,8 GHz e inferior o igual a 37 GHz
  • 5. Tasados para operar a una potencia de pico de salida en estado de saturación superior a 1 W (30 dBm) en cualquier frecuencia superior a 37 GHz e inferior o igual a 43,5 GHz y con un "ancho de banda fraccional" superior al 10 %
  • 6. Tasados para operar a una potencia de pico de salida en estado de saturación superior a 31,62 mW (15 dBm) en cualquier frecuencia superior a 43,5 GHz e inferior o igual a 75 GHz y con un "ancho de banda fraccional" superior al 10 %
  • 7. Tasados para operar a una potencia de pico de salida en estado de saturación superior a 10 mW (10 dBm) en cualquier frecuencia superior a 75 GHz e inferior o igual a 90 GHz y con un "ancho de banda fraccional" superior al 5 %, o
  • 8. Tasados para operar a una potencia de pico de salida en estado de saturación superior a 0,1 nW (- 70 dBm) en cualquier frecuencia superior a 90 GHz
• e. "Tecnología", de acuerdo con la Nota General de Tecnología, para el "desarrollo" o la "producción" de dispositivos y circuitos electrónicos, diseñados especialmente para telecomunicaciones y que contengan componentes fabricados a partir de materiales "superconductores", diseñados especialmente para funcionar a temperaturas inferiores a la "temperatura crítica" de al menos uno de los constituyentes "superconductores", y que posean cualquiera de las características siguientes:
  • 1. Conmutación de corriente para circuitos digitales utilizando puertas "superconductoras" con un producto del tiempo de retardo por puerta (expresado en segundos) por la disipación de energía por puerta (expresada en vatios) inferior a 10-14 J, o
  • 2. Selección de frecuencia a todas las frecuencias utilizando circuitos resonantes con valores de Q superiores a 10 000

5E101

"Tecnología", de acuerdo con la Nota General de Tecnología, para el "desarrollo", la "producción" o la "utilización" de los equipos especificados en el artículo 5A101.

Segunda Parte. "SEGURIDAD DE LA INFORMACIÓN"

Nota 1: Sin uso

Nota 2: La categoría 5, segunda parte, no somete a control los productos cuando acompañen a su usuario para el uso personal de este.

Nota 3: Nota de criptografía

Los artículos 5A002, 5D002.a.1, 5D002.b y 5D002.c.1 no someten a control los productos siguientes:

• a. Productos que reúnan todas las características siguientes:
  • 1. Que se hallen generalmente a disposición del público por estar a la venta, sin restricciones, en puntos de venta al por menor por cualquiera de los medios siguientes:
    • a. transacciones en mostrador,
    • b. transacciones por correo,
    • c. transacciones electrónicas, o
    • d. transacciones por teléfono,
  • 2. Que la función criptográfica no pueda ser modificada fácilmente por el usuario
  • 3. diseñados para su instalación por el usuario sin asistencia ulterior importante del proveedor. y
  • 4. Que, en caso necesario, pueda disponerse de información detallada sobre los productos y se facilite, cuando así lo solicite, a las autoridades competentes del Estado miembro de la UE en el que esté establecido el exportador, con el fin de verificar el cumplimiento de las condiciones descritas en los puntos 1 a 3 anteriores
• b. Componentes de los equipos informáticos o ‘programas informáticos ejecutables’ de los productos existentes descritos en la letra a. de la presente nota, que hayan sido diseñados para dichos productos existentes, y que reúnan todas las características siguientes:
  • 1. La ‘seguridad de la información’ no es la función o conjunto de funciones principales del componente o de los ‘programas informáticos ejecutables’
  • 2. El componente o los ‘programas informáticos ejecutables’ no modifican ninguna función criptográfica de los productos existentes ni añaden ninguna nueva funcionalidad criptográfica a los productos existentes
  • 3. Las características del componente o de los ‘programas informáticos ejecutables’ son fijas y no están diseñadas o modificadas para cumplir las especificaciones del cliente, y
  • 4. Cuando es necesario, con arreglo a lo establecido por las autoridades competentes del Estado miembro de la UE en el que esté establecido el exportador, la autoridad competente puede acceder a la información sobre el componente o los ‘programas informáticos ejecutables’ y los productos finales conexos pertinentes, y puede recibir dicha información previa solicitud, a fin de verificar el cumplimiento de las condiciones descritas anteriormente.
  
  Nota técnica:
  A efectos de la nota de criptografía, los ‘programas informáticos ejecutables’ son ‘programas informáticos’ en forma ejecutable, de algún componente del equipo informático existente excluido del artículo 5A002 por la nota de criptografía.
  Nota: Los ‘programas informáticos ejecutables’ no incluyen las imágenes binarias completas de los ‘programas informáticos’ que funcionan en un producto final.
  Nota a la nota de criptografía:
  • 1. En cumplimiento de la letra a. de la nota 3, deberán aplicarse todas las características siguientes:
    • a. El producto debe presentar un interés potencial para un amplio abanico de particulares y empresas, y
    • b. El precio y la información sobre la función principal del producto deben estar disponibles antes de la compra, sin necesidad de consultar al vendedor o proveedor. No se considerará como consulta una petición sencilla de información sobre el precio.
  • 2. A la hora de determinar la admisibilidad de la letra a. de la nota 3, las autoridades competentes podrán tener en cuenta factores como la cantidad, el precio, las capacidades técnicas necesarias, los canales de venta existentes, los clientes típicos, el uso típico o cualquier práctica de exclusión del proveedor.

5A2 Sistemas, equipos y componentes

5A002

Sistemas, equipos y componentes destinados a la "seguridad de la información", según se indica:

N.B. Para el control de los equipos receptores de "sistemas de navegación por satélite" que contengan o utilicen el descifrado, véase el artículo 7A005, y para la "tecnología" y los "programas informáticos" de descifrado conexos, véanse los artículos 7D005 y 7E001.

• a. Diseñados o modificados para usar ‘criptografía para confidencialidad de datos’ con un ‘algoritmo de seguridad descrito’, en que esa capacidad criptográfica sea utilizable, haya sido activada o pueda ser activada mediante cualquier medio que no sea ‘activación criptográfica’, según se indica:
  • 1. Productos cuya función principal sea la "seguridad de la información"
  • 2. Sistemas, equipos y componentes de comunicación o redes digitales, no especificados en el subartículo 5A002.a.1
  • 3. Ordenadores, otros productos cuya función principal sea el almacenamiento o el proceso de información y sus componentes, no especificados en los subartículos 5A002.a.1 o 5A002.a.2
    N.B. Para los sistemas operativos, véanse también los subartículos 5D002.a.1 y 5D002.c.1.
  • 4. Productos no especificados en los subartículos 5A002.a.1 a 5A002.a.3, en los que la ‘criptografía para confidencialidad de datos’ con un ‘algoritmo de seguridad descrito’ reúna todas las características siguientes:
    • a. Soporta una función del producto distinta de la principal, y
    • b. Está realizada por equipos o "programas informáticos" incorporados que, como productos independientes, están especificados en la categoría 5, segunda parte
    
    Notas técnicas:
    • 1. A efectos del subartículo 5A002.a, ‘criptografía para confidencialidad de datos’ significa "criptografía" que emplea técnicas digitales y realiza una función criptográfica cualquiera excepto las siguientes:
      • a. "Autenticación"
      • b. Firma digital
      • c. Integridad de los datos
      • d. No repudio
      • e. Gestión de derechos digitales, incluida la ejecución de "programas informáticos" protegidos contra la copia
      • f. Cifrado o descifrado para posibilitar la difusión de programas de entretenimiento o programas comerciales generales o la gestión de historiales médicos, o
      • g. Gestión de claves en apoyo de las tareas descritas en cualquiera de los anteriores puntos a a f.
    • 2. A efectos del subartículo 5A002.a, ‘algoritmo de seguridad descrito’ significa cualquiera de las definiciones siguientes:
      • a. Un "algoritmo simétrico" que utilice una longitud de clave superior a 56 bits, sin incluir los bits de paridad,
      • b. Un "algoritmo asimétrico" en el que la seguridad del algoritmo se base en alguna de las características siguientes:
        • 1. Factorización de los números enteros por encima de los 512 bits (p. ej., RSA)
        • 2. Cómputo de logaritmos discretos en un grupo multiplicativo de un campo finito de tamaño superior a los 512 bits (p. ej., Diffie-Hellman sobre Z/pZ), o
        • 3. Logaritmos discretos en un grupo que no sea el mencionado en el punto b.2 por encima de los 112 bits (p. ej., Diffie-Hellman sobre una elipse). o
      • c. Un "algoritmo asimétrico" en el que la seguridad del algoritmo se base en alguna de las características siguientes:
        • 1. Problemas de vector más corto o de vector más próximo asociados con retículas (por ejemplo, NewHope, Frodo, NTRUEncrypt, Kyber, Titanium)
        • 2. Localización de isogenias entre curvas elípticas supersingulares (por ejemplo, Supersingular Isogeny Key Encapsulation) o
        • 3. Descifrado de códigos aleatorios (por ejemplo, McEliece o Niederreiter).
    
    Nota técnica:
    Los algoritmos descritos en la nota técnica 2.c pueden denominarse algoritmos poscuánticos, algoritmos a prueba de ataques cuánticos o algoritmos resistentes a ataques cuánticos.
    Nota 1: Cuando sea necesario, con arreglo a lo establecido por la autoridad competente en el país del exportador, la información detallada sobre los productos debe hacerse accesible y proporcionarse a la autoridad, cuando esta lo solicite, con el fin de poder averiguar cualquiera de los puntos siguientes:
    • a. Si el producto cumple los criterios de los subartículos 5A002.a.1 a 5A002.a.4, o
    • b. Si la capacidad criptográfica para confidencialidad de datos especificada en el subartículo 5A002.a puede ser usada sin "activación criptográfica".
    
    Nota 2: El subartículo 5A002.a no somete a control ninguno de los siguientes productos o sus componentes diseñados especialmente para "seguridad de la información":
    • a. Las tarjetas inteligentes y los ‘lectores/escritores’ de tarjetas inteligentes, según se indica:
      • 1. Las tarjetas inteligentes o los documentos personales de lectura electrónica (p. ej., fichas, pasaportes electrónicos) con cualquiera de las características siguientes:
        • a. La capacidad criptográfica reúne las tres características siguientes:
          • 1. Su uso está restringido a cualquiera de los elementos siguientes:
            • a. Equipos o sistemas no descritos en los subartículos 5A002.a.1 a 5A002.a.4
            • b. Equipos o sistemas que no utilicen ‘criptografía para confidencialidad de datos’ con un ‘algoritmo de seguridad descrito’o
            • c. Equipos o sistemas excluidos del subartículo 5A002.a por las letras b a f de la presente nota, y
          • 2. No se puede programar para ningún otro uso o:
        • b. Con todas las características siguientes:
          • 1. Estar especial y exclusivamente diseñados para permitir la protección de los ‘datos personales’ contenidos en ellos
          • 2. Haber sido personalizados para transacciones públicas o comerciales o a efectos de la identificación personal, o no poder ser personalizados más que para dichos usos, y
          • 3. Que la capacidad criptográfica no sea accesible al usuario
        
        Nota técnica:
        Los ‘datos personales’ incluyen todo dato específico de una persona o entidad determinada, como la cantidad de dinero almacenada y los datos necesarios para la "autenticación".
      • 2. ‘Lectores/escritores’ especialmente diseñados o modificados, y limitados, para los productos especificados en el punto a.1 de la presente nota
      
      Nota técnica:
      Los ‘lectores/escritores’ incluyen el equipo que se comunica con las tarjetas inteligentes o los documentos de lectura electrónica a través de una red.
    • b. Equipo criptográfico diseñado especialmente y limitado al uso bancario o a las ‘transacciones monetarias’
      Nota técnica:
      ‘Transacciones monetarias’ del subartículo 5A002.a. La nota 2.b incluye el cobro y la fijación de tarifas o las funciones crediticias.
    • c. Radioteléfonos portátiles o móviles para un uso civil (p. ej., para su uso con sistemas de radiocomunicación comercial civil por telefonía móvil) que no tengan la capacidad de transmitir directamente datos cifrados a otros radioteléfonos o equipos (distintos de los equipos de red de acceso radioeléctrico), ni de pasar datos cifrados a través de un equipo RAN (p. ej., controladores de red radioeléctrica (RNC) o controladores de estaciones base (BSC))
    • d. Equipo de telefonía sin hilos que carezca de la capacidad de cifrado de extremo a extremo cuando el alcance máximo efectivo de funcionamiento sin repetición y sin hilos (es decir, un salto único y sin relevo entre la terminal y la base de origen) sea inferior a 400 metros conforme a la descripción del fabricante
    • e. Radioteléfonos portátiles o móviles y otros dispositivos inalámbricos de uso civil para clientes, que solo apliquen normas de cifrado comerciales o que hayan sido publicadas (salvo en lo que respecta a las funciones antipiratería, que pueden no estar publicadas) y que cumplan asimismo las disposiciones de los puntos a.2 a a.4 de la nota de criptografía (nota 3 de la categoría 5, segunda parte), que hayan sido personalizados para una aplicación civil específica con características que no afecten a la función criptográfica de los dispositivos originales no personalizados
    • f. Productos cuya funcionalidad de "seguridad de la información" está limitada a la funcionalidad de "red de área personal", aplicando únicamente normas criptográficas comerciales o que hayan sido publicadas,
    • g. Equipos de telecomunicaciones móviles de redes de acceso radioeléctrico (RAN) diseñados para uso civil y que cumplan asimismo las disposiciones de los puntos a.2 a a.4 de la nota de criptografía (nota 3 de la categoría 5, segunda parte), con una potencia de salida de radiofrecuencia limitada a 0,1 W (20 dBm) o menos, y que permitan 16 o menos usuarios concurrentes,
    • h. Enrutadores, conmutadores, pasarelas o relés en los que la funcionalidad de "seguridad de la información" se limita a las tareas de "operación, administración o mantenimiento" ("OAM") que únicamente apliquen normas de cifrado comerciales o que hayan sido publicadas, o
    • i. Equipos de computación o servidores de uso general en los que la funcionalidad de "seguridad de la información" reúna todas las características siguientes:
      • 1. Únicamente utiliza normas de cifrado comerciales o que hayan sido publicadas, y
      • 2. Presenta una de las características siguientes:
        • a. Es parte integrante de una unidad central de procesamiento que cumple las disposiciones de la nota 3 de la categoría 5, segunda parte
        • b. Es parte integrante de un sistema operativo que no está especificado en el artículo 5D002, o
        • c. Está limitada al "OAM" del equipo.
    • j. Productos diseñados especialmente para una ‘aplicación civil conectada’ que reúnan todas las características siguientes:
      • 1. Que sean cualquiera de los siguientes:
        • a. Dispositivos finales de conexión en red que reúnan cualquiera de las características siguientes:
          • 1. La funcionalidad de "seguridad de la información" se limita a la seguridad de "datos no arbitrarios" o a las tareas de "operación, administración o mantenimiento" ("OAM") o
          • 2. El dispositivo se limita a una "aplicación civil conectada" específica, o
        • b. Equipos de redes que reúnan todas las características siguientes:
          • 1. Diseñados específicamente para comunicarse con los dispositivos especificados en el punto j.1.a anterior, y
          • 2. La funcionalidad de "seguridad de la información" se limita al apoyo de la "aplicación civil conectada" de los dispositivos especificados en el punto j.1.a anterior o a las tareas de "OAM" de estos equipos de redes o de otros productos especificados en el punto j de la presente nota, y
      • 2. En los cuales la funcionalidad de "seguridad de la información" implementa solo normas de cifrado comerciales o que hayan sido publicadas y donde el usuario no puede cambiar fácilmente la función criptográfica
        Notas técnicas:
        • 1. "Aplicación civil conectada" es una aplicación del sector civil o de consumo conectada en red, distinta de "seguridad de la información", comunicaciones digitales, y redes o sistemas informáticos de uso general.
        • 2. "Datos no arbitrarios" son datos de sensores o de medición relacionados directamente con la estabilidad, el rendimiento o las medidas físicas de un sistema (por ejemplo, temperatura, presión, caudal, masa, volumen, tensión, ubicación física, etc.), que el usuario del dispositivo no puede modificar.
• b. Que sean un "testigo de activación criptográfica"
  Nota técnica:
  Un "testigo de activación criptográfica" es un producto diseñado o modificado para cualquiera de las siguientes acciones:
  • 1. Convertir, mediante "activación criptográfica", un producto no especificado en la categoría 5, segunda parte, en un producto especificado en los subartículos 5A002.a o 5D002.c.1, y no liberado mediante la nota de criptografía (nota 3 de la categoría 5, segunda parte), o
  • 2. Permitir, mediante "activación criptográfica", una funcionalidad adicional especificada en el subartículo 5A002.a de un producto ya especificado en la categoría 5, segunda parte
• c. Diseñados o modificados para utilizar o realizar "criptografía cuántica"
  Nota técnica:
  La "criptografía cuántica" también se conoce como distribución de clave cuántica (QKD).
• d. Diseñados o modificados para emplear técnicas criptográficas con objeto de generar códigos de canalización o de embrollo o códigos de identificación de red para sistemas que usen técnicas de modulación de banda ultra ancha y que posean alguna de las características siguientes:
  • 1. Ancho de banda superior a 500 MHz, o
  • 2. "Ancho de banda fraccional" de 20 % o más
• e. Diseñados o modificados para utilizar técnicas criptográficas con objeto de generar el código de ensanchamiento para sistemas de "espectro ensanchado" distintos a los especificados en el subartículo 5A002.d, incluido el código de salto para sistemas de "salto de frecuencia".